“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！氧化锆陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损等优良的性能，应用于各个领域中。常压下纯氧化锆有三种晶型，由于晶型转变产生体积变化，造成开裂。加入适量稳定剂，使氧化锆从高温冷却至室温过程中尽可能多的保留四方相，控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相的有效转变。氧化钇稳定氧化锆由于其综合性能好，成为应用较广的氧化锆材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%时抗弯强度好；在2mol%时断裂韧性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化钇稳定氧化锆为原料，制备出综合性能较高的氧化锆陶瓷，并探讨成型和烧结工艺对氧化锆陶瓷性能的影响，从而为生产提供理论依据，进而生产出高性能的氧化锆结构陶瓷。行业精英齐聚一堂，为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日中國國際先進陶瓷展览会！诚邀您莅临！2024年3月6-8日中国国际先进陶瓷技术与装备展
半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10-12日上海国际先进陶瓷技术专题论坛“中國國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日上海世博展览馆，让我们相聚上海，共同见证盛会开幕！
相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。深耕行业市场，开拓业务网络，新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國國際先進陶瓷展览会！
碳化硅外延环节呈现美、日两强局面，美国Wolfspeed和日本昭和电工双寡头垄断，此外还有美国II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱电机、意法半导体（ST）、德国英飞凌（Infineon）等企业。国内东莞天域、瀚天天成为主要厂商，晶盛机电、北方华创、芯三代、中电48所、普兴电子、三安光电、启迪半导体、深圳纳设智能等亦有布局，努力推进国产替代。预计2025年全球和国内6寸碳化硅外延设备新增市场空间分别约为130亿元和53亿元美元。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！中國國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！2024年第十六届先进陶瓷论坛
聚焦行业发展前沿，探索业界先進技术，“中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！2024年3月6-8日中国国际先进陶瓷技术与装备展
PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2024年3月6-8日中国国际先进陶瓷技术与装备展
