NaOH 腐蚀液 在氢氧化钠化学腐蚀时，采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，温度为 80～90℃，将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方程式为 Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑ 对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作方便等因素出发，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。 抛光分为两种：机械抛光和化学抛光，机械抛光速度慢，成本高，而且容易产生有晶体缺点的表面。现在一般采用化学-机械抛光工艺，例如铜离子抛光、铬离子抛光和二氧化硅-氢氧化钠抛光等江苏氧化硅
芯片制造。裸露的硅片到达硅片制厂，经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤，硅片上就刻蚀了一整套集成电路。 芯片测试/拣选。芯片制造完后将被送到测试与拣选区，在那里对单个芯片进行探测和电学测试，然后拣选出合格的产品，并对有缺点的产品进行标记。 装配与封装。硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节，目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。 硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度，然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面，再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开，塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包，再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。 终测。为确保芯片的功能，需要对每一个被封装的集成电路进行测试，以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。湖北氧化硅
硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（HF），硝酸（HNO3）混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾（KOH）或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是HNO3-HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。 HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理 通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。其配置为：浓度为70%的HNO3 和浓度为50%的HF 以体积比10～2:1，有关的化学反应如下： 3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。有关的化学反应如下： SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O
硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅(semiconductor-gradesilicon，SGS)，也被称为电子级硅。 制备过程大概分为三步，***步是通过加热含碳的硅石(SiO2)来生成气态的氧化硅SiO;第二步是用纯度大概98%的氧化硅，通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体(SiHCl3);第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程，用氢气还原制备出纯度为99.9999999%的半导体级硅。 对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤，通过单晶硅生长、机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节**终生产出符合条件的高质量硅片。
芯片工艺流程复杂，硅片制备是基础步骤半导体产业开始于上世纪。随着1947年固体晶体管的发明，半导体行业已经获得了长足发展，之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。 集成电路将多个元件结合在了一块芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入，芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。 芯片制造主要有五大步骤:硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑硅片制备。首先是将硅从矿物中提纯并纯化，经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。***按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。江苏氧化硅
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二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种： （1）将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，产生的沉淀在母液中静置，然后把上面的悬浮液轻轻倒出，并调节pH 值为9.5～11。其反应如下： SiCl4+4NaOH=SiO2↓+4NaCl+2H2O SiHCl3+3NaOH=SiO2↓+3NaCl+H2O +H2↑ （2）也可以利用制备多晶硅的尾气或硅外延生长时的废气生产二氧化硅微粒。反应如下： SiCl4+4H2O=H2SiO3↓+4HCl H2SiO3=SiO2+H2O （3）用工业二氧化硅粉和水以质量比为150:1000 配置，并用氢氧化钠调节pH 值为9.5～11。抛光液的pH 值为9.5～11 范围内，pH 值过低，抛光很慢，PH 值过高产生较强的腐蚀作用，硅片表面出现腐蚀坑。江苏氧化硅
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