南京新型半导体晶圆供应商

晶圆分为无图案晶圆（Bare Wafer）和图案晶圆（Patterned wafer），如图6所示。考虑两种晶圆的缺陷类型的出发点有些不同。晶圆表面的缺陷类型很多，既有可能是工艺产生也有可能材质本身的缺陷。采用不同的缺陷检测方式，可能会对缺陷进行不同的划分。综合考虑缺陷的物理属性和后面缺陷检测算法的针对性，缺陷可以简单地分为表面冗余物（颗粒，污染物等），晶体缺陷（滑移线缺陷，堆垛层错），划痕，图案缺陷（针对图案晶圆）。表面冗余物晶圆表面的冗余物种类比较多，小到几十纳米的微小颗粒，大到几百微米的灰尘，以及前一个工序留下的表面残留物。颗粒是可能引入的工序有刻蚀、抛光、清洗等。冗余物缺陷主要来自于生产加工中晶圆表面的灰尘、空气纯净度未到达标准以及加工过程中化学试剂等。这些颗粒在光刻时会遮挡光线，造成集成电路结构上的缺陷，污染物可能会附着在晶圆表面，造成图案的不完整，影响芯片的电气特性，如图7所示。 [1]晶圆的厚度和直径可以根据需求进行调整，常见的直径有200mm、300mm等。南京新型半导体晶圆供应商

Foundry模式Foundry（晶圆代工厂）是专注于为其他公司（主要是Fabless公司）提供晶圆制造服务的专业工厂，不负责芯片设计 [2] [7] [10]。**企业有台积电（TSMC）、中芯国际（SMIC）、联华电子（UMC）、华虹集团、格罗方德（GlobalFoundries）等 [2]。晶圆代工厂正从单纯的晶圆产出向“设计基础设施”拓展，转型为覆盖产品全生命周期的平台和基础设施提供商。例如，台积电推出了开放式创新平台（OIP），格芯（GlobalFoundries）收购了新思科技（Synopsys）的CPU知识产权业务 [6]。在硅光代工领域，Tower Semiconductor、GlobalFoundries、联电、台积电等企业也有布局 [1]。江阴质量半导体晶圆价格晶圆的尺寸有150mm（6英寸）、200mm、300mm（12英寸）等，直径越大，一次可生产的半导体芯片数量就越多。

尽管晶圆代工产业势头强劲，但存储器行业产值增长更为迅猛，预计2026年产值将达到晶圆代工的2倍以上。两者走势分化的原因包括：存储器产品高度标准化，市场细分程度低；晶圆代工大部分产能仍被成熟制程占据，稀释了高增长先进制程的影响；晶圆代工定价波动性相对较低；存储器产品光刻工序更少，资本支出转化为产出的效率更高 [4] [12]。8英寸晶圆产线出现“关厂式涨价”趋势。台积电、三星等巨头逐步调整或关停部分8英寸产能，聚焦12英寸产线 [8] [17]。这导致2026年全球8英寸晶圆产能预计出现缩减。中国大陆厂商如中芯国际、华虹集团等有望承接转移订单，SEMI预测到2026年中国大陆将占据全球约22%的8英寸晶圆产能份额，跃居全球*** [8] [17]。

三星2nm工艺良率已从2024年初的30%提升至2025年的50%-60%，并计划在2026年底提升全球月产能，且已获得高通、特斯拉等客户订单 [8]，其目标是在2025年实现2nm工艺的量产并在2027年量产1.4nm工艺 [15]。其位于美国得克萨斯州泰勒市的先进制程晶圆厂的大规模量产预计将延迟至2027年初。三星电子预计从2026年3月开始在泰勒厂启动半导体制造设备运行测试，为后续的正式生产打下技术基础 [20]。从晶圆代工产能结构来看，成熟制程约占整体晶圆代工产能的70%~80%，而先进制程*占约20%~30% [12]。在晶圆表面构建集成电路，关键步骤包括薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、化学机械平坦化、金属化与互连等。

为防止晶圆在旋转过程中被甩出，抛光头必须具有保持环结构。在CMP技术的发展历程中出现过两种保持环：固定保持环和浮动保持环。由于固定保持环无法避免边缘效应，目前的主流CMP装备均采用了浮动保持环，通过对浮动保持环施加不同的压力可以调节晶圆与抛光垫的接触状态，从而有效改善边缘效应。 [3]由于保持环与抛光垫紧密贴合，必须在保持环底部设计一系列沟槽以引导抛光液顺利进入晶圆/抛光垫界面。此外，为提高寿命，保持环需选择**度、耐腐蚀、耐磨损的聚苯硫醚(Polyphenylene sulfide, PPS) 或 聚 醚 醚 酮 (Polyetheretherketone, PEEK)等材料。 [3]切片：使用精密的锯片将单晶硅锭切割成薄片，即晶圆。南京新型半导体晶圆供应商

通过化学或物理方法去除不需要的材料，并在硅中引入掺杂元素，以改变其电学性质。南京新型半导体晶圆供应商

前面提到抛光头很重要的一个功能是夹持晶圆，实现晶圆在装卸工位与抛光工位之间的快速、可靠传输。在CMP技术的发展历程中出现过机械夹持、石蜡粘接、真空吸盘等多种夹持方式，但以上方式在效率、可靠性、洁净度等方面已无法满足**CMP装备的要求。 多区抛光头采用真空吸附方法夹持晶圆，基本原理如图2所示。首先对多区气囊施加正压，将气囊与晶圆之间的空气挤出，然后利用气囊不同分区的正、负压组合控制，在气囊和晶圆之间形成负压区，将晶圆牢固地吸附在抛光头上。该方法充分利用了抛光头自身的多区气囊结构，具有快速、可靠、无污染等优点。 [3]南京新型半导体晶圆供应商

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