“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！深耕行业市场，开拓业务网络，新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國國際先進陶瓷展览会！2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术会议
从国内看，碳化硅制造厂商包括长飞先進、芯联集成、上海积塔、比亚迪、三安光电、士兰微、泰科天润等，其中长飞先進、芯联集成、上海积塔已实现碳化硅MOSFET产品的大规模量产，其他企业尚不具备大规模量产能力。三家企业产能合计为25万片/年，规划产能为44.8万片/年。国外he心技术封锁为常态，国产替代需求迫切。和许多先進科技一样，国内发展碳化硅产业也受到国外技术禁运的限制，尤其是宽禁带半导体器件在jun事领域的应用，这进一步催生了国产替代的迫切需求。国内碳化硅产业在自主创新的推动下，正加速自主研发步伐，以bao障供应链的安全稳定。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10至12日上海国际先进陶瓷专题论坛“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕。诚邀您莅临参观！
碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内专jia称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英；展会将于2025年3月10日上海世博展览馆开幕！
注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会同期展会：粉末冶金及硬质合金展、 2025年3月10-12日上海世博展览馆。2025年3月10-12日华东国际先进陶瓷展览会
诚邀您参加中國國際先進陶瓷展览会，展示前沿技术、前沿产品，2025年3月10-12日上海世博展览馆见！2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术会议
PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术会议
