我们具备强大的定制化服务能力，秉持客户需求至上，精细定制赋能”的服务理念，可根据客户的氧化锆基板规格、电极图案设计、膜厚要求、性能指标、应用场景，提供从产品设计、膜系优化、工艺定制、样品试制、批量生产、技术支持的全流程定制化服务，精细匹配客户个性化需求，助力客户脑机接口产品性能升级。定制化服务流程高效便捷：客户只需提供基板尺寸、材质（3Y/5Y/8Y-YSZ/纯氧化锆）、电极图案图纸、膜厚要求、阻抗指标、生物相容性等级、应用场景（侵入/半侵入）等关键参数，我们的技术团队即可快速响应，24小时内提供定制化方案与样品试制计划。基板定制适配：可适配1mm-100mm任意尺寸、任意形状（方形、圆形、异形、阵列式）的氧化锆基板，无论抛光面、微粗糙面、结构化表面，均可实现稳定金属化。膜系定制优化：可定制钛（50-200nm）-铂（100-300nm）-金（50-150nm）任意厚度组合，优化梯度比例，适配不同附着力、阻抗、耐腐蚀需求。图案化定制：可定制10μm-1mm任意精度、任意形状的金属化图案，支持高密度微电极阵列、导电线路、绝缘隔离结构定制，精度±1μm。表面结构定制：可定制光滑表面（Ra＜20nm）、纳米粗糙表面（Ra50-100nm）、微结构化表面。 氧化锆陶瓷溅射铂助力国产陶瓷部件品质提升。氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层拉伸测试
脑机接口微电极阵列的图案化精度直接决定电极尺寸、间距、形状的一致性，进而影响信号采集精度、空间分辨率与器件批量一致性。我们的钛-铂-金金属化膜层完美适配光刻/刻蚀工艺，膜层与光刻胶兼容性好、附着力强、剥离后无残胶、无膜层损伤，刻蚀后图案精度±1μm、边缘锐利垂直、无毛刺、无侧蚀、无尺寸偏差，可精细制备高密度、高精度微电极阵列图案。适配光刻/刻蚀优势：一是膜层表面平整光滑，磁控溅射膜层表面粗糙度Ra＜20nm，光刻胶涂覆均匀、无气泡，曝光显影后图案清晰；二是三层金属刻蚀选择性好，钛、铂、金刻蚀速率可控、选择性高，无过度刻蚀、无欠刻蚀；三是膜层与基底附着力强，刻蚀过程中膜层不脱落、不翘边、不损伤，图案完整性好。图案化测试数据显示，我们的金属化膜层可稳定制备电极直径10-50μm、间距50-200μm、通道数16-128的高密度微电极阵列，图案精度、边缘清晰度、尺寸一致性均达到国际先进水平，助力国产高密度脑机接口微电极阵列实现高精度、批量一致性生产。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层拉伸测试氧化锆陶瓷溅射铂为陶瓷部件提供长效表面防护。
钛铂金复合薄膜与氧化锆基底的结合，实现材料性能的多维协同，突破单一材料的性能上限，满足多场景的复合功能需求。钛层（厚度5-20nm）作为过渡层，具有优异的附着力与扩散阻挡性能，既能与氧化锆基底形成牢固的冶金结合，又能阻止铂金、金原子向基底扩散，避免界面失效，同时钛本身具有良好的生物相容性与耐腐蚀性，提升薄膜整体稳定性。铂金层（厚度10-50nm）具备较高的化学稳定性，耐强酸、强碱、高温氧化腐蚀，在恶劣环境中性能稳定；同时具有优异的催化活性，是燃料电池、传感器、化工催化的材料；导电性好，电阻率低，适配电子元件、电极等导电场景。金层（厚度5-30nm）作为表层优化层，生物相容性较好，无致敏性，适合医疗植入、人体接触类产品；光学性能优异，可见光区反射率高，可制备光学反射膜、装饰膜；同时金具有良好的延展性与耐候性，提升薄膜耐磨性与使用寿命。三层薄膜协同，兼具附着力强、耐腐蚀、导电、催化、生物相容、光学优异等多重性能，实现1+1+1＞3的功能效果。
