“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕，高压烧结有两种方式，第一种为高压成型常压烧结，第二种为高压气氛烧结。1、高压成型常压烧结高压成型常压烧结中，样品在高压下再次加压后，颗粒之间的接触点增加且气孔减少，导致烧结前坯体的相对密度明显增加，而陶瓷烧结活性与样品的压坯密度紧密相关，所以烧结温度明显降低。高压成型常压烧结使烧结温度降低了至少200℃（无压烧结温度一般高于1200℃）。2、高压气氛烧结高压气氛烧结中，高压能够明显增加陶瓷致密的驱动力，并且由于成核势垒的降低使成核速率增加，扩散能力的降低使生长速率减小。高压气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法，而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响，随着晶粒尺寸的减小，在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来，随着微电子和通讯的发展，需要铁电组件的小型化和集成化，很有必要获得细晶陶瓷以便得到比较好的电学性能。但是此方法的缺点为需要能够耐高压的模具，工艺较复杂，较难操作。行业精英齐聚一堂，为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國國際先進陶瓷展览会！诚邀您莅临！3月10日-12日华东国际先进陶瓷技术高峰论坛
相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日华东区国际先进陶瓷粉末冶金展览会汇聚多方力量，整合优势资源，“中國國際先進陶瓷展览会：2025年3月10日上海世博展览馆，共襄行业盛会！
我国碳化硅产业虽起步较晚，但近年来，在國家政策推动和地方积极产业布局下，我国逐步形成了覆盖衬底、外延、器件等环节的完整的第三代半导体产业链，并形成了以京津冀、长三角、珠三角等区域的第三代半导体产业集群。其中，京津冀区域集中了清华大学、北京大学、中科院半导体所等相关科研院所，并拥有天科合达、同光晶体、泰科天润、世纪金光等第三代半导体企业，初步形成较为完整的碳化硅产业链；长三角区域目前形成了以苏州为中心的氮化镓全产业链集群和以上海为中心的碳化硅功率半导体企业集群；珠三角区域作为国内集成电路产业资源集中地区，成立了多个研究基地，拥有包括东莞天域、东莞中镓、亚迪半导体等在内的第三代半导体相关企业。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！
氧化铝陶瓷以Al2O3为主要成分,含有少量SiO2的陶瓷，又称高铝陶瓷。根据Al2O3含量不同分为75瓷(含75%Al2O3，又称刚玉-莫来石瓷)、95瓷和99瓷，后两者又称刚玉瓷。氧化铝陶瓷耐高温性能好，可使用到1950℃。具有良好的电绝缘性能及耐磨性。微晶刚玉的硬度极高(仅次于金刚石)。氧化铝陶瓷被用作耐火材料，如耐火砖、坩埚、热偶套管，淬火钢的切削刀具、金属拔丝模，内燃机的火花塞，火箭、导弹的导流罩及轴承等。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日，让我们相聚中國國際先進陶瓷展览会，共同探索先進陶瓷行业的万千可能！
将碳化硅晶锭用X射线单晶定向仪定向，再用精密机械加工成标准尺寸和角度的碳化硅晶棒，并对所有晶棒进行尺寸、角度等指标检测。在考虑后续加工余量后，用金刚石细线切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通过全自动测试设备对面型进行检测。切片作为晶体加工的首要步骤，对后续加工和产能的影响较大。碳化硅的高硬度导致锯线消耗大、加工时间长、废料率高、产量有限、高成本等问题。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！中國國際先進陶瓷展览会，为行业搭建共享共赢的商贸平台，2025年3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临！2025年3月10日中国上海国际先进陶瓷展会
云集中外杰出供应商的中國國際先進陶瓷展览会！2025年3月10-12日，新之联伊丽斯诚邀您相聚上海！3月10日-12日华东国际先进陶瓷技术高峰论坛
传统硅器件主要采用高温扩散掺杂，但铝、硼和氮在SiC中扩散系数低，需极高温度，会恶化器件性能。因此，离子注入工艺成为SiC掺杂的優先选择。为实现离子注入区域掺杂浓度均匀，常采用多步离子注入，通过调节注入能量和剂量，控zhi掺杂浓度和深度。离子注入设备是SiC产线难度较高的设备，全球设备厂商少、交期长，国产化率低于10%，是我国碳化硅晶圆线建设的较大瓶颈。國際主流厂商包括美国亚舍立（Axcelis）及应用材料（收购瓦里安），日本爱发科及日清公司，國内厂商主要有中國电科48所（烁科中科信），中车思锐（收购IBS）和凯世通也在介入。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，國内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日-12日华东国际先进陶瓷技术高峰论坛
