我们拥有一支由材料学、真空技术、医疗工程、脑机接口应用等领域组成的专业研发团队，成员均具备10年以上薄膜沉积、陶瓷金属化、医疗器件材料研发经验，深耕钛-铂-金膜系优化、磁控溅射工艺创新、脑机接口应用适配三大方向，持续技术创新。研发团队聚焦脑机接口植入器件痛点（附着力弱、阻抗漂移、炎症反应、长期稳定性差），自主研发梯度应力匹配膜系、低温高附着沉积、生物相容表面优化三大**技术，累计申请国家发明专利25项，其中8项专利技术达到国际高水平，填补国内多项技术空白。材料配方创新：突破传统均匀膜系局限，研发钛-铂-金梯度成分膜系，进一步提升界面附着力与应力缓冲能力，附着力提升至10N/mm以上。工艺创新：开发低温等离子体活化预处理+磁控溅射致密沉积技术，沉积温度降至120℃，完全避免氧化锆基板热损伤，膜层致密性提升至。应用方案创新：针对侵入式、半侵入式、非侵入式脑机接口不同应用场景，定制**膜厚、图案化、表面结构方案，助力客户解决实际应用中的金属化难题。产学研合作：与国内多所高校、科研院所建立产学研合作机制，共享技术资源、联合攻关技术。 公司磁控溅射技术适配氧化锆陶瓷表面镀铂需求。氧化锆陶瓷磁控溅射铂高功率脉冲溅射工艺优化
在能源催化领域，氧化锆溅射钛铂金技术凭借铂金的高催化活性、氧化锆的载体稳定性及钛层的界面优化性能，成为燃料电池、电解水、化工催化等场景的技术，助力能源高效转化与绿色发展。燃料电池（如质子交换膜燃料电池）的部件电催化电极，需具备高催化活性、高导电性、高稳定性，传统碳载铂金催化剂易团聚、腐蚀、流失，导致电池性能衰减。采用氧化锆基底溅射钛铂金薄膜，氧化锆作为稳定载体，具有高比表面积、耐腐蚀性，可分散铂金纳米颗粒，避免团聚；钛层增强铂金与载体的附着力，防止催化剂流失；铂金层提供高效催化活性，加速氢氧氧化还原反应，提升燃料电池发电效率与使用寿命，降低铂用量，控制成本。电解水制氢领域，钛铂金薄膜电极具有低析氢过电位、高催化活性、耐酸碱腐蚀性能，在强碱性电解液中长期稳定工作，提升电解水制氢效率，降低能耗，助力绿氢产业发展。化工催化领域，氧化锆负载钛铂金复合催化剂，可用于CO₂加氢转化、有机合成等反应，具有高催化选择性、稳定性，减少副产物生成，提升原料利用率，契合化工行业绿色、高效的转型需求。 磁控溅射铂氧化锆陶瓷军机配件氧化锆陶瓷溅射铂优化陶瓷部件表面功能特性。
氧化锆溅射钛铂金技术以磁控溅射工艺，依托高能粒子动量传递原理，在氧化锆基底表面实现钛、铂、金薄膜的精细沉积，是金属气相沉积技术的应用。工艺流程为：将氧化锆基底置于高真空腔室（压力10⁻³~10⁻¹mbar），通入高纯氩气（Ar）作为工作气体，在电场与磁场协同作用下，氩气电离形成Ar⁺离子流。高能Ar⁺离子在电场加速下高速轰击钛、铂、金靶材，通过物理动量传递，将靶材原子溅射出来，形成高能原子流（动能1-10eV）。这些高能原子沉积到氧化锆基底表面，通过原子间相互作用形成致密、均匀的薄膜；如需制备氧化锆薄膜，则通入氧气（O₂）进行反应溅射控制氧分压可获得化学计量比精细的ZrO₂薄膜。钛层作为过渡层，增强铂金层与氧化锆的附着力，防止薄膜剥落；铂金层提供催化、导电、耐腐蚀性能；金层优化生物相容性与光学性能，三层结构协同实现功能比较大化。
