目前，陶瓷注射成型技术开始向精密化发展，研究与开发的重点由过去的高温非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)扩展为氧化物陶瓷(如氧化锆、氧化铝)、功能陶瓷、生物陶瓷产品，种类越来越多，其主要应用领域如下。一、光通讯用精密陶瓷部件主要有光纤连接器用氧化锆多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因为其尺寸小、精度高、内孔直径只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纤连接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中国制造，而日本京瓷、东陶、Adamand等国外公司生产的产品在不断减少。光纤连接器用陶瓷插芯与套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齿、种植牙陶瓷固定螺杆、人工关节、固定牙冠套、牙齿正畸用陶瓷托槽等，如图3所示。据世界卫生组织统计，牙齿畸形并发率约为49%，在美国50-60%的家庭都会进行牙齿正畸，必须配带牙齿矫形托槽。采用陶瓷注射成型生产的该类产品尺寸精度高且性能良好，在国内的市场前景开阔。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。中國國際先進陶瓷展览会，汇聚前沿技术和产品，助力先進制造业发展。2025年3月10-12日上海世博展览馆见。2025年3月10至12日华东国际先进陶瓷与粉末冶金展览会
在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！2025年3月10日中国上海国际先进陶瓷与粉末冶金展览会“中國國際先進陶瓷展”覆盖先進陶瓷全产业链，云集中外杰出企业亮相展会，2025年3月10日上海世博馆见！
碳化硅半导体属于高度技术密集型行业，具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒，高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响，目前各路资本争相投资，碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时，全球碳化硅半导体行业市场集中度较高，市场份额主要被美国、欧洲、日本等國家和地区的企业占据，国内企业未来将面临國際先进企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化，会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
碳化硅外延需经过光刻、沉积、离子注入等前段工艺形成碳化硅晶圆，再经过减薄、封装等后段工艺分别形成碳化硅芯片、功率器件及功率模块。在制程上，SiC芯片与硅基器件的工艺类似，但SiC制备需要特殊设备，如高温离子注入机和高温热处理设备等。刻蚀、减薄等环节也需特殊设备。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！敬请关注中國國際先進陶瓷展览会，品牌精英齐聚盛会，倾情见证行业新辉煌，2025年3月10日上海见！
“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕，高压烧结有两种方式，第一种为高压成型常压烧结，第二种为高压气氛烧结。1、高压成型常压烧结高压成型常压烧结中，样品在高压下再次加压后，颗粒之间的接触点增加且气孔减少，导致烧结前坯体的相对密度明显增加，而陶瓷烧结活性与样品的压坯密度紧密相关，所以烧结温度明显降低。高压成型常压烧结使烧结温度降低了至少200℃（无压烧结温度一般高于1200℃）。2、高压气氛烧结高压气氛烧结中，高压能够明显增加陶瓷致密的驱动力，并且由于成核势垒的降低使成核速率增加，扩散能力的降低使生长速率减小。高压气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法，而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响，随着晶粒尺寸的减小，在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来，随着微电子和通讯的发展，需要铁电组件的小型化和集成化，很有必要获得细晶陶瓷以便得到比较好的电学性能。但是此方法的缺点为需要能够耐高压的模具，工艺较复杂，较难操作。先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展，中國國際先進陶瓷展，3月10日我们共同见证盛会开幕！2025年3月10至12日华东国际先进陶瓷与粉末冶金展览会
聚焦行业发展前沿，探索业界先進技术，“中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！2025年3月10至12日华东国际先进陶瓷与粉末冶金展览会
氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！2025年3月10至12日华东国际先进陶瓷与粉末冶金展览会
