电子束曝光中的新型抗蚀剂如金属氧化物（氧化铪）正面临性能挑战。其高刻蚀选择比（硅:100:1）但灵敏度为10mC/cm²。研究通过铈掺杂和预曝光烘烤（180°C/2min）提升氧化铪胶灵敏度至1mC/cm²，图形陡直度达89°±1。在5纳米节点FinFET栅极制作中，电子束曝光应用这类抗蚀剂减少刻蚀工序，平衡灵敏度和精度需求。操作电子束曝光时，基底导电处理是关键步骤：绝缘样品需旋涂50nm导电聚合物（如ESPACER300Z）以防电荷累积。热漂移控制通过±0.1℃恒温系统和低温样品台实现。大尺寸拼接采用激光定位反馈策略，如100μm区域分9次曝光（重叠10μm），将套刻误差从120nm降至35nm。优化参数包括剂量分区和扫描顺序设置。电子束曝光支持量子材料的高精度电极制备和原子级结构控制。山西电子束曝光加工平台
电子束曝光解决固态电池固固界面瓶颈，通过三维离子通道网络增大电极接触面积。梯度孔道结构引导锂离子均匀沉积，消除枝晶生长隐患。自愈合电解质层修复循环裂缝，实现1000次充放电容量保持率＞95%。在电动飞机动力系统中，能量密度达450Wh/kg，支持2000km不间断飞行。电子束曝光赋能飞行器智能隐身，基于可编程超表面实现全向雷达波调控。动态可调谐振单元实现GHz-KHz频段自适应隐身，雷达散射截面缩减千万倍。机器学习算法在线优化相位分布，在六代战机测试中突防成功率提升83%。柔性基底集成技术使蒙皮厚度0.3mm，保持气动外形完整。上海AR/VR电子束曝光加工平台电子束曝光支持深空探测系统在极端环境下的高效光能转换方案。
围绕电子束曝光的套刻精度控制，科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中，各层图形的对准精度直接影响器件性能，团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法，将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的表征设备，可精确测量不同层间图形的相对位移，为套刻参数的优化提供量化依据。在第三代半导体功率器件的研发中，该技术确保了源漏电极与沟道区域的精细对准，有效降低了器件的接触电阻，相关工艺参数已纳入中试生产规范。
研究所利用人才团队的技术优势，在电子束曝光的反演光刻技术上取得进展。反演光刻通过计算机模拟优化曝光图形，可补偿工艺过程中的图形畸变，科研人员针对氮化物半导体的刻蚀特性，建立了曝光图形与刻蚀结果的关联模型。借助全链条科研平台的计算资源，团队对复杂三维结构的曝光图形进行模拟优化，在微纳传感器的腔室结构制备中，使实际图形与设计值的偏差缩小了一定比例。这种基于模型的工艺优化方法，为提高电子束曝光的图形保真度提供了新思路。电子束刻合解决植入式神经界面的柔性-刚性异质集成难题。
广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备，在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统，具备纳米级分辨率，可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半导体材料的特性，研究电子束能量与曝光剂量对图形转移精度的影响，通过调整加速电压与束流参数，在 2-6 英寸晶圆上实现了亚微米级图形的稳定制备。借助设备总值逾亿元的科研平台，团队能够对曝光后的图形进行精细表征，为工艺优化提供数据支撑，目前已在深紫外发光二极管的电极图形制备中积累了多项实用技术参数。电子束刻蚀推动磁存储器实现高密度低功耗集成。黑龙江AR/VR电子束曝光技术
电子束曝光推动仿生视觉芯片的神经形态感光结构精密制造。山西电子束曝光加工平台
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异，团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求，测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能，筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀剂类型。通过优化抗蚀剂的涂胶厚度与前烘温度，减少了曝光过程中的气泡缺陷，提升了图形的完整性。在中试规模的实验中，这些抗蚀剂处理工艺使 6 英寸晶圆的图形合格率得到一定提升，为电子束曝光技术的稳定应用奠定了基础。山西电子束曝光加工平台
