功率器件MOS产品选型基本参数
  • 品牌
  • 无锡商甲半导体
  • 型号
  • MOSFET(SGT /TRENCH)/SIC MOSFET
  • 类型
  • N/P/N+P
  • 自动化程度
  • 90,全自动,半自动
  • 外形尺寸
  • 2630mm*1791mm*1130mm,3050mm*1791mm*1130mm,6500mm*3200mm*1800mm
  • 产地
  • 四川/重庆,江苏,广东
功率器件MOS产品选型企业商机

功率器件主要应用领域:

电源:开关电源、不间断电源、充电器(手机、电动车快充)、逆变器。

电机驱动:工业变频器、电动汽车驱动电机控制器、家用电器(如空调压缩机、洗衣机电机控制)。

电力转换与控制:太阳能/风能发电并网逆变器、高压直流输电、工业电源。

照明:LED驱动电源。

消费电子:大功率音响功放、大型显示设备背光电。

简单来说,功率器件就是“电力世界的大力士开关”,负责在高压大电流环境下高效地控制、切换和传输电能。 它的性能和效率对能源利用、电子设备性能有着至关重要的影响。 功率器件,也被称为电力电子器件,简单来说,就是具有处理高电压、大电流能力的功率型半导体器件.杭州制造功率器件MOS产品选型规格书

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无锡商甲半导体有想公司的MOS管封装可按其在PCB板上的安装方式分为两大类:插入式和表面贴装式。插入式封装中,MOSFET的管脚会穿过PCB板的安装孔并与板上的焊点焊接,实现芯片与电路的连接。常见的插入式封装类型包括双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)以及插针网格阵列封装(PGA)等。

插入式封装插入式封装中,MOSFET的管脚通过PCB板的安装孔实现连接,常见的形式包括DIP、TO等。这种封装方式常见于传统设计,与表面贴装式相对。其以可靠性见长,并允许不同的安装方式,但因插入式封装需要在PCB板上钻孔,增加了制造成本。

表面贴装式封装在表面贴装技术中,MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的特定焊盘上,从而实现了芯片与电路的紧密连接。这种封装形式包括D-PAK、SOT等,正成为主流,支持小型化和高散热性能。随着科技的进步,表面贴装式封装以其优势逐渐取代传统的插入式封装。 南通光伏逆变功率器件MOS产品选型厂家价格功率器件属于分立器件,单独封装且功能不可拆分;功率IC则通过集成多个分立器件与外围电路形成功能模块。

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功率MOSFET的基本特性

静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs

MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。


功率MOS管选型需根据应用场景、电压、电流、热性能等关键参数综合考量。以下为具体步骤和要点:

选型步骤‌

1.明确N/P沟道类型‌N沟道适用于低压侧开关(如12V系统),P沟道适用于高压侧开关(如驱动电机)。 ‌

2.确定额定电压(VDS)‌通常为总线电压的1.5-2倍,需考虑温度波动和瞬态电压。 ‌

3.计算额定电流(ID)‌需满足最大负载电流及峰值电流(建议留5-7倍余量)。 ‌

4.评估导通损耗(RDS(on))‌导通电阻越低,损耗越小,建议优先选择RDS(on)≤0.5Ω的器件。

5.热设计‌满负荷工作时表面温度不超过120℃,需配合散热措施。 ‌

关键参数说明‌栅极电荷(Qg)‌:

1.影响开关速度和效率,需与驱动电路匹配。 ‌

2.品质因数(FoM)‌:综合考虑RDS(on)和Qg的平衡,FoM值越小越好。 ‌

3.封装选择‌:大功率需用TO-220或DPAK封装,兼顾散热和空间限制。

注意事项

并联使用时需确保驱动能力匹配,避免因参数差异导致分流不均。 ‌

避免串联使用MOS管,防止耐压不足引发故障。 功率MOS管选型需根据应用场景、电压、电流、热性能等关键参数综合考量。

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MOSFET管封装概述

在完成MOS管芯片的制作后,为保护芯片并确保其稳定工作,需要为其加上一个封装外壳。这一过程即为MOS管封装,它不仅提供支撑和保护,还能有效冷却芯片,同时为电气连接和隔离创造条件,从而构成完整的电路。值得注意的是,不同的封装设计和规格尺寸会影响MOS管的电性参数及其在电路中的应用。封装的选择也是电路设计中不可或缺的一环。

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微型化设备则依赖超小封装的SOT-23或QFN。实际设计中还需结合PCB布局、生产工艺和供应链情况综合决策。杭州制造功率器件MOS产品选型规格书

超结MOSFET的应用超结MOSFET在多个领域中得到了广泛应用,尤其是在以下几个方面:

1、开关电源超结MOSFET的低导通电阻和高击穿电压使其非常适合用于开关电源中,能够提高转换效率,减少能量损失。

2、电动汽车(EV)超结MOSFET被广泛应用于电机驱动和电池管理系统中。它们的高效能和优异的热性能能够提升整车的性能和可靠性。

3、光伏逆变器光伏逆变器需要处理高电压和大电流,超结MOSFET的性能优势使其成为这些系统中的理想选择,能够提高能量转换效率,减少热量损耗。

4、工业自动化在工业自动化领域,超结MOSFET被用于各种电机驱动和电源管理应用中。它们的高效能和高可靠性能够确保设备的稳定运行。 杭州制造功率器件MOS产品选型规格书

无锡商甲半导体有限公司在同行业领域中,一直处在一个不断锐意进取,不断制造创新的市场高度,多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准。。公司产品齐全,可广泛应用于工控、光伏、储能、家电、照明、5G通信、医疗、汽车等各行业多个领域。

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