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不同的电动汽车系统对TrenchMOSFET的需求存在差异,需根据具体应用场景选择适配器件。在车载充电系统中,除了低导通电阻和高开关速度外,还要注重器件的功率因数校正能力,以满足电网兼容性要求。对于电...
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无锡商甲半导体 MOSFET 满足 BLDC 的各项需求。低导通电阻和低栅极电荷降低能量损耗,发热少,温升控制良好,让电机运行更稳定。***的抗雪崩能力能承受感性负载的能量冲击,应对运行中的能量变化。...
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TrenchMOSFET制造:沟槽刻蚀流程沟槽刻蚀是塑造TrenchMOSFET独特结构的关键步骤。光刻工序中,利用光刻版将精确设计的沟槽图案转移至衬底表面光刻胶上,光刻分辨率要求达0.2-0.3μm...
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功率器件常见类型: 功率二极管:**简单的功率器件,单向导通(通常承受高反压)。 功率 MOSFET:通过电压控制的高速开关管,在中低压、中高频应用中效率高。 绝缘栅双极晶体管:...
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MOSFET管封装概述 在完成MOS管芯片的制作后,为保护芯片并确保其稳定工作,需要为其加上一个封装外壳。这一过程即为MOS管封装,它不仅提供支撑和保护,还能有效冷却芯片,同时为电气连接和隔...
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MOSFET 作为一种可控硅器件,有着独特的结构。其基本结构为晶体管结构,由源极、漏极、控制极和屏蔽极构成,这是它实现电流与电压控制功能的基础架构。而源极结构和漏极结构作为变化结构,同样由这些基本...
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无锡商甲半导体有限公司有下列封装产品 TO-220与TO-220FTO-220与TO-220F这两种封装的MOS管在外观上相似,可以相互替代。然而,TO-220背部配备了散热片,因此其散热效...
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即是在大功率范围应用的场效应晶体管,它也称作功率MOSFET,其优点表现在以下几个方面:1. 具有较高的开关速度。2. 具有较宽的安全工作区而不会产生热点,并且具有正的电阻温度系数,因此适合进行并联使...
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功率MOSFET是70年代末开始应用的新型电力电子器件,适合于数千瓦以下的电力电子装置,能***缩小装置的体积并提高其性能,预期将逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的发展趋势是提高容量,普及应...
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单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的,能通过的电流大小也是一定的。因此,由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以,在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件,其耐压和通流的能...
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无锡商甲半导体作为国内**的 MOSFET供应商,深耕Trench MOSFET、SGT MOSFET及超级结(SJ)MOSFET领域,以自主设计能力赋能高效能半导体解决方案。我们与TOP晶圆代工厂合...
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TrenchMOSFET制造:衬底选择在TrenchMOSFET制造之初,衬底的挑选对器件性能起着决定性作用。通常,硅衬底因成熟的工艺与良好的电学特性成为优先。然而,随着技术向高压、高频方向迈进,碳化...
查看详情 >2025.09.22 广东无刷直流电机MOSFET供应商产品介绍
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