半导体五大特性∶电阻率特性,导电特性,光电特性,负的电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。共价键结构:相邻的两个原子的一对**外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核... 【查看详情】
1985年,***块64K DRAM 在无锡国营724厂试制成功。1988年,上无十四厂建成了我国***条4英寸线。1989年,机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会,提出振兴集成电路的发展战略;724厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。 1990-2000年 重点建设期1990年,***决定实... 【查看详情】
测量仪器是将被测量转换成可供直接观察的指示值仪器,包括各类指示仪器,比较仪器,记录仪器,传感仪器和变送器等。直接测量在测量过程中,能够直接将被测量与同类标准量进行比较,或能够直接用事先刻度好的测量仪器对被测量进行测量,直接获得数值的测量称为直接测量。间接测量当被测量由于某种原因不能直接测量时可以通过直接测量与被测量有一定函数关系的物理量,... 【查看详情】
行业基本情况电子测量仪器简介电子检测的本质是对电参数的测量,是科学发展和生产现代化进程中不可或缺的环节。电子测量仪器主要用于器件、材料和设备的电学参数测量,以电量、非电量、光量的形式,测量被测对象的各项参数或控制系统的运行。 现代工业大生产中,用在测量上的工时和费用约占整个生产所用的20%~30%... 【查看详情】
1906年美国人德福雷斯特发明真空三极管,用来放大电话的声音电流。此后,人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件,用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。1947年,点接触型锗晶体管的诞生,在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是,这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时,结型晶... 【查看详情】
照准部水准轴应垂直于竖轴的检验和校正检验时先将仪器大致整平,转动照准部使其水准管与任意两个脚螺旋的连线平行,调整脚螺旋使气泡居中,然后将照准部旋转180度,若气泡仍然居中则说明条件满足,否则应进行校正。校正的目的是使水准管轴垂直于竖轴.即用校正针拨动水准管一端的校正螺钉,使气泡向正中间位置退回一半.为使竖轴竖直,再用脚螺旋使气泡居中即可.... 【查看详情】
展望未来,无锡微原电子科技有限公司将继续坚持以技术创新为**,加大研发投入,推动产品和服务的升级换代。公司计划在未来几年内,重点发展以下几个方向: 一是持续优化现有产品线,提高产品的竞争力。通过对材料、设计、工艺等方面的深入研究,提升产品的性能和可靠性,满足市场对***半导体器件的需求。 二是拓展新的... 【查看详情】
集成电路技术的进步,主要是更小的特征和更大的芯片,使得集成电路中晶体管的数量每两年翻一番,这种趋势被称为摩尔定律。这种增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般来说,随着特征尺寸的缩小,集成电路操作的几乎每个方面都得到改善。每个晶体管的成本和每个晶体管的开关功耗下降,而存储容量和速度上升,这是通过丹纳德标度定义的关系实现的。 因为速度... 【查看详情】
晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快... 【查看详情】
带有“视距丝”的光学速测仪,由于其快速、简易,而在短距离(100米以内)、低精度 (1/200(1/500)的测量中,如碎部点测定中,有其优势,得到了广泛的应用。随着电子测距技术的出现,**地推动了速测仪的发展。用电磁波测距仪代替光学视距经纬仪,使得测程更大、测量时间更短、精度更高。人们将距离由电磁波测距仪测定的速测仪笼统地称之为“电... 【查看详情】
微电子技术和计算机技术的迅速发展,给传统的测绘技术和测绘仪器带来了很大的冲击,使测绘仪器的发展产生了**性的变化,电子经纬仪也是其中之一。 在国外电子经纬仪的研究和试制大约要追溯到六十年代末和七十年代初,美国K&E公司试制了***台数字经纬仪,其后又有一些经纬仪生产厂家也试制出电子经纬仪样机。但是,由于当时技术条件等原因... 【查看详情】