干法刻蚀设备根据不同的等离子体激发方式和刻蚀机理,可以分为以下几种工艺类型:一是反应离子刻蚀(RIE),该类型是指利用射频(RF)电源产生平行于电极平面的电场,从而激发出具有较高能量和方向性的离子束,并与自由基共同作用于样品表面进行刻蚀。RIE类型具有较高的方向性和选择性,但由于离子束对样品表面造成较大的物理损伤和加热效应,导致刻蚀速率较低、均匀性较差、荷载效应较大等缺点;二是感应耦合等离子体刻蚀(ICP),该类型是指利用射频(RF)电源产生垂直于电极平面的电场,并通过感应线圈或天线将电场耦合到反应室内部,从而激发出具有较高密度和均匀性的等离子体,并通过另一个射频(RF)电源控制样品表面的偏置电压,从而调节离子束的能量和方向性,并与自由基共同作用于样品表面进行刻蚀。电容耦合等离子体刻蚀常用于刻蚀电介质等化学键能较大的材料。辽宁深硅刻蚀材料刻蚀公司
硅的酸性蚀刻液:Si与HNO3、HF的混合溶液发生反应,硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH4OH刻蚀硅,硅的均匀剥离,同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料(如高介电常数和金属栅极),那么在后栅极制程,多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,制程关键是控制溶液的温度和浓度,以调整刻蚀对多晶硅和其他材料的选择比。中山氮化镓材料刻蚀加工工厂离子束刻蚀是超导量子比特器件实现原子级界面加工的主要技术。
电容耦合等离子体刻蚀(CCP)是通过匹配器和隔直电容把射频电压加到两块平行平板电极上进行放电而生成的,两个电极和等离子体构成一个等效电容器。这种放电是靠欧姆加热和鞘层加热机制来维持的。由于射频电压的引入,将在两电极附近形成一个电容性鞘层,而且鞘层的边界是快速振荡的。当电子运动到鞘层边界时,将被这种快速移动的鞘层反射而获得能量。电容耦合等离子体刻蚀常用于刻蚀电介质等化学键能较大的材料,刻蚀速率较慢。电感耦合等离子体刻蚀(ICP)的原理,是交流电流通过线圈产生诱导磁场,诱导磁场产生诱导电场,反应腔中的电子在诱导电场中加速产生等离子体。通过这种方式产生的离子化率高,但是离子团均一性差,常用于刻蚀硅,金属等化学键能较小的材料。电感耦合等离子体刻蚀设备可以做到电场在水平和垂直方向上的控制,可以做到真正意义上的De-couple,控制plasma密度以及轰击能量。
深硅刻蚀设备的发展历史是指深硅刻蚀设备从诞生到现在经历的各个阶段和里程碑,它可以反映深硅刻蚀设备的技术进步和市场需求。以下是深硅刻蚀设备的发展历史:一是诞生阶段,即20世纪80年代到90年代初期,深硅刻蚀设备由于半导体工业对高纵横比结构的需求而被开发出来,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,但由于刻蚀速率低、选择性差、方向性差等问题而无法满足实际应用;二是发展阶段,即20世纪90年代中期到21世纪初期,深硅刻蚀设备由于MEMS工业对复杂结构的需求而得到快速发展,先后出现了Bosch工艺和非Bosch工艺等技术,提高了刻蚀速率、选择性、方向性等性能,并广泛应用于各种领域;三是成熟阶段,即21世纪初期至今,深硅刻蚀设备由于光电子工业和生物医学工业对新型结构的需求而进入稳定发展阶段,不断优化工艺参数和控制策略,提高均匀性、精度、可靠性等性能,并开发新型气体和功能模块,以适应不同应用的需求。深硅刻蚀设备的主要组成部分有反应室, 真空系统,控制系统。
深硅刻蚀设备在生物医学领域也有着重要的应用,主要用于制造生物芯片、微针、微梳等。其中,生物芯片是指用于实现生物分子的检测、分离和分析的微型化平台,如DNA芯片、蛋白质芯片、细胞芯片等。深硅刻蚀设备在这些生物芯片中主要用于形成微阵列、微流道、微孔等结构。微针是指用于实现无痛或低痛的皮下或肌肉注射的微小针头,如固体微针、空心微针、溶解性微针等。深硅刻蚀设备在这些微针中主要用于形成锥形或柱形的针尖、药物载体或通道等结构。微梳是指用于实现毛发移植或毛发生长的微小梳子,如金属微梳、聚合物微梳等。深硅刻蚀设备在这些微梳中主要用于形成细长或宽扁的梳齿、导电或绝缘的梳体等结构。离子束刻蚀设备通过创新束流控制技术实现晶圆级原子精度加工。东莞半导体材料刻蚀工艺
深硅刻蚀设备的技术发展之一是气体分布系统的改进。辽宁深硅刻蚀材料刻蚀公司
湿法蚀刻的影响因素分别为:反应温度,溶液浓度,蚀刻时间和溶液的搅拌作用。根据化学反应原理,温度越高,反应物浓度越大,蚀刻速率越快,蚀刻时间越短,搅拌作用可以加速反应物和生成物的质量传输,相当于加快扩散速度,增加反应速度。当图形尺寸大于3微米时,湿法刻蚀用于半导体生产的图形化过程。湿法刻蚀具有非常好的选择性和高刻蚀速率,这根据刻蚀剂的温度和厚度而定。比如,氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅的速度很快,但如果单独使用却很难刻蚀硅。辽宁深硅刻蚀材料刻蚀公司