测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下:型号1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007电流(A)均为1。稳压二极管稳压... 【查看详情】
电感 电感在电路中常用“L”加数字表示,如:L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越... 【查看详情】
该过程使用了对紫外光敏感的化学物质,即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂,使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上***份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。掺加杂质将晶圆... 【查看详情】
应注意,有些型号的全站仪在距离测量时不能设定仪器高和棱镜高,显示的高差值是全站仪横轴中心与棱镜中心的高差。3)坐标测量(1)设定测站点的三维坐标。(2)设定后视点的坐标或设定后视方向的水平度盘读数为其方位角。当设定后视点的坐标时,全站仪会自动计算后视方向的方位角,并设定后视方向的水平度盘读数为其方位角。(3)设置棱镜常数。(4)设置大气改... 【查看详情】
将纯半导体单晶熔化成半导体,并缓慢挤压生长成棒状。回归型它是从含有少量施主杂质和受主杂质的溶液中挤出来的,如果挤出速度快,则生长出P型半导体,如果慢则生长出N型半导体。因为基极区较厚,高频特性较差。戈隆扩散当在挤压过程中添加到溶解半导体中的杂质发生变化时,根据晶体的位置,P型或N型半导体会生长。通过这种方法,可以生产二极管的PN和用于... 【查看详情】
非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体,属于半导电性的一类材料。非晶半导体和其他非晶材料一样,都是短程有序、长程无序结构。它主要是通过改变原子相对位置,改变原有的周期性排列,形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难,随着技术的发明,非晶态半导体开始使用。这一制作工序简单,主... 【查看详情】
直读法用直接指出被测量大小的指示仪表进行测量,能够直接从仪表刻度盘商或从显示器上读取被测量数值的测量方法,称为直读法。比较法将被测量与标准量在比较仪器中直接比较,从而获得被测量数值的方法,称为比较法。 时域测量时域测量也叫作瞬时测量,主要是测量被测量随时间的变化规律。如用示波器观察脉冲信号的上升沿、下降沿、平顶降落等脉冲参数以及... 【查看详情】
发展历史 1965-1978年 创业期1965年,***批国内研制的晶体管和数字电路在河北半导体研究所鉴定成功。1968年,上海无线电十四厂**制成PMOS(P型金属-氧化物-半导体)集成电路。 1970年,北京878厂、上海无线电十九厂建成投产。 [17]1972年,**块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所制。... 【查看详情】