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4.聚对羟基苯乙烯及共聚物：聚对羟基苯乙烯（polyhydroxystyrene, PHS or PHOST）衍生物类体系有两大优点：（1）不会出现酸扩散现象，所以不会对光刻的分辨率、线边缘粗糙度以及灵敏度产生影响；（2）聚对羟基苯乙烯受EUV辐照后，二次电子产率比其他聚合物都要高，含有多苯环结构能够保证它在图形转移过程中具有较高抗蚀性。所以PHS及其共聚物成为主要研究材料。聚对羟基苯乙烯类光刻胶体系由基质、带有保护基团的聚对羟基苯乙烯衍生物、产酸剂（硫鎓盐等）、酸猝灭剂（三乙胺等）和溶剂（丙二醇甲醚醋酸酯等）组成。光交联型：如含聚乙烯醇月桂酸酯的负胶，曝光后形成不溶性网状结构。江苏新型光刻胶商家

2.肉桂酸酯类的光刻胶：这类光刻胶在紫外光的照射下，肉桂酸上的不饱和键会打开，产生自由基，形成交联结构。主要品种有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻胶和肉桂叉二酯光刻胶等。第一种胶是**早被用于光刻胶制备的光敏高分子化合物，对二氧化硅、铝、氧化铬等材料都有良好的附着力。耐氢氟酸、磷酸腐蚀；第二种胶在曝光下几乎不受氧的影响，无须氮气保护。分辨率1 μm左右，灵敏度较第一种胶高1倍，黏附性好，抗蚀能力强，图形清晰、线条整齐，耐热性好，显影后可在190℃坚膜0.5 h不变质。感光范围在250~475 nm，特别对436 nm十分敏感。属线型高分子聚合物，常用溶剂为**；第三种胶能溶于酮类、烷烃等溶剂，不溶于水、乙醇、**等。有较好的黏附性和感光性 [2]，分辨率也很高，感光速度快。新吴区本地光刻胶销售占光刻胶总质量的50%~60%，是光刻胶的骨架，决定其硬度、柔韧性、附着力等基本属性。

纳米压印技术纳米压印技术是通过压模来制作微纳特征的一种图形转移技术，其**明显的优势是高产能、高分辨率、低成本，主要工艺流程：模板制作、硅衬底滴胶、压印、曝光、脱模、离子刻蚀，图像精度可以达到5 nm。使用的光刻胶种类主要分为两种：1.热压印光刻胶：把光刻胶加热到玻璃化转变温度以上，将预先制作好的带有微图形特征的硬模版压入光刻胶中，待光刻胶冷却后抬起模板，从而将模板上的微特征转移到光刻胶上。光刻胶材料主要有：聚甲基丙烯酸酯体系、烯丙基酯接枝低聚物、Hybrane体系、聚二甲基硅烷体系等。

1.光敏剂与肉桂酰基的能量水准必须满足TS1≥TC1。实验发现二者取接近值时效果比较好。2.光敏剂必须比肉桂酰基在更长波长区域内具有有效的吸收。3.被吸收的能量易于向三线态进行系间窜跃（系间窜跃的量子收率大） [47]。正性光刻胶在光照的情况下，高分子链主链可能发生断链或降解（聚合的逆反应）。光降解反应使高分子材料老化，机械性能变坏；从而失去使用价值，是高分子材料光老化的主要原因。当然光降解现象的存在也使废弃聚合物被消化，对环境保护具有有利的一面。光刻胶的主要用途是在光刻过程中，通过曝光和显影步骤，将设计好的电路图案转移到硅片或其他基材上。

1890年。德国人格林（Green）和格罗斯（Gross）等人将重氮化的混合物制成感光材料。取得了***个重氮感光材料的**。不久，德国的卡勒（Kalle）公司推出了重氮印相纸，从而使重氮感光材料商品化，并逐渐代替了铁印相技术。1921年，美国人毕勃（M. C. Beeb）等人将碘仿与芳香胺混合在一起，用紫外光照射得到染料像，称它为自由基成像体系。 [10]1925年，美国柯达（Eastman-Kodak）公司发现了聚乙烯醇和肉桂酸酯在紫外光下有很强的交联反应并且感光度很高，随后用于光学玻璃的光栅蚀刻，成为光刻胶的先驱。 [1]刻蚀：利用留下的光刻胶图案作为掩膜，对硅片进行刻蚀或其他处理，形成所需的电路结构。锡山区新型光刻胶销售

紫外光刻胶（UV）：如g线（436nm）、i线（365nm），用于传统集成电路制造。江苏新型光刻胶商家

X射线光刻胶X射线对物质的化学作用类似电子束，X射线曝光时，X射线本身并不能直接引起光刻胶的反应，它的能量是消耗的光电子放射过程而产生低能电子束上。正是这些低能电子使光刻胶的分子离化，并激励产生化学反应，使光刻胶分子间的结合键解离，或键合成高分子，在某些显影液中变成易溶或不溶。X射线光刻胶和电子束光刻胶没有本质的区别 [40]，因此所有的电子束胶都可以与X射线光刻胶混用，一部分248 nm光学光刻胶亦可用作X射线光刻胶 [31]，X射线光刻胶的分辨率十分高，例如早期正性的光刻胶有用含氟的聚甲基丙烯酸酯 [33]，负胶有用甲基丙烯酸缩水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚体和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯 [江苏新型光刻胶商家

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