湿法蚀刻的影响因素分别为：反应温度，溶液浓度，蚀刻时间和溶液的搅拌作用。根据化学反应原理，温度越高，反应物浓度越大，蚀刻速率越快，蚀刻时间越短，搅拌作用可以加速反应物和生成物的质量传输，相当于加快扩散速度，增加反应速度。当图形尺寸大于3微米时，湿法刻蚀用于半导体生产的图形化过程。湿法刻蚀具有非常好的选择性和高刻蚀速率，这根据刻蚀剂的温度和厚度而定。比如，氢氟酸（HF）刻蚀二氧化硅的速度很快，但如果单独使用却很难刻蚀硅。刻蚀温度越高，固体与气体之间的反应速率越快，刻蚀速率越快；但也可能造成固体的热变形、热应力、热扩散。北京Si材料刻蚀
湿法刻蚀是较为原始的刻蚀技术，利用溶液与薄膜的化学反应去除薄膜未被保护掩模覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。其反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会出现反应物沉淀的问题，影响刻蚀的正常进行。通常，使用湿法刻蚀处理的材料包括硅，铝和二氧化硅等。二氧化硅的湿法刻蚀可以使用氢氟酸（HF）作为刻蚀剂，但是在反应过程中会不断消耗氢氟酸，从而导致反应速率逐渐降低。为了避免这种现象的发生，通常在刻蚀溶液中加入氟化铵作为缓冲剂，形成的刻蚀溶液称为BOE。氟化铵通过分解反应产生氢氟酸，维持氢氟酸的恒定浓度。氮化硅材料刻蚀价格离子束刻蚀设备通过创新束流控制技术实现晶圆级原子精度加工。
深硅刻蚀设备在生物医学领域也有着重要的应用，主要用于制造生物芯片、微针、微梳等。其中，生物芯片是指用于实现生物分子的检测、分离和分析的微型化平台，如DNA芯片、蛋白质芯片、细胞芯片等。深硅刻蚀设备在这些生物芯片中主要用于形成微阵列、微流道、微孔等结构。微针是指用于实现无痛或低痛的皮下或肌肉注射的微小针头，如固体微针、空心微针、溶解性微针等。深硅刻蚀设备在这些微针中主要用于形成锥形或柱形的针尖、药物载体或通道等结构。微梳是指用于实现毛发移植或毛发生长的微小梳子，如金属微梳、聚合物微梳等。深硅刻蚀设备在这些微梳中主要用于形成细长或宽扁的梳齿、导电或绝缘的梳体等结构。
各向异性：各向异性是指硅片上被刻蚀的结构在垂直方向和水平方向上的刻蚀速率比，它反映了深硅刻蚀设备的刻蚀剖面和形状。各向异性受到反应室内的偏置电压、保护膜沉积等参数的影响，一般在10-100之间。各向异性越高，表示深硅刻蚀设备对硅片上结构的垂直方向上的刻蚀能力越强，水平方向上的刻蚀能力越弱，刻蚀剖面和形状越垂直或倾斜。刻蚀深宽比：是微机械加工工艺的一项重要工艺指标,表示为采用湿法或干法蚀刻基片过程中,纵向蚀刻深度和横向侵蚀宽度的比值.采用刻蚀深宽比大的工艺就能够加工较厚尺寸的敏感结构,增加高敏感质量,提高器件的灵敏度和精度.目前采用干法刻蚀通常能达到80—100的刻蚀深宽比。氮化镓是一种具有优异的光电性能和高温稳定性的宽禁带半导体材料。
现代离子束刻蚀装备融合等离子体物理与精密工程技术，其多极磁场约束系统实现束流精度质的飞跃。在300mm晶圆量产中，创新七栅离子光学结构与自适应控制算法完美配合，将刻蚀均匀性推至亚纳米级别。突破性突破在于发展出晶圆温度实时补偿系统，消除热形变导致的图形畸变，支撑半导体制造进入原子精度时代。离子束刻蚀在高级光学制造领域开创非接触加工新范式，其纳米级选择性去除技术实现亚埃级面形精度。在极紫外光刻物镜制造中，该技术成功应用驻留时间控制算法，将300mm非球面镜的面形误差控制在0.1nm以下。突破性在于建立大气环境与真空环境的精度转换模型，使光学系统波像差达到0.5nm极限，支撑3nm芯片制造的光学系统量产。深硅刻蚀设备在先进封装中的主要应用之二是SiP技术，从而实现一个多功能或多模式的系统。温州反应离子刻蚀
深硅刻蚀设备在半导体领域有着重要的应用，主要用于制造先进存储器、逻辑器件、射频器件、功率器件等。北京Si材料刻蚀
这种方法的优点是刻蚀均匀性好，刻蚀侧壁垂直，适合高分辨率和高深宽比的结构。缺点是刻蚀速率慢，选择性低，设备复杂，成本高。混合法刻蚀：结合湿法和干法的优势，采用交替或同时进行的湿法和干法刻蚀步骤，实现对氧化硅的高效、精确、可控的刻蚀。这种方法可以根据不同的应用需求，调节刻蚀参数和工艺条件，优化刻蚀结果。氧化硅刻蚀制程在半导体制造中有着广泛的应用。例如：金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）：通过使用氧化硅刻蚀制程，在半导体衬底上形成栅极氧化层、源极/漏极区域、接触孔等结构，实现MOSFET的功能；互连层：通过使用氧化硅刻蚀制程，在金属层之间形成绝缘层、通孔、线路等结构，实现电路的互连。北京Si材料刻蚀
