电子元器件MOSFET基本参数
  • 品牌
  • 无锡商甲半导体有限公司
  • 型号
  • SGT MOS/Trench MOS /SJ MOS等
  • 外形尺寸
  • 2630mm*1791mm*1130mm
  • 产地
  • 江苏
电子元器件MOSFET企业商机

如何选择合适的MOSFET管

1.选取导通电阻RDSON:导通电阻RDSON与导通损耗直接相关,RDSON越小,导通损耗越小,效率越高。选择RDSON时,需要考虑比较大工作温度和RDSON的温度系数。因为MOSFET的功耗与电流的平方成正比,在大功率系统,电流额定的情况下,减小MOSFET的内阻,能够有效减少系统的发热,从而提升MOS的负载能力。

2.考虑开关特性:包括栅极电荷(Qg)、输入电容(Ciss)等参数,这些参数影响MOSFET的开关速度和损耗,特别是在高速开关系统,必须确认MOS的导通和关断速度。

3.确定耐压:MOSFET的耐压应该高于实际应用中会承受的最大电压,以确保安全运行。


商甲半导体40V产品主要用于无人机、BMS、电动工具、汽车电子。北京光伏逆变电子元器件MOSFET

北京光伏逆变电子元器件MOSFET,电子元器件MOSFET

MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的重要参数可分为静态参数、动态参数和极限参数三大类,以下是关键参数详解:

静态参数‌

漏源击穿电压(V(BR)DSS)‌:在栅源电压为零时,漏源极间能承受的最大电压,决定器件耐压能力。 ‌

开启电压(VGS(th))‌:使漏源极形成沟道的栅源电压阈值,低于此值时器件处于截止状态。

导通阻抗(RDS(on))‌:在特定栅压下漏源极的电阻值,直接影响导通功耗。

动态参数‌

跨导(gfs)‌:栅源电压变化引起的漏极电流变化率,反映控制灵敏度。 ‌

开关时间‌:包括开启延迟和关断延迟,由寄生电感/电容影响。

极限参数‌比较大漏源电压(VDSS)‌:允许施加的最大工作电压,超过会导致击穿。 ‌

比较大栅源电压(VGSS)‌:允许的比较大驱动电压,过高会损坏器件。

 ‌比较大漏源电流(ID)‌:持续工作电流上限,需结合散热条件评估。 ‌

最大耗散功率(PD)‌:芯片能承受的最大功率损耗,与结温相关。 ‌

其他重要指标‌热阻(Rth)‌:衡量散热性能,影响器件稳定性与寿命。

 ‌安全工作区(SOA)‌:定义脉冲电流与能量承受范围,避免雪崩效应。

 ‌参数选择需结合具体应用场景,例如高频开关需关注开关损耗,大功率场景需校验热设计 焊机电子元器件MOSFET哪里有商甲半导体提供的20V~100V Complementary(N+P型互补式)MOSFET产品。

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MOS管封装

TO-220与TO-220F


TO-220与TO-220F这两种封装的MOS管在外观上相似,可以相互替代。然而,TO-220背部配备了散热片,因此其散热效果相较于TO-220F更为出色。同时,由于成本因素,TO-220的价格也相对较高。这两种封装的产品都适用于中压大电流场合,其电流范围在120A以下,同时也可用于高压大电流场合,但电流需控制在20A以内。


TO-251封装TO-251封装的产品旨在降低生产成本并减小产品尺寸,特别适用于中压大电流环境,电流范围控制在60A以下,同时也可用于高压环境,但需确保电流在7N以下。

如何选择合适的MOSFET管

1.考虑开关特性:包括栅极电荷(Qg)、输入电容(Ciss)等参数,这些参数影响MOSFET的开关速度和损耗,特别是在高速开关系统,必须确认MOS的导通和关断速度。

2.使用在线工具简化选型:一些电子元件供应商提供了在线筛选器,可以根据电压、电流、封装等参数快速筛选合适的MOSFET。

3.查看数据手册:在选择之前,仔细阅读MOSFET的数据手册,了解其电气特性和工作条件。

4考虑品牌和成本:根据项目预算和对品牌的信任度,选择信誉良好的品牌。目前,功率半导体的发展非常迅速,SIC,IGBT等随电动汽车的发展快速发展,成本是其中非常重要的选择要素之一,国产品牌的成本具有较大优势,可以选择商甲半导体。 商甲半导体用于消费类电子产品(液晶电视、等离子电视等)--更轻、更薄、更高能效。

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20V产品主要用于手机、移动电源、可穿戴设备及消费类领域;

30V产品主要用于PC主板和显卡、马达驱动、BMS、电动工具、无线充;

40V产品主要用于无人机、BMS、电动工具、汽车电子;

60V产品主要用于马达控制、BMS、UPS、汽车雨刷、汽车音响;

80-250V产品主要用于低压系统新能源汽车、马达驱动、逆变器、储能、BMS、LED、PD Charger;600V以上产品主要用于工业电源、并网逆变、充电桩、家电、高压系统新能源汽车;

600V以上产品主要用于工业电源、并网逆变、充电桩、家电、高压系统新能源汽车;

公司秉承:“致力于功率半导体的设计与营销,参与和传承功率半导体的发展”的愿景,坚持“质量至上、创新驱动”的发展策略,遵循“问题解决+产品交付+售后服务”的营销 法则,努力将公司建设成一个具有国际竞争力的功率半导体器件供应商。 无锡商甲半导体提供专业mosfet产品,二十多年行业经验,提供技术支持,品质好,销往全国!发货快捷,质量保证.崇明区代理电子元器件MOSFET

公司在标准产品技术创新的基础上,与客户深度合作开发定制产品。北京光伏逆变电子元器件MOSFET

一、电源及储能、光伏产品

MOS管在电源电路中常作为电子开关使用,通过控制栅极电压来改变漏源极之间的导通状态,实现电流的快速接通和断开。MOS管具有较低的导通电阻和开关时间,减少开关损耗,提高电源的转换效率。在开关电源中,能够实现精细的电压调节和过流保护。通过反馈机制,MOS管按需调整开关频率和占空比,以维持输出电压稳定。当检测到过载或短路时,MOS管可以通过快速关断来避免电源系统遭受损害‌。MOS管在电源电路中不仅能够实现高效的能量转换和稳压保护,还能降低电磁干扰,确保电源系统的稳定性和可靠性。‌

MOS管在储能电源上主要是开关和稳压、保护等作用,在便携式储能电源中,MOS管主要用于逆变器部分,负责将电池的直流电转换为交流电,提供稳定的交流输出。在户外用储能系统中,MOS管主要用于逆变器和DC-DC变换电路中。逆变器将太阳能电池板的直流电转换为家庭使用的交流电,而DC-DC变换电路用于最大功率点跟踪(MPPT),提高充电转换效率‌。

MOS管在光伏逆变器中应用包括光伏功率转换‌,光伏模块产生的是直流电,大部分电气设备需要交流电来运行,逆变器将直流电转换为交流电,MOS管作为关键的开关元件,通过快速地开关动作,将直流电转换为交流电‌。 北京光伏逆变电子元器件MOSFET

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