在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！诚邀您参加中國國際先進陶瓷展览会，展示前沿技术、前沿产品，2025年3月10-12日上海世博展览馆见！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术高峰论坛
碳化硅外延环节呈现美、日两强局面，美国Wolfspeed和日本昭和电工双寡头垄断，此外还有美国II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱电机、意法半导体（ST）、德国英飞凌（Infineon）等企业。国内东莞天域、瀚天天成为主要厂商，晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所、普兴电子、三安光电、启迪半导体、深圳纳设智能等亦有布局，努力推进国产替代。预计2025年全球和国内6寸碳化硅外延设备新增市场空间分别约为130亿元和53亿元美元。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日-12日华东区国际先进陶瓷技术前沿论坛“中國國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日上海世博展览馆，让我们相聚上海，共同见证盛会开幕！
碳化硅是通过键能很高的共价键结合的晶体。碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加热至高温还原而成，其烧结工艺主要有热压和反应烧结两种。由于碳化硅表面有一层薄氧化膜，因此很难烧结，需添加烧结助剂促进烧结，常加的助剂有硼、碳、铝等。碳化硅的特点是高温强度高，有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能，其热传导能力很强，仅次于氧化铍陶瓷。碳化硅陶瓷常用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承，泵的密封圈、拉丝成型模具等。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
碳化硅产业各链条都在互相交融、跨界。系统级厂商方面，比亚迪从整车制造跨到碳化硅产业前端的衬底环节，吉利则向后端做到碳化硅芯片制造；在供应链Tier1厂商层面，博世和华为同样做到碳化硅芯片制造。高成本是制约碳化硅器件实现大规模商用及国产替代的主要因素，但碳化硅器件与传统硅基器件的差价正在缩小。SiCSBD产品价格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，与硅基器件差价约为3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均价格跌幅达30%-40%，有助于其提升市场渗透率。“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！业界精英云集中國國際先進陶瓷展，为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日，我们在上海等您！
相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！赋能前沿智造，智领行业未来，“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10日上海共创无限商机！2025年3月10至12日中国上海国际先进陶瓷技术会议
“中國國際先進陶瓷展”多方位展示企业智造实力，搭建行业共享共赢的商贸平台，2025年3月10-12日上海见！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术高峰论坛
氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！2025年3月10日中国上海市先进陶瓷技术高峰论坛