脑机接口植入电极长期浸泡在高盐、高湿、复杂电解质的生理环境中，面临氯离子腐蚀、氧化腐蚀、电化学腐蚀、细菌腐蚀多重腐蚀风险，抗腐蚀性能不足会导致膜层锈蚀、剥落、阻抗漂移、信号失效。我们的钛-铂-金金属化膜系具备抗腐蚀性能，三层膜层均为电化学惰性、化学稳定性极强的贵金属与过渡金属，搭配致密无缺陷结构，可耐受脑脊液、血液、组织液等复杂生理环境长期腐蚀，无锈蚀、无氧化、无剥落、无离子析出，抗腐蚀等级达到医疗植入级别。底层钛膜：经活化处理形成致密氧化钛钝化层，耐氯离子腐蚀、耐氧化，有效阻挡腐蚀介质渗透。中间铂膜：化学惰性极强，在生理电解液中不发生任何腐蚀反应，耐电化学腐蚀、耐细菌腐蚀，电荷存储容量稳定。顶层金膜：化学稳定性比较好，抗氧化、耐腐蚀、不溶解、无离子析出，彻底杜绝重金属中毒风险，同时抑制细菌附着与生物膜形成，减少腐蚀诱因。抗腐蚀测试数据显示，我们的金属化电极在模拟脑脊液（37℃，）中浸泡1年，表面无锈蚀、无腐蚀坑、无膜层剥落，电化学性能无变化；浸泡5年，性能衰减率＜10%，远低于普通金属电极（1年腐蚀失效），完全满足脑机接口终身植入的抗腐蚀需求。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂镀层厚度可按需调整控制。
脑机接口植入器件尺寸微小（毫米至微米级），内部结构精密，膜层颗粒脱落会导致三大严重风险：一是颗粒进入脑组织，引发神经损伤、炎症反应、胶质瘢痕增生；二是颗粒附着在电极表面，导致电极短路、阻抗异常、信号失真；三是颗粒污染封装腔体，影响器件气密性与长期稳定性。我们的磁控溅射钛-铂-金金属化工艺实现无颗粒脱落，全程高真空沉积、低温成膜、致密结构，三层膜层均为无疏松、无粉末、无碎屑的整体致密薄膜，在植入手术、机械振动、生理环境长期作用下无任何颗粒脱落，洁净度达医疗级（ISO14644-1Class7）。区别于电镀、化学镀工艺（膜层疏松多孔、易掉粉），磁控溅射膜层原子结合紧密、结构连续，无颗粒脱落风险。我们通过颗粒脱落测试、超声清洗测试、振动测试三重严苛验证，在模拟植入全流程的机械应力与环境条件下，膜层表面无任何颗粒、碎屑、粉末脱落，彻底杜绝颗粒污染导致的神经损伤、器件短路与性能失效风险。无颗粒脱落特性，为脑机接口植入器件提供超高洁净度保障，确保植入安全、器件稳定、信号纯净，满足医疗植入器件对洁净度的高要求。 氧化锆陶瓷溅射铂满足电子通讯陶瓷器件加工需求。磁控溅射铂氧化锆陶瓷军机配件
微型焊接工艺配套氧化锆陶瓷溅射铂后组装加工。氧化锆陶瓷磁控溅射铂高功率脉冲溅射工艺优化
脑机接口植入电极直接接触脑组织与脑脊液，生物相容性、表面导电性、界面稳定性直接决定植入后炎症反应程度、神经整合效果与长期信号稳定性。我们在钛-铂-金膜系中设计50-100nm高纯金顶层（Au），作为直接接触神经组织的功能终端界面，提供行业前列的生物相容性、导电性与表面稳定性。金具备比较好生物相容性、无细胞毒性、无免疫原性、无炎症反应，植入后可减少胶质瘢痕增生，促进神经元与电极界面整合，长期植入（＞1年）仍能保持稳定信号采集能力。同时，金的导电性较好、接触阻抗极低，表面光滑致密（Ra＜20nm），可有效降低电极与神经组织的界面阻抗，提升信号采集灵敏度与空间分辨率。金顶层采用磁控溅射超平整沉积，无毛刺、无凸起、无颗粒污染，完全避免表面粗糙导致的神经损伤与电位漂移风险；金的化学稳定性极强，在生理环境中不氧化、不腐蚀、不溶解，无金属离子析出，彻底杜绝重金属中毒与组织损伤风险。顶层金膜可根据需求定制纳米级粗糙结构或光滑表面，适配不同神经信号采集与刺激需求，为脑机接口植入器件提供安全、稳定、高效的神经界面解决方案。 氧化锆陶瓷磁控溅射铂高功率脉冲溅射工艺优化
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