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在乙烯基的α-位置上具有甲基或其他原子团的聚合物都具有正性电子束光刻胶的性能，但性能一般不优于PMMA。典型的例子是聚α-甲基苯乙烯、聚异丁烯、聚甲基乙丙烯基酮、聚甲基丙烯酰胺（PMAA）、聚α-氰基丙烯酸乙酯（PCEA）等。其中，PMAA的灵敏度较高，在20 kV时可达到4×10-7 C/cm2，并能用水或弱碱溶液显影；PCEA的灵敏度也较高，在15 kV时可达到3×10-7 C/cm2，为了减弱溶胀和畸变，在显影时将PCEA的良溶剂（如乙酸乙酯，环乙酮等）和不良溶剂（如甲基异**）混合使用，例如以2:1的混合液作显影液 [10]。因此在选择和使用光刻胶时，需要考虑其分辨率、灵敏度、抗蚀刻性等特性。梁溪区质量光刻胶商家

双层光刻胶工艺是底层用甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸的共聚物，以乙基纤维素醋酸乙醇为显影剂；表层为PMMA，以甲基异**为显影剂。这样，经强迫显影后，虽然表层的PMMA膜层减薄了很多，但剩下的厚度对底层的抗蚀膜仍能起到保护作用，底层的抗蚀膜厚度没有损失，这种方法可达到2×10-6 C/cm2的灵敏度。其中强迫显影指使用光刻胶的良溶剂作为显影剂使用，能使显影速度加快，从而提高灵敏度，但良溶剂显影对未曝光区域也会溶解，只是比较慢，所以经强迫显影后，曝光区域的抗蚀膜可以完全去掉，未曝光区域的抗蚀膜也相应的要去掉一些，从而引起图形畸变，光刻胶膜溶胀，尺寸不易控制等问题滨湖区特殊光刻胶现货光分解型：如含重氮醌类化合物的正胶，曝光后发生光分解反应。

1954年，由柯达公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成为***个光固化性能的光刻胶 [39]，牌号KPR。先用于印刷工业，后用于电子工业。 [1]1958年，柯达公司发展出了叠氮-橡胶系的负性光刻胶 [42]，牌号为KMER和KTFR。1960年，出现邻重氮萘醌-酚醛树脂紫外正性光刻胶 [42]。1968年美国IBM公司的Haller等人发明聚甲基丙烯酸甲酯电子束光刻胶。1973年由Bell实验室和Bowden发明聚烯砜类电子束光刻胶。 [10]1976年，美国麻省理工学院的H. Smith提出X射线曝光技术 [38]。

PMMA的灵敏度在15 kV时为5×10-5 C/cm2，比较低，为了提高PMMA的灵敏度，采用了各种方法，除采用与传统光刻胶相似的方法，如增加分子量、使分子量分布高、窄，与某些单体共聚在取代基中引入氯或氟等元素、改进显影液、添加增感剂、改造为化学增幅型光刻胶以外，还采用了预聚合和双层光刻胶等方法：预聚合方法是预先在PMMA中形成一定量的交联结构，例如将聚甲基丙烯酰氯与PMMA反应，在电子束曝光之前加热使PMMA分子间形成一定量的交联结构。若将聚合体通式表示为：当结构中的R1或R2有一个或两个都是氢原子时，就会发生交联反应。在α位上的氢被脱掉而成为比较稳定的游离基，然后与另外的游离基偶合而交联反应；当R1和R2为氢原子以外的基团（如甲基、卤原子等）时，就会发生降解反应。由于次甲基游离基的不稳定而转位，发生主链的断裂而降解反应。如ArF浸没式光刻胶、EUV光刻胶等技术基本被日本和美国企业垄断（如信越化学、JSR、陶氏化学等）。

2.肉桂酸酯类的光刻胶：这类光刻胶在紫外光的照射下，肉桂酸上的不饱和键会打开，产生自由基，形成交联结构。主要品种有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻胶和肉桂叉二酯光刻胶等。第一种胶是**早被用于光刻胶制备的光敏高分子化合物，对二氧化硅、铝、氧化铬等材料都有良好的附着力。耐氢氟酸、磷酸腐蚀；第二种胶在曝光下几乎不受氧的影响，无须氮气保护。分辨率1 μm左右，灵敏度较第一种胶高1倍，黏附性好，抗蚀能力强，图形清晰、线条整齐，耐热性好，显影后可在190℃坚膜0.5 h不变质。感光范围在250~475 nm，特别对436 nm十分敏感。属线型高分子聚合物，常用溶剂为**；第三种胶能溶于酮类、烷烃等溶剂，不溶于水、乙醇、**等。有较好的黏附性和感光性 [2]，分辨率也很高，感光速度快。极紫外光刻胶（EUV）：波长13.5nm，用于7nm及以下制程。梁溪区新能源光刻胶商家

占光刻胶总质量的50%~60%，是光刻胶的骨架，决定其硬度、柔韧性、附着力等基本属性。梁溪区质量光刻胶商家

2.紫外压印光刻胶：使用透明的模板，将预先制作好的带有微图形特征的硬模版压入常温下液态光刻胶中，用紫外光将光刻胶固化后抬起模板，从而将模板上的微特征转移到光刻胶上。按照光引发反应机理，可分为自由基聚合和阳离子聚合两大体系 [42]。光刻胶材料主要有甲基丙烯酸酯体系、有机硅改性的丙烯酸或甲基丙烯酸酯体系、乙烯基醚体系、环氧树脂体系等。 [34]采取接触式方法的压印光刻技术**关键的问题是脱模，光刻胶具有良好的脱模性能才能保证纳米结构的高精度复制以及预防模板沾污 [42]。梁溪区质量光刻胶商家

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