MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。可以看到，内部电极通过一层层叠起来，来增大电容两极板的面积，从而增大电容量。陶瓷介质即为内部填充介质，不同的介质做成的电容器的特性不同，有容量大的，有温度特性好的，有频率特性好的等等，这也是为什么陶瓷电容有这么多种类的原因。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展，就在9月10-12日，深圳会展中心（福田）2号馆！真空技术：打造完美先进陶瓷的“窍门”，想更好的掌握真空技术，就来9月华南国际先进陶瓷展！2025年3月10日-12日华东区国际先进陶瓷高峰论坛
一些氧化物陶瓷，如Al2O3、ZrO2、云母微晶玻璃陶瓷，由于其良好的生物相容性、化学稳定性、耐磨性及强度匹配性，因此自二十世纪七十年代以来一直作为生物陶瓷大量使用。例如用作人工关节、人工骨螺钉、人工中耳骨、牙科移植物等。特别是具有**度、高韧性、耐磨损的Al2O3基复合陶瓷材料，作为人工髋关节和膝关节等生物陶瓷在国际上得到普遍使用。Al2O3陶瓷具有优异的综合性能。主要包括：（a）硬度高（莫氏硬度为9）、耐磨性好；（b）良好的机械强度，抗弯强度通常可达300～500MPa；（c）耐热性能优异（连续使用温度可达1000℃以上）；（d）电阻率高，电绝缘性能好，特别是具有优异的高温绝缘性和抗电压击穿性能，常温电阻率1015Ω·cm，绝缘强度15kv/mm以上；（e）化学稳定性好，硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸都不与Al2O3作用，许多复合的硫化物、磷化物、氯化物、氮化物、溴化物也不与Al2O3反应；（f）耐高温腐蚀性好，能较好地抵抗Be，Sr，Ni，Al，V，Ta，Mn，Fe，Co等熔融金属的侵蚀，对NaOH、玻璃、炉渣的侵蚀也有很高的抵抗能力；（g）透光性，可制成透明和半透明材料。2025华南国际先进陶瓷诚邀您参展观展！2024年上海国际先进陶瓷及粉末冶金展览会AMB陶瓷基板能为碳化硅带来什么？来9月华南国际先进陶瓷展，碳寻行业技术新优解！
华南地区凭借产业链优势与政策支持，成为先进陶瓷创新高地。深圳、佛山在半导体用碳化硅部件、5G微波介质陶瓷领域形成完整产业链，2024年区域产值突破300亿元。2025华南国际先进陶瓷展会将汇聚风华高科、安地亚斯等企业，展示从粉体到终端产品的全产业链解决方案，同期举办“陶瓷+新能源”“陶瓷+半导体”主题论坛，推动技术交流与产业对接。展会同期设立“产学研合作专区”，促成清华大学、中科院上海硅酸盐研究所等机构与企业的技术转化项目落地，助力中国先进陶瓷从“跟跑”向“领跑”跨越。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展参观！
随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加，宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到***关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展，成为现代电子技术的重要组成部分。碳化硅功率器件的应用前景十分广阔，随着技术的不断进步和成本的逐渐降低，SiC器件将在更多领域实现应用。例如，随着电动汽车和可再生能源市场的爆发，对高效、可靠的功率器件需求将持续增长，推动碳化硅技术的进一步发展。此外，随着5G、人工智能和物联网等新兴技术的兴起，对功率器件的性能要求将更加严苛，碳化硅功率器件凭借其高效能和可靠性，将在未来占据更重要的市场地位。 碳化硅功率器件作为新一代半导体材料，凭借其独特的性能优势，正在推动电力电子技术的变革。虽然面临一些挑战，但随着技术的不断成熟和市场需求的增长，碳化硅功率器件必将在未来的能源转型和高效电子设备中发挥重要作用。我们有理由相信，碳化硅将为全球可持续发展战略的实现贡献更大的力量。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展！陶瓷膜：生物制药领域的“利器”，采购“陶瓷膜”，就来9月华南国际先进陶瓷展！
据在不同温度下固结的氧化铝陶瓷的密度，在900℃时(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，对应于陶瓷烧结的初始、中间和**终阶段。也就是说，无论在烧结的初始阶段、中间阶段或**终阶段，施加振荡压力，它都有助于加速致密化。此外，施加振荡压力的温度越高，越有利于致密化。在烧结的中间和***阶段使用振荡压力也可以促进陶瓷的凝固。在所有三个阶段中，暴露于振荡压力下的样品的密度远高于通过一步跃点或高压烧结的样品的密度。通过HP获得的样品显示出比HOP烧结样品更多孔的结构和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反过来，在HOP-ALL组的样品中发现**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300试样的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之间。振荡压力对晶粒生长的影响可能来自晶界能量的降低或曲率半径的增加，或两者兼而有之。OPS烧结样品的硬度高于HP烧结样品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL组ce分支的硬度值比较高(20.98±0.25GPa)。霍尔-佩奇效应描述了陶瓷材料的硬度取决于晶粒尺寸和孔隙率。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展！碳化硅晶体生长技术的现状与未来展望！2025华南国际先进陶瓷展，9月深圳福田，邀您共展望！中国上海市先进陶瓷技术展览会
先进制造业前沿会议！聚焦先进陶瓷行业热点，就在9月10-12日，深圳福田会展中心，华南国际先进陶瓷展！2025年3月10日-12日华东区国际先进陶瓷高峰论坛
在现代工业中，陶瓷材料因其独特的物理化学性质扮演着重要角色。铝基陶瓷中的氮化铝（AlN）和氧化铝（Al₂O₃）是两类备受关注的材料，但两者的市场地位却截然不同：氧化铝占据主流，而氮化铝的普及率不足30%。为何性能更优的氮化铝未能取代氧化铝？本文将深入探讨其背后的科学逻辑与产业现实。氮化铝的热导率（170-200 W/(m·K)）是氧化铝（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化铝的介电常数（8.8）低于氧化铝（9.8），且在高温（>500℃）或高湿环境下，其绝缘电阻稳定性更优。氮化铝对熔融金属（如铝、铜）的耐腐蚀性远强于氧化铝，且在强辐射环境下（如核工业），其晶体结构更不易被破坏。氮化铝的产业化之路，始于一场与物理极限的较量。其合成工艺需在1800℃以上的高温氮气环境中完成，铝粉纯度必须高于99.99%，任何细微的氧杂质（超过0.1%）都会引发AlON杂相的生成，如同在纯净的晶体中埋下“导热**”，使热导率骤降30%以上。氧化铝的制备，则是一曲工业化的成熟乐章。其原料成本低廉，工艺窗口宽泛，1500℃以下的常规烧结即可获得致密陶瓷，生产成本*为氮化铝的1/3至1/2。这种“碾压级”的成本优势，让氧化铝在工业化赛道上**。 2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展！2025年3月10日-12日华东区国际先进陶瓷高峰论坛
