三星2nm工艺良率已从2024年初的30%提升至2025年的50%-60%，并计划在2026年底提升全球月产能，且已获得高通、特斯拉等客户订单 [8]，其目标是在2025年实现2nm工艺的量产并在2027年量产1.4nm工艺 [15]。其位于美国得克萨斯州泰勒市的先进制程晶圆厂的大规模量产预计将延迟至2027年初。三星电子预计从2026年...

  载流子浓度多数半导体器件为少数载流子器件，如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下，空穴和电子浓度相等，此时为稳态；当受到外部激励（光、电、热等能量激励）时，半导体处于非平衡状态，电子和空穴均增加，形成过剩载流子。载流子寿命（lifetime），是指过剩载流子平均存在时间，载流子浓度满足指数衰减规律...

  抛光过程随着集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大。要实现多层布线，晶圆表面必须具有较高的平整度、光滑度和洁净度，而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前***的晶圆平坦化技术，它与光刻、刻蚀、...

  晶圆代工涉及的特色工艺平台包括BCD、RF、高压、MEMS、FD-SOI等 [9] [11] [13]。例如，中芯国际提供8英寸BCD工艺 [1]；芯联集成是重要的MEMS和功率器件代工厂 [13]。先进封装技术如2.5D/3D封装、晶圆级封装、基于Chiplet的异构集成等是系统级集成的关键 [5]。英特尔推出了Foveros Dire...

  晶圆代工涉及的特色工艺平台包括BCD、RF、高压、MEMS、FD-SOI等 [9] [11] [13]。例如，中芯国际提供8英寸BCD工艺 [1]；芯联集成是重要的MEMS和功率器件代工厂 [13]。先进封装技术如2.5D/3D封装、晶圆级封装、基于Chiplet的异构集成等是系统级集成的关键 [5]。英特尔推出了Foveros Dire...

  载流子浓度多数半导体器件为少数载流子器件，如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下，空穴和电子浓度相等，此时为稳态；当受到外部激励（光、电、热等能量激励）时，半导体处于非平衡状态，电子和空穴均增加，形成过剩载流子。载流子寿命（lifetime），是指过剩载流子平均存在时间，载流子浓度满足指数衰减规律...

  晶圆代工涉及的特色工艺平台包括BCD、RF、高压、MEMS、FD-SOI等 [9] [11] [13]。例如，中芯国际提供8英寸BCD工艺 [1]；芯联集成是重要的MEMS和功率器件代工厂 [13]。先进封装技术如2.5D/3D封装、晶圆级封装、基于Chiplet的异构集成等是系统级集成的关键 [5]。英特尔推出了Foveros Dire...

  Fabless模式Fabless（无晶圆厂）模式是指企业*专注于集成电路的研发、设计和销售，而将晶圆制造、封装和测试等生产环节外包给专业的Foundry和OSAT厂商 [2] [7] [11]。例如，康希通信采用Fabless经营模式 [5]。演变与趋势Foundry模式正在演进，晶圆代工厂不再只是晶圆供应商，正转型为基础设施提供商。晶圆...

  灵敏度灵敏度（Sensitivity）即光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的**小能量值（或**小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要 [5]。负胶通常需5~15 s时间曝光，正胶较慢，其曝光时间为负胶的3~4倍 [40]。灵敏度反映了光刻胶材料...

  光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 [6]。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。 [2]1826年，法国人涅普斯（J. N. Niepce）较早发现了具有感光性的天然沥青，使用低黏度质量沥青涂覆玻璃板，预干后，置于相机暗盒内，开启曝光窗，经光学镜头...

  离子束光刻胶离子束光刻技术可分为聚焦离子束光刻、离子束投影式光刻。聚焦离子束光刻用途***，常以镓离子修补传统及相位转移掩膜板；离子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以镂空式模板，缩小投影（4~5倍） [35]。离子束光刻与电子束直写光刻技术类似，不需要掩膜板，应用高能离子束直写。离子束的散射没有电子束那么...

  （3）有机硅及碳材料体系：在聚合物结构中引入具有低吸收的元素，如硅、硼等，得到有机一无机杂化聚合物光致抗蚀剂，不*可以减少高吸收的氧元素的含量以提高透明性，而且还可增强体系的抗蚀刻性。例如在光刻胶中掺杂富勒烯可以提高光刻胶的抗蚀性 [27]；聚氢硅烷体系的光刻胶经电子束曝光后，体系中Si-H键断裂，形成自由基，因此，曝光区的聚氢硅烷会交联...