PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先進制造业新发展格局“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！3月10-12日中国上海市先进陶瓷技术论坛“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕。诚邀您莅临参观！
五展联动；孕育无限发展商机；IACECHINA2025将与第17届中国国际粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海国际线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海国际增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海国际粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！
外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1µm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6µm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100µm以上。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中國國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！
微波烧结是利用微波电磁场中材料的介质损耗使材料整体加热至烧结温度而实现烧结和致密化。微波烧结具有体加热的特性，烧结过程中依靠材料本身吸收微波能，并转化为材料内部分子的动能和势能，降低烧结活化能，提高扩散系数，从而实现低温快速烧结，可获得纳米晶粒的烧结体。微波烧结的优点为具有较短的烧结时间，使引起低频介质损耗的缺陷浓度减小，从而使得介质损耗降低。相对于常规无压烧结，微波烧结制备的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相对多的晶界，晶界的介电常数较低。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月6日中国国际先进陶瓷发展论坛
“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英；展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕！2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展
碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日上海市国际先进陶瓷展
