光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分...
查看详细 >>例如在低分子量PHS/硫醇/感光剂体系非化学放大负性光刻胶中,光敏剂-羟基环己基苯基甲酮首先受EUV激发产生自由基,从而引发ALOPHS侧链(一般含烯烃或炔烃)与硫醇BPMB发生交联反应,在显影后留在衬底表面。此光刻胶体系在常温真空条件下即可发生光诱导自由基链反应,因此有很高的灵敏性。低分子量PHS增加了光刻胶的分辨率,同普通光刻胶相比,...
查看详细 >>例如在低分子量PHS/硫醇/感光剂体系非化学放大负性光刻胶中,光敏剂-羟基环己基苯基甲酮首先受EUV激发产生自由基,从而引发ALOPHS侧链(一般含烯烃或炔烃)与硫醇BPMB发生交联反应,在显影后留在衬底表面。此光刻胶体系在常温真空条件下即可发生光诱导自由基链反应,因此有很高的灵敏性。低分子量PHS增加了光刻胶的分辨率,同普通光刻胶相比,...
查看详细 >>复旦大学陆雄等采用先激光开槽后机械刀片划片工艺划切low-k介质硅晶圆材料,相比于直接刀片划片,芯片结构完整且无金属层脱落、翻起现象,但工艺过程繁琐,划片成本高。Yu Zhang 等发现通过提高刀片旋转过程的阻尼比,一定程度上可降低刀具高速旋转过程中的振动现象,从而提高开槽性能,减小崩边尺寸,但是没有进行深入研究。 [5]单次划片,即一次...
查看详细 >>供需格局的剧烈变化使得存储市场进入被称为“超级牛市”的阶段,供应商议价能力已达到历史比较高水平。多家存储芯片企业已相继公布扩产计划,由于产能释放需要时间周期,内存紧缺的状态可能还会维持一段时间 [15]。我们会听到几寸的晶圆厂,如果硅晶圆的直径越大,**著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小,这两...
查看详细 >>制造半导体微芯片的大部分工作都需要在洁净室中进行,除了洁净室,整个制造过程还需要使用高纯度气体、化学品等材料,所使用的水为去离子水 [8]。空白晶圆被送入晶圆厂后,会经历一个极其繁复的“PVD、CVD、光刻、蚀刻、注入”循环,这个过程可能要重复上百次,耗时数月 [12]。半导体产业的商业模式主要分为垂直整合制造(IDM)、晶圆代工(Fou...
查看详细 >>压力控制系统通过气压方式对抛光头进行压力控制,其主要功能有:① 对晶圆和保持环进行压力加载;② 对抛光头抽负压以夹持晶圆;③ 检测各腔室是否漏气。 多区抛光头的压力控制原理如图3所示。抛光头气路的主要元件有气源、减压阀、电气比例阀、真空发生器、真空调压阀、两位三通阀、两位两通阀以及压力传感器等。抛光头共有五个压力腔室(Z1~Z5),每个腔...
查看详细 >>全球市场由信越化学、SUMCO等企业主导,**大厂商占据90%以上份额 [2] [6]。中国企业正加速12英寸抛光片等产品的产能建设,恒坤新材已成为国内少数具备12英寸晶圆制造关键材料量产能力的创新企业 [8]。西安奕材12英寸硅片出货量居内地榜首,2024年末产能达71万片/月,占全球12英寸硅片产能约7% [13]。立昂微2025年*...
查看详细 >>压力控制系统通过气压方式对抛光头进行压力控制,其主要功能有:① 对晶圆和保持环进行压力加载;② 对抛光头抽负压以夹持晶圆;③ 检测各腔室是否漏气。 多区抛光头的压力控制原理如图3所示。抛光头气路的主要元件有气源、减压阀、电气比例阀、真空发生器、真空调压阀、两位三通阀、两位两通阀以及压力传感器等。抛光头共有五个压力腔室(Z1~Z5),每个腔...
查看详细 >>PMMA的灵敏度在15 kV时为5×10-5 C/cm2,比较低,为了提高PMMA的灵敏度,采用了各种方法,除采用与传统光刻胶相似的方法,如增加分子量、使分子量分布高、窄,与某些单体共聚在取代基中引入氯或氟等元素、改进显影液、添加增感剂、改造为化学增幅型光刻胶以外,还采用了预聚合和双层光刻胶等方法:预聚合方法是预先在PMMA中形成一定量的...
查看详细 >>全球市场由信越化学、SUMCO等企业主导,**大厂商占据90%以上份额 [2] [6]。中国企业正加速12英寸抛光片等产品的产能建设,恒坤新材已成为国内少数具备12英寸晶圆制造关键材料量产能力的创新企业 [8]。西安奕材12英寸硅片出货量居内地榜首,2024年末产能达71万片/月,占全球12英寸硅片产能约7% [13]。立昂微2025年*...
查看详细 >>载流子浓度多数半导体器件为少数载流子器件,如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下,空穴和电子浓度相等,此时为稳态;当受到外部激励(光、电、热等能量激励)时,半导体处于非平衡状态,电子和空穴均增加,形成过剩载流子。载流子寿命(lifetime),是指过剩载流子平均存在时间,载流子浓度满足指数衰减规律...
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