新闻中心_无锡商甲半导体供应

新闻中心

首页 > 新闻中心

02 2025-05

电源SGTMOSFET施工测量

SGTMOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是在传统沟槽MOSFET基础上发展而来的新型功率器件，其关键技术在于深沟槽结构与屏蔽栅极设计的结合。通过在硅片表面蚀刻深度达3-5倍于传统沟槽的垂直沟槽，并...
查看详情 >
01 2025-05

广东60VSGTMOSFET金属

从市场竞争的角度看，随着 SGT MOSFET 技术的成熟，越来越多的半导体厂商开始布局该领域。各厂商通过不断优化工艺、降低成本、提升性能来争夺市场份额。这促使 SGT MOSFET 产品性能不断提升...
查看详情 >
01 2025-05

广东60VSGTMOSFET厂家价格

优异的反向恢复特性（Q<sub>rr</sub>）传统MOSFET的体二极管在反向恢复时会产生较大的Q<sub>rr</sub>，导致开关损耗和电压尖峰。而SGTMOSFET通过优化结构和...
查看详情 >
01 2025-05

浙江80VSGTMOSFET定制价格

在工业电机驱动领域，SGT MOSFET 面临着复杂的工况。电机启动时会产生较大的浪涌电流，SGT MOSFET 凭借其良好的雪崩击穿耐受性和对浪涌电流的承受能力，可确保电机平稳启动。在电机运行过程中...
查看详情 >
01 2025-05

广东80VSGTMOSFET厂家现货

制造工艺与材料创新 SGT MOSFET的制造涉及高精度刻蚀、多晶硅填充和介质层沉积等关键工艺。沟槽结构的形成需通过深反应离子刻蚀（DRIE）实现高宽深比，而屏蔽电极通常采用掺杂多晶硅或金属...
查看详情 >
30 2025-04

广东PDFN5060SGTMOSFET设计标准

SGT MOSFET 的基本结构与工作原理 SGT（Shielded Gate Trench）MOSFET 是一种先进的功率半导体器件，其**结构采用沟槽栅（Trench Gate）设计，并...
查看详情 >
30 2025-04

江苏40VSGTMOSFET代理品牌

多沟槽协同设计与元胞优化为实现更高功率密度，SGTMOSFET采用多沟槽协同设计：1场板沟槽，通过引入与漏极相连的场板，平衡体内电场分布，抑制动态导通电阻（RDS(on)）的电流崩塌效应；...
查看详情 >
30 2025-04

SOT-23SGTMOSFET哪家好

在工业领域，SGT MOSFET主要用于高效电源管理和电机控制：工业电源（如服务器电源、通信设备）：SGT MOSFET的高频特性使其适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等，提高能源利用效...
查看详情 >
29 2025-04

安徽30VSGTMOSFET厂家现货

SGT MOSFET 的击穿电压性能是其关键指标之一。在相同外延材料掺杂浓度下，通过优化电荷耦合结构，其击穿电压比传统沟槽 MOSFET 有明显提升。例如在 100V 的应用场景中，SGT MOSFE...
查看详情 >
29 2025-04

PDFN5060SGTMOSFET销售公司

多沟槽协同设计与元胞优化为实现更高功率密度，SGTMOSFET采用多沟槽协同设计：1场板沟槽，通过引入与漏极相连的场板，平衡体内电场分布，抑制动态导通电阻（RDS(on)）的电流崩塌效应；...
查看详情 >
29 2025-04

广东PDFN5060SGTMOSFET答疑解惑

制造工艺与材料创新 SGT MOSFET的制造涉及高精度刻蚀、多晶硅填充和介质层沉积等关键工艺。沟槽结构的形成需通过深反应离子刻蚀（DRIE）实现高宽深比，而屏蔽电极通常采用掺杂多晶硅或金属...
查看详情 >
28 2025-04

广东TOLLSGTMOSFET参考价格

在数据中心的电源系统中，为满足大量服务器的供电需求，需要高效、稳定的电源转换设备。SGT MOSFET 可用于数据中心的 AC/DC 电源模块，其低导通电阻与低开关损耗特性，能大幅降低电源模块的能耗，...
查看详情 >

‹ 1 2 3

新闻中心

电源SGTMOSFET施工测量

广东60VSGTMOSFET金属

广东60VSGTMOSFET厂家价格

浙江80VSGTMOSFET定制价格

广东80VSGTMOSFET厂家现货

广东PDFN5060SGTMOSFET设计标准

江苏40VSGTMOSFET代理品牌

SOT-23SGTMOSFET哪家好

安徽30VSGTMOSFET厂家现货

PDFN5060SGTMOSFET销售公司

广东PDFN5060SGTMOSFET答疑解惑

广东TOLLSGTMOSFET参考价格

推荐产品

企业商机