温州工业变频功率器件MOS产品选型欢迎选购

无锡商甲半导体有想公司的MOS管封装可按其在PCB板上的安装方式分为两大类：插入式和表面贴装式。插入式封装中，MOSFET的管脚会穿过PCB板的安装孔并与板上的焊点焊接，实现芯片与电路的连接。常见的插入式封装类型包括双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）以及插针网格阵列封装（PGA）等。

插入式封装插入式封装中，MOSFET的管脚通过PCB板的安装孔实现连接，常见的形式包括DIP、TO等。这种封装方式常见于传统设计，与表面贴装式相对。其以可靠性见长，并允许不同的安装方式，但因插入式封装需要在PCB板上钻孔，增加了制造成本。

表面贴装式封装在表面贴装技术中，MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的特定焊盘上，从而实现了芯片与电路的紧密连接。这种封装形式包括D-PAK、SOT等，正成为主流，支持小型化和高散热性能。随着科技的进步，表面贴装式封装以其优势逐渐取代传统的插入式封装。 随着科技的不断进步，功率半导体器件也在持续演进。温州工业变频功率器件MOS产品选型欢迎选购

SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一种半新型的功率半导体器件。它基于传统沟槽MOSFET技术，并通过结构上的改进来提升性能，特别是在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色。接下来，我们将详细介绍SGT MOSFET的特点、优势以及应用领域。

SGT MOS的关键结构创新是将传统MOSFET的单栅极拆分为两个栅极：

控制栅（Control Gate）：位于沟槽顶部，直接控制沟道的开启与关闭，与传统MOSFET栅极功能类似。

屏蔽栅（Shield Gate）：位于沟槽侧壁或底部，通常与源极连接（而非漏极），通过电场屏蔽效应优化器件内部的电场分布。垂直沟槽结构：电流路径垂直于芯片表面，缩短漂移区长度（Drift Region），降低导通电阻（Rds(on)）。 浙江UPS功率器件MOS产品选型芯片TO-247 大功率表面贴装封装，3/4引脚设计，适配高功率MOSFET/IGBT（如电动汽车OBC）。

无锡商甲半导体提供专业选型服务

封装选择关键因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信号级）：SOT-23、SC-70。

散热条件

需要强制散热或大面积PCB铜箔散热时，优先选带散热片的封装（如TO-247、D2PAK）。

自然散热场景可选SO-8或QFN（需优化PCB散热设计）。

空间限制

紧凑型设备（如手机、穿戴设备）：QFN、SOT-23。

工业设备或电源模块：TO系列或D2PAK。

高频性能

高频应用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生电感/电容）。

低频应用（如开关电源）：TO系列或DPAK。

安装方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

贴片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（适合自动化生产）。

成本与量产

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本较高，但性能优）。

功率器件的分类定义

一、主要分类‌按器件的结构划分‌‌二极管‌：如整流二极管、快恢复二极管，用于单向导电与电压钳位；‌

晶体管‌：含双极结型晶体管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具开关与控制功能；‌

晶闸管‌：包含可控硅（SCR）、双向晶闸管（TRIAC），适用于大功率交流控制。‌

按功率等级划分‌‌低压小功率‌：如消费电子中的驱动器件；‌中高功率‌：工业变频器、电机控制器；‌高压大功率‌：新能源发电、特高压输电系统。 TO-Leadless（如TOLL） 无引脚封装，减少电迁移，占用空间较D²PAK减少30%（如电动工具）。

无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析

TO-247 封装

TO-247 封装与 TO-220 封装类似，同样属于直插式封装，但体积更大，引脚更粗。其散热片面积也相应增大，散热能力更强，在自然对流条件下，热阻约为 40 - 60℃/W 。TO-247 封装能够承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率电路中，如工业电源、电动汽车的电机驱动电路等。不过，由于其体积较大，在一些对空间要求严格的电路板上使用会受到限制。

SOT-23 封装

SOT-23 封装是一种表面贴装封装（SMT），具有体积小、占用电路板面积少的优势。它的引脚数量较少，一般为 3 - 5 个，采用塑料材质封装。但受限于较小的体积，SOT-23 封装的散热能力相对较弱，热阻通常在 150 - 200℃/W 左右，适用于小功率电路，如消费电子产品中的电源管理芯片、信号放大电路等。在这些场景中，MOS 管的功率消耗较小，产生的热量有限，SOT-23 封装能够满足基本的散热需求。 作功率MOSFET，其优点表现在 具有较高的开关速度。台州500至1200V FRD功率器件MOS产品选型规格书

DFN（Dual Flat Non-leaded） 无引脚扁平封装，引脚从底部引出，寄生电感低于QFN（如笔记本电脑电源）。温州工业变频功率器件MOS产品选型欢迎选购

无锡商家半导体

TO-3P/247TO247是一种常见的小外形封装，属于表面贴封装类型，其中的“247”是封装标准的编号。值得注意的是，TO-247封装与TO-3P封装都采用3引脚输出，且内部的裸芯片（即电路图）可以完全相同，因此它们的功能和性能也基本一致，只是在散热和稳定性方面可能略有差异。

TO247通常是非绝缘封装，这种封装的管子常用于大功率的POWFR中。作为开关管使用时，它能够承受较大的耐压和电流，因此是中高压大电流MOS管常用的封装形式。该产品特点包括耐压高、抗击穿能力强等，特别适用于中压大电流场合（电流10A以上，耐压值在100V以下），以及120A以上、耐压值200V以上的更高要求场合。 温州工业变频功率器件MOS产品选型欢迎选购

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；