注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。中國國際先進陶瓷展览会，汇聚前沿技术和产品，助力先進制造业发展。2025年3月10-12日上海世博展览馆见。2025年3月10至12日中国上海国际先进陶瓷行业技术峰会
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能，应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型，由于晶型转变产生体积变化，造成开裂。加入适量稳定剂，使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相，控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好，成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度好；在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料，制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷，并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响，从而为生产提供理论依据，进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。2025年3月10-12日华东国际先进陶瓷博览会“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英；展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕！
碳化硅主驱芯片可靠性验证要求极高，需7-8年才能实现从设计到量产。国外厂商技术和产量的优势，并通过车企验证，基本垄断了碳化硅主驱芯片供应端。国内企业尚处于可靠性验证起始阶段，未实现批量供应。国产主驱芯片需克服可靠性验证和批量化生产两大难关，确保大规模供应的同时保证产品品质稳定是行业性难题。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！“中國國際先進陶瓷展览会”2025年3月10日上海世博展览馆。云集行业杰出企业的商贸平台，共襄行业盛会！
先进陶瓷又称高性能陶瓷、精细陶瓷、高技术陶瓷等，是指采用高纯度、超细人工合成或精选的无机化合物为原料，具有优异的力学、声、光、热、电、生物等特性的陶瓷。先进陶瓷在原料、工艺方面有别于传统陶瓷，特定的精细结构使其具有高、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、绝缘、超导、生物相容等一系列优点，被广泛应用于國防、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等领域，是近年来我国重点支持发展的产业之一。2025中国国际先进陶瓷展览会（IACECHINA）將於3月10-12日在上海世博展览馆举办，欢迎大家莅临参会！ “中國國際先進陶瓷展览会”创新应用和解决方案：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日华东国际先进陶瓷博览会
思想交流智慧碰撞，激发灵感创造契机，2025年3月10日中國國際先進陶瓷展，与您相聚上海，共襄行业盛会！2025年3月10至12日中国上海国际先进陶瓷行业技术峰会
碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10至12日中国上海国际先进陶瓷行业技术峰会
