MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。可以看到，内部电极通过一层层叠起来，来增大电容两极板的面积，从而增大电容量。陶瓷介质即为内部填充介质，不同的介质做成的电容器的特性不同，有容量大的，有温度特性好的，有频率特性好的等等，这也是为什么陶瓷电容有这么多种类的原因。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展，就在9月10-12日，深圳会展中心（福田）2号馆！坚固而柔韧的陶瓷气凝胶!就在9月10-12日，华南国际先进陶瓷展！3月6-8日先进陶瓷与粉末冶金展
2月11日17点30分，我国在文昌航天发射场，运用长征八号改运载火箭（以下简称“长八改火箭”），将卫星互联网低轨02组卫星送入预定轨道，长八改火箭的首飞任务取得圆满成功。在航天航空高技术产业快速发展，技术成果接连涌现的背后，谁在助力这场大国竞赛？科学家们在对高温陶瓷材料热运输和微观结构的理论研究进程中发现，碳化硅和氮化硼陶瓷材料具有耐高温,热导率高和良好的化学稳定性等优点，正是航天市场所需的高性能材料。从“天和”空间站应用于**舱电推进系统中的霍尔推力器腔体采用的陶瓷基复合材料，到嫦娥五号着陆器钻取采样机构中采用的碳化硅颗粒增强铝基复合材料，亦或是英国航天局（AEA）用于新型航天飞行器上的连续SiCf增强陶瓷基复合材料，皆可窥见高质量的先进陶瓷材料在航空航天中的应用。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展，就在9月10-12日，深圳会展中心（福田）2号馆！先进陶瓷技术产品展真空技术：打造完美先进陶瓷的“窍门”，想更好的掌握真空技术，就来9月华南国际先进陶瓷展！
半导体晶圆芯片的制程主要涵盖三段：（前段）晶片制造，（中段）芯片制造，（后段）封装测试。（前段）晶片制造这一过程主要包括：拉单晶、磨外圆、切片、倒角、研磨抛光、清洗、检测；（中段）晶圆芯片制造主要包括：氧化、扩散等热处理、薄膜沉积（CVD,PVD）、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、研磨抛光、测试；（后段）封装测试主要涉及晶圆芯片切割、引线键合、塑封、测试等。整个半导体产业链包括IC设计、IC制造、IC封装测试几大部分。涉及的关键工艺制程和设备包括：光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械抛光、高温热处理、封装、测试等。2025华南国际先进陶瓷展将于9月10-12日在深圳会展中心（福田）2号馆盛大开幕！
新能源变革为先进陶瓷带来爆发式增长。娄底安地亚斯研发的动力电池陶瓷密封连接器，通过金属化陶瓷与钎焊技术实现IP68级密封，全球市场占有率达12%，成为比亚迪、奔驰等车企的重要供应商。陶瓷隔膜在锂电池中的应用使热失控温度提升至300℃以上，国瓷材料2024年新能源材料板块销量同比增长110.74%，其纳米氧化铝涂层技术已通过宁德时代验证。在氢燃料电池领域，碳化硅晶须增强氮化硅双极板耐腐蚀性提升3倍，抗压强度达800MPa，为下一代电堆设计提供关键支撑。2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展参观！2025年9月10-12日，深圳会展中心（福田） 2号馆，诚邀您莅临华南国际先进陶瓷展，解锁无限商机！
提到如何提高球磨机的产量，人们首先考虑的就是研磨体级配。其实，还有一个比较容易控制但常被人们忽略的工艺参数就是料球比，它对产量的影响可达5%~10%。料球比是指球磨机内物料与研磨体的质量之比。料球比实际上也就是各仓的料层厚度，它与磨内的物料流速密切相关。传统观念认为一仓应露“半球”，二仓料面与球面相等，三仓研磨体上应有10~20mm料层。 影响球磨机内料球比的三个零件：它们分别是隔仓板、扬料板与卸料锥。物料在球磨机内通过双层隔仓板的过程是：物料首先通过隔仓板篦孔进入卸料仓，被随磨机旋转的扬料板带到一定高度后在重力作用下沿扬料板面滑到卸料锥，再沿卸料锥斜面进入下一仓。上述3个零件中的任何一个的变化都会影响磨内的料球比。2025华南国际先进陶瓷展，9月10-12日，深圳福田会展中心！ 陶瓷膜：生物制药领域的“利器”，采购“陶瓷膜”，就来9月华南国际先进陶瓷展！2025年9月10日上海国际先进陶瓷高峰论坛
来2025华南粉末冶金先进陶瓷展，直接对接华为、比亚迪、大疆的采购决策者！3月6-8日先进陶瓷与粉末冶金展
在现代工业中，陶瓷材料因其独特的物理化学性质扮演着重要角色。铝基陶瓷中的氮化铝（AlN）和氧化铝（Al₂O₃）是两类备受关注的材料，但两者的市场地位却截然不同：氧化铝占据主流，而氮化铝的普及率不足30%。为何性能更优的氮化铝未能取代氧化铝？本文将深入探讨其背后的科学逻辑与产业现实。氮化铝的热导率（170-200 W/(m·K)）是氧化铝（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化铝的介电常数（8.8）低于氧化铝（9.8），且在高温（>500℃）或高湿环境下，其绝缘电阻稳定性更优。氮化铝对熔融金属（如铝、铜）的耐腐蚀性远强于氧化铝，且在强辐射环境下（如核工业），其晶体结构更不易被破坏。氮化铝的产业化之路，始于一场与物理极限的较量。其合成工艺需在1800℃以上的高温氮气环境中完成，铝粉纯度必须高于99.99%，任何细微的氧杂质（超过0.1%）都会引发AlON杂相的生成，如同在纯净的晶体中埋下“导热**”，使热导率骤降30%以上。氧化铝的制备，则是一曲工业化的成熟乐章。其原料成本低廉，工艺窗口宽泛，1500℃以下的常规烧结即可获得致密陶瓷，生产成本*为氮化铝的1/3至1/2。这种“碾压级”的成本优势，让氧化铝在工业化赛道上**。 2025华南国际先进陶瓷展诚邀您参展观展！3月6-8日先进陶瓷与粉末冶金展
