湖州PD 快充MOSFET选型参数

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MOSFET应用场景电池管理

锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用**的IC控制MOSFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protection Circuit Module （PCM），而对于动力电池的电池管理系统，则称为Battery Management System （BMS）。

在电池充放电保护板PCM中，充、放电分别使用一颗功率MOSFET，背靠背的串联起来。功率MOSFET管背靠背的串联的方式有二种：一种是二颗功率MOSFET的漏极连接在一起；另一种是二颗功率MOSFET的源极连接在一起。功率MOSFET管放置的位置也有二种方式：一种是二颗功率MOSFET放在电池的负端，也就是所谓的“地端”、低端（Low Side）；另一种是二颗功率MOSFET放在电池的正端，**（High Side）。功率MOSFET背靠背连接的不同方式、以及放在不同的位置，都有各自的优缺点，对应着系统的不同要求.

商甲半导体提供无刷直流电机应用MOSFET选型。湖州PD 快充MOSFET选型参数

无锡商甲半导体

封装选用主要结合系统的结构设计，热设计，单板加工工艺及可靠性考虑，选择具有合适封装形式及热阻的封装。常见功率MOSFET封装为DPAK、D2PAK、PowerPAK 5X6、PowerPAK 3X3、DirectFET、TO220、TO247，小信号MOSFET对应的SOT23，SOT323等，后继引进中主要考虑PowerPAK 8X8，PowerPAK SO8 5X6 Dual，PowerPAK 5X6 dual cool，SO8封装器件在行业属退出期器件，选型时禁选，DPAK封装器件在行业属饱和期器件，选型时限选；插件封装在能源场景应用中推荐，比如TO220，TO247。 湖州PD 快充MOSFET选型参数专注mosfet行业20年,库存充足,700+型号,1个团队专注1个行业,为您提供1站式服务.找mosfet,选无锡商甲半导体.

Trench MOSFET（沟槽型MOSFET）是一种特别设计的功率MOSFET

结构优势与劣势

优势：

低导通电阻（Rds(on)）：垂直电流路径消除了平面MOSFET中的JFET电阻，单元密度提升（可达平面结构的2-3倍），***降低Rd。

劣势：

工艺复杂度高：深槽刻蚀和栅氧化层均匀性控制难度大，易导致栅氧局部击穿（如沟槽底部电场集中）。

耐压限制：传统Trench结构在高压（>200V）下漂移区电阻占比陡增。

可靠性挑战：沟槽底部的电场尖峰可能引发热载流子注入（HCI）退化。多晶硅栅极与硅衬底的热膨胀系数差异，高温循环下易产生机械应力裂纹。

结构优势

电场优化与高耐压：

屏蔽栅的电场屏蔽作用：屏蔽栅将漏极的高电场从控制栅下方转移至沟槽侧壁，避免栅氧化层因电场集中而击穿。

横向电场均匀化：通过电荷平衡技术（类似超结原理），漂移区的电场分布从传统结构的“三角形”变为“矩形”，***提升击穿电压（BV）。

BV提升实例：在相同外延层参数下，SGT的BV比传统沟槽MOS提高15%-25%（例如原设计100V的器件可达120V）。

低导通电阻（Rds(on)）：

垂直电流路径：消除平面MOS中的JFET效应，漂移区电阻（Rdrift）降低40%-60%。

短沟道设计：分栅结构允许更短的沟道长度（可至0.1μm以下），沟道电阻（Rch）降低30%-50%。 商甲半导体提供充电桩应用MOSFET选型。

区别与应用

区别

结构：平面工艺MOS为二维结构，Trench工艺为三维结构。

性能：Trench工艺提供更好的性能和效率。

成本：平面工艺成本较低，Trench工艺成本较高。

应用

平面工艺MOS适合低功耗、低频应用，如手机、智能设备。

Trench工艺适合高功率、高频应用，如高性能计算机、通信设备等。

Trench工艺和平面工艺MOS在集成电路制造中各有优势和应用领域。选择何种工艺取决于需求和应用场景，平面工艺适用于简单低功耗应用，而Trench工艺则适用于高性能高功率领域。 MOSFET结构上的多样性，为工程师们在电路设计时提供了丰富的选择空间。湖州PD 快充MOSFET选型参数

商甲半导体：打破单一市场空间限制，多产品线精细化布局是国产功率半导体公司长线规划。湖州PD 快充MOSFET选型参数

  无锡商甲半导体有限公司有SGT MOSFET、Trench MOSFET等产品。

   SGT MOSFET：一种创新的沟槽式功率MOSFET，具备更低的导通电阻，性能更加稳定

  SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。

  这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等***特点。屏蔽栅在漂移区中的作用相当于体内场板，使得SGT-MOSFET在导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面具有***优势，有效地提高了系统的能源利用效率。 湖州PD 快充MOSFET选型参数

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发Trench MOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场 ，并获评2024年度科技型中小企业。

无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；