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MOS管，现代电子的"隐形基石"

在开关电源的电路板上，MOS管可能是不起眼的元件之一——它们通常被焊在散热片上，外观和普通三极管没什么区别。但正是这些"小个子"，支撑着现代电子设备的高效运行：从手机快充的"充电5分钟，通话2小时"，到电动汽车的"百公里加速4秒"，再到工业机器人电机的准确控制，MOS管用其独特的物理特性，成为了电子系统中不可或缺的"开关担当"。

商甲半导体利用技术优势，以国内新技术代Trench/SGT产品作为一代产品；产品在FOM性能方面占据优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力。 商甲半导体 SJ MOSFET，低阻高效，降低系统功耗，提升转换效率。安徽500至1200V FRDMOSFET供应商联系方式

MOS管在电源设计中的关键参数解析

在追求尺寸小、成本低的电源设计过程中，低导通阻抗显得尤为重要。由于每个电源可能需多个ORing MOS管并行工作，设计人员常需并联MOS管以有效降低RDS（ON）。值得注意的是，在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗。因此，具有低RDS（ON）值和大额定电流的MOS管，有助于设计人员减少电源中所需的MOS管数量。

除了 RDS（ON）之外，MOS管的选择过程中还有几个关键参数对电源设计人员至关重要。数据手册中的 安全工作区（SOA）曲线是一个重要的参考，它描绘了漏极电流与漏源电压之间的关系，从而界定了MOSFET能够安全工作的电流和电压范围。在ORing FET应用中，特别需要关注的是FET在“完全导通状态”下的电流传送能力。此外，设计热插拔功能时，SOA曲线将发挥更为关键的作用。

额定电流也是一个不容忽视的热参数。由于MOS管在服务器应用中始终处于导通状态，因此容易发热。结温的升高会导致RDS（ON）的增加，进而影响电源的性能。为了确保稳定的性能，设计人员需要关注MOS管的数据手册中提供的热阻抗参数，包括结到管壳的热阻抗（RθJC）以及从裸片表面到周围环境的热阻抗（RθJA）。 安徽500至1200V FRDMOSFET供应商联系方式可靠性高，满足极端条件应用需求，保障电池安全稳定运行。

无锡商甲半导体有限公司是一家以市场为导向、技术为驱动、采用fabless模式的功率半导体设计公司，专注于TrenchMOSFET、分离栅MOSFET、超级结MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发、设计以及销售；团队均拥有15年以上功率芯片从业经验，具有丰富的12寸产品研发经验；

产品广泛应用于消费电子、马达驱动、BMS、UPS、光伏新能源、充电桩等领域。在面对日益增长的电力需求和对电子设备可靠性的苛刻要求时，如何制造出高效、稳定的半导体器件成了一个亘古不变的话题。无锡商甲恰恰是为了解决这一崭新的挑战而诞生的。特别是在消费电子和清洁能源等领域，对这类功率器件的需求正以每年20%至30%的速度增长，这意味着该技术的潜力巨大。

MOSFET的关键参数匹配

1.导通阻抗：

导通电阻（RDS(on)）直接影响导通损耗和效率。大电流应用应优先选用低RDS(on)器件以减少发热、提升能效。但需注意，低阻抗器件成本通常较高，需权衡性能与成本。

2.栅极电荷特性：

栅极电荷总量（Qg）决定了开关速度及驱动功率需求。高频开关场合，低Qg有助于降低开关损耗、加快开关速度，但同时对驱动电路的设计要求更高，需按具体应用需求选择。

3.封装形式选择：

封装类型（如TO-220,TO-247,SOT-23,SO-8等）明显影响散热效能和安装方式。大功率应用应推荐散热性能好的封装（如TO-247），并匹配散热器；空间受限的小型化电路则适用紧凑型封装（如SOT-23,SO-8）。 利用技术优势，以国内新技术代Trench、SGT产品作为首代产品；

功率半导体的技术门槛在于对应用场景的深度理解。

比如服务器电源需要高频、大电流的芯片，但电流大了频率就容易上不去。我们通过改进SGT（屏蔽栅沟槽）及超结产品工艺，把高频性能优化到接近氮化镓的水平，成本却只有三分之一。”这款芯片已通过几家头部服务器厂商的测试，计划明年量产。技术团队的“老炮儿”背景是商甲的核心竞争力。公司研发负责人曾主导过多款国产MOSFET的量产，工艺团队则来自国内头部晶圆厂。

“我们的优势是‘接地气’——客户提出需求，我们商甲半导体能快速调整设计和工艺，不用等海外大厂漫长的排期。” 开关速度快到飞起，可靠性还超高，多样场景都能 hold 住！先试后选，省心又放心。安徽500至1200V FRDMOSFET供应商联系方式

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MOSFET的主要参数

1、ID：比较大漏源电流它是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，场效应管的工作电流不应超过ID。

2、IDM：比较大脉冲漏源电流此参数会随结温度的上升而有所减额。

3、VGS：比较大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压，主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

4、V(BR)DSS：漏源击穿电压它是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的比较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。

5、RDS(on)在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的比较大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。

6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。

7、PD：最大耗散功率它是指场效应管性能不变坏时所允许的比较大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

8、Tj：比较大工作结温通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 安徽500至1200V FRDMOSFET供应商联系方式

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；