脑机接口用氧化锆基板材质多样，以钇稳定氧化锆（YSZ，3Y/5Y/8Y）为主，辅以纯氧化锆、氧化铝-氧化锆复合陶瓷，不同材质的表面粗糙度、晶格结构、表面活性存在差异，传统金属化工艺难以通用适配。我们的磁控溅射钛-铂-金金属化工艺实现全材质氧化锆通用适配，无论YSZ还是纯氧化锆，无论抛光面还是微粗糙面，均可实现稳定、均匀、高附着力的三层金属化膜层，无需额外调整基底预处理工艺，大幅降低客户定制化成本与技术门槛。针对3Y-YSZ（高韧性、用于电极基板）、5Y-YSZ（高透光、高稳定性，用于封装外壳）、8Y-YSZ（高绝缘性、低介电损耗，用于绝缘支撑）等不同型号钇稳定氧化锆，我们优化溅射功率、沉积压力、基底温度等参数，精细调控钛底层的界面结合状态，确保附着力稳定≥8N/mm，膜层均匀性≤2%。对于纯氧化锆基板（表面活性更低、惰性更强），我们采用等离子体活化预处理+钛膜梯度沉积技术，在氧化锆表面形成纳米级活化层，提升钛原子吸附能力与界面结合强度，彻底解决纯氧化锆金属化难、易脱落的行业痛点。全材质适配能力，让客户无需限制氧化锆基板材质，可根据器件性能需求自由选择，大幅提升设计灵活性与方案适配性，助力脑机接口器件快速迭代优化。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂适配医疗设备陶瓷配件处理。
侵入式脑机接口的**是高密度微电极阵列（MEA），需在氧化锆基板上制备微米级（10-100μm）电极位点、导电线路、绝缘间隔，对金属化膜层的图案化精度、边缘清晰度、尺寸一致性、绝缘隔离性要求较高。我们的磁控溅射钛-铂-金金属化工艺完美适配微米级微电极阵列图案化需求，可配合光刻、刻蚀工艺，在氧化锆表面制备精度±1μm、边缘锐利无毛刺、尺寸一致性≤1%、绝缘隔离可靠的高密度金属化图案，适配16通道、32通道、64通道、128通道等各类高密度微电极阵列设计。图案化优势：一是高分辨率沉积，磁控溅射膜层均匀性好、覆盖率高，可完美贴合光刻胶图案，刻蚀后边缘垂直、无侧蚀、无毛刺；二是膜层与光刻胶兼容性好，三层金属膜层均可与正/负性光刻胶稳定结合，剥离后无残胶、无膜层损伤；三是绝缘隔离可靠，金属化图案间隙（≥5μm）绝缘性能优异，漏电流＜1nA，有效避免电极间串扰与短路。我们已成功为客户制备32通道、50μm间距、20μm电极直径的氧化锆微电极阵列，金属化图案精度、边缘清晰度、绝缘隔离性能均达到国际先进水平，助力国产高密度脑机接口微电极阵列技术突破与产业化。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂适配航天领域陶瓷构件处理。氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层拉伸测试
氧化锆陶瓷磁控溅射铂适配精密陶瓷部件表面处理。氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层拉伸测试
氧化锆溅射钛铂金技术，是当下非金属表面处理领域的突破，融合氧化锆的耐腐特性与钛铂金的稳定性能，为各类材质表面升级提供全新解决方案，适配多行业场景，助力产品品质迭代升级。不同于传统电镀、喷涂工艺，氧化锆溅射钛铂金技术采用金属气相沉积原理，通过高能溅射将氧化锆、钛、铂金三种材质精细附着于基材表面，无化学废液产生，绿色环保且符合当代产业环保合规要求。该技术打造的涂层厚度均匀可控，可根据不同行业需求，精细调节涂层厚度在μm之间，既保证表面质感，又不会影响基材本身的结构强度，适配精密零部件、饰品等多种产品。氧化锆溅射钛铂金涂层具备耐腐蚀性，可抵御酸碱、盐雾、高温等恶劣环境侵蚀，有效解决传统涂层易脱落、易氧化、耐候性差的痛点，大幅延长产品使用寿命。依托钛铂金的优异导电性与氧化锆的绝缘性，该技术可实现“导电+耐腐”双重特性，广泛应用于电子元器件、新能源电池极片、精密仪器等对导电性能与耐腐性有双重要求的领域。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层拉伸测试
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