2021年3月19日,日本车用半导体巨头瑞萨电子(Renesas)的那珂工厂发生火灾,导致该厂N3大楼的12英寸产线停产。火灾加剧了当时全球汽车芯片短缺的状况 [14]。2024年5月,三星电子位于韩国京畿道龟兴市的晶圆厂发生辐射泄露事故,导致两名员工因手指部位出现辐射暴露症状而紧急送医 [13]。三星电子历史上还发生过其他安全事故,例如...
查看详细 >>X射线光刻胶X射线对物质的化学作用类似电子束,X射线曝光时,X射线本身并不能直接引起光刻胶的反应,它的能量是消耗的光电子放射过程而产生低能电子束上。正是这些低能电子使光刻胶的分子离化,并激励产生化学反应,使光刻胶分子间的结合键解离,或键合成高分子,在某些显影液中变成易溶或不溶。X射线光刻胶和电子束光刻胶没有本质的区别 [40],因此所有的...
查看详细 >>抛光过程随着集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展,芯片特征尺寸越来越小,互连层数越来越多,晶圆直径也不断增大。要实现多层布线,晶圆表面必须具有极高的平整度、光滑度和洁净度,而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前***的晶圆平坦化技术,它与光刻、刻蚀、...
查看详细 >>2026年3月,三星电子计划在美国得克萨斯州泰勒半导体园区建立第二座芯片厂,该项目已进入监管准备初期阶段,泰勒市议会已批准延长相关工程合同。第二工厂占地约25.1万平方米,规模与正在建设的***工厂相同。三星在泰勒购入1268英亩土地,计划打造**多可容纳10座晶圆厂的半导体产业集群,总投资计划从**初的170亿美元扩大至370亿美元,其...
查看详细 >>例如在低分子量PHS/硫醇/感光剂体系非化学放大负性光刻胶中,光敏剂-羟基环己基苯基甲酮首先受EUV激发产生自由基,从而引发ALOPHS侧链(一般含烯烃或炔烃)与硫醇BPMB发生交联反应,在显影后留在衬底表面。此光刻胶体系在常温真空条件下即可发生光诱导自由基链反应,因此有很高的灵敏性。低分子量PHS增加了光刻胶的分辨率,同普通光刻胶相比,...
查看详细 >>晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和12英寸为主。 [1]晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越...
查看详细 >>辐射线光刻胶以X-射线、电子束或离子束为曝光源的光刻胶,统称为辐射线光刻胶。由于X-射线、电子束或离子束等的波长比深紫外光更短,几乎没有衍射作用,因此在集成电路制作中可获得更高的分辨率。辐射线光刻胶是由线宽小于0.1 μm的加工工艺设计的,一般认为,电子束、离子束光刻工艺适用于纳米级线宽。 [2]电子束光刻胶电子束辐射刻蚀,就是以高速、高...
查看详细 >>紫外光刻胶适用于g线(436 nm)与i线(365 nm)光刻技术。负性光刻胶1.环化橡胶型光刻胶:属于聚烃类——双叠氮系光刻胶。这种胶是将天然橡胶溶解后,用环化剂环化制备而成的。一般来说,橡胶具有较好的耐腐蚀性,但是它的感光活性很差。橡胶的分子量在数十万以上,因此溶解性甚低,无论在光刻胶的配制还是显影过程中都有很大困难。因此无法直接采用...
查看详细 >>专业晶圆代工模式由台积电(TSMC)创立,张忠谋创建了世界上***家纯晶圆代工厂。这种代工模式使得设计公司和代工厂都能专注于自己的特长 [19]。研究预测,长期来看IDM与无晶圆厂-代工模式将共存,IDM的**终市场份额预计约为55%,无晶圆厂-代工模式约为45% [16]。在制程节点的竞争中,英特尔18A制程已进入风险试产阶段并将于20...
查看详细 >>由于未经感光的光致抗蚀剂仍然保持它在紫外线照射下发生光分解反应的活性,故该种类型的光刻胶在光刻工艺过程中,能够多次曝光。邻重氮醌化合物都能溶解在乙二醇单甲醚中。为了改善光刻胶的成膜性和增加涂层的耐磨性,可以掺入线性酚醛树脂、聚酚、聚碳酸酯或乙酸乙烯和顺丁烯二酸酐的共聚物;或者将邻重氮醌-5-磺酰氯和带有羟基的树脂进行缩合,而将感光性官能团...
查看详细 >>5.其他:(1)树枝状聚合物体系:由树枝状聚合物和PAG组成,其聚合物是基于三苯基的骨架通过化学键连接其他苯基的树枝状物质,当电子束曝光时,产酸剂产酸,经后烘脱去保护基团,在碱溶液显影中形成正型图形,但T型(T-top)现象严重,在有机溶剂中显影可以成为负型图形,此种类型的光刻胶**小可以获得100 nm的线条分辨率。(2)分子玻璃体系:...
查看详细 >>4.环氧体系:环氧基树脂由于分子链含有环氧活性基团,因此很容易通过环氧阳离子开环聚合反应产生交联,形成三维网状结构,曝光区域在显影液中不溶,从而形成负性光刻胶,这类型负胶又称为环氧基负胶。在受电子束曝光时产生活性氧中心,此中心再攻击相邻环氧基团,形成共价键产生交联,环氧基开环率较高,灵敏度也较高 [29]。其中**重要的品种是甲基丙烯酸环...
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