南通工业变频功率器件MOS产品选型技术指导

超结MOSFET的应用超结MOSFET在多个领域中得到了广泛应用，尤其是在以下几个方面：

1、开关电源超结MOSFET的低导通电阻和高击穿电压使其非常适合用于开关电源中，能够提高转换效率，减少能量损失。

2、电动汽车（EV）超结MOSFET被广泛应用于电机驱动和电池管理系统中。它们的高效能和优异的热性能能够提升整车的性能和可靠性。

3、光伏逆变器光伏逆变器需要处理高电压和大电流，超结MOSFET的性能优势使其成为这些系统中的理想选择，能够提高能量转换效率，减少热量损耗。

4、工业自动化在工业自动化领域，超结MOSFET被用于各种电机驱动和电源管理应用中。它们的高效能和高可靠性能够确保设备的稳定运行。 对于高功率场景，优先考虑散热能力强的TO系列或D2PAK；南通工业变频功率器件MOS产品选型技术指导

无锡商甲半导体有限公司有下列封装产品

TO-92封装

TO-92封装主要适用于低压MOS管，其电流控制在10A以下，耐压值不超过60V。此外，高压1N60/65也采用了这种封装方式，旨在帮助降低产品成本。

TO-263封装

TO-263封装，作为TO-220封装的衍生品，旨在提升生产效率和散热性能。它能够支持极高的电流和电压，特别适用于中压大电流MOS管，其电流范围在150A以下，电压则超过30V。这种封装方式在电力电子领域有着广泛的应用。TO-252封装

TO-252封装，作为当前主流的封装方式之一，其适用范围***。在高压环境下，它能够承受7N以下的压力；而在中压环境中，其电流容量则限制在70A以下。这种封装方式因其优越的电气性能和稳定性，在多个领域中得到了广泛的应用。

SOP-8封装

SOP-8封装设计旨在降低成本，常用于中压环境下电流容量低于50A，或低压环境下60V左右的MOS管。 苏州PD 快充功率器件MOS产品选型晶圆功率MOSFET具有较高的可靠性。

超结MOSFET的发展方向

1、更高的集成度通过更高的集成度，可以在更小的芯片面积上实现更高的性能，从而进一步降低成本和提高效率。2、更优的材料新材料的研究和应用会带来超结MOSFET性能的进一步提升。例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新型半导体材料可能会在未来得到广泛应用。

3、更智能的控制技术随着智能控制技术的发展，超结MOSFET可能会在电路设计中实现更高效、更智能的应用，提高系统的整体性能和可靠性。Si-MOSFET在导通电阻和额定电压方面落后于IGBT和SiC-MOSFET，但非常适合在中低功率水平下的高速运行。超级结MOS管具有高耐压、低电阻优点，对于相同的击穿电压和芯片尺寸，超级结MOS管的导通电阻远小于普通高压VDMOS，所以常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。

功率MOSFET属于电压型控制器件。它依靠多数载流子工作,因而具有许多优点:能与集成电路直接相连；开关频率可在数兆赫以上（可达100MHz），比双极型功率晶体管(GTR)至少高10倍；导通电阻具有正温度系数,器件不易发生二次击穿,易于并联工作。与GTR相比，功率MOSFET的导通电阻较大，电流密度不易提高，在100kHz以下频率工作时,其功率损耗高于GTR。此外，由于导电沟道很窄（微米级）,单元尺寸精细，其制作也较GTR困难。在80年代中期,功率MOSFET的容量还不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等几种）。采购MOSFET请选择无锡商甲半导体有限公司.

超结MOS的特点:

1、低导通电阻通过在纵向结构中引入多个P型和N型层的超结设计，极大地降低了功率器件的导通电阻，在高电压应用中尤为明显。

2、高耐压性传统MOSFET在提高耐压的同时会增加导通电阻，而超结结构通过优化电场分布，使其在保持高耐压的同时仍能保持较低的导通电阻。

3、高效率超结MOS具有较快的开关速度和低损耗特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。

4、较低的功耗由于导通电阻和开关损耗的降低，超结MOS在工作时的能量损耗也明显减少，有助于提高系统的整体能效。 ‌新能源领域‌：光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统；南通工业变频功率器件MOS产品选型技术指导

功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。南通工业变频功率器件MOS产品选型技术指导

功率MOS管选型需根据应用场景、电压、电流、热性能等关键参数综合考量。以下为具体步骤和要点：

选型步骤‌

1.明确N/P沟道类型‌N沟道适用于低压侧开关（如12V系统），P沟道适用于高压侧开关（如驱动电机）。 ‌

2.确定额定电压（VDS）‌通常为总线电压的1.5-2倍，需考虑温度波动和瞬态电压。 ‌

3.计算额定电流（ID）‌需满足最大负载电流及峰值电流（建议留5-7倍余量）。 ‌

4.评估导通损耗（RDS(on)）‌导通电阻越低，损耗越小，建议优先选择RDS(on)≤0.5Ω的器件。

5.热设计‌满负荷工作时表面温度不超过120℃，需配合散热措施。 ‌

关键参数说明‌栅极电荷（Qg）‌：

1.影响开关速度和效率，需与驱动电路匹配。 ‌

2.品质因数（FoM）‌：综合考虑RDS(on)和Qg的平衡，FoM值越小越好。 ‌

3.封装选择‌：大功率需用TO-220或DPAK封装，兼顾散热和空间限制。

注意事项

并联使用时需确保驱动能力匹配，避免因参数差异导致分流不均。 ‌

避免串联使用MOS管，防止耐压不足引发故障。 南通工业变频功率器件MOS产品选型技术指导