杭州好的电子元器件MOSFET

SGT技术：突破传统MOS的性能瓶颈

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的重要开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻(Rds(on))和更快开关速度时，往往会面临开关损耗(Qg,Qgd)增大、抗冲击能力下降等矛盾。

商甲半导体采用的SGT结构技术，正是解决这一矛盾的关键：

屏蔽栅极结构：在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容(Cgd)，大幅降低栅极电荷(Qg,特别是Qgd)。

低栅极电荷(Qg)：降低Qg意味着驱动电路更容易驱动MOS管，减少开关过程中的导通和关断损耗，提升系统整体效率，尤其在需要高频开关的应用中优势明显。

优化导通电阻(Rds(on))：SGT结构通过优化载流子分布和沟道设计，在同等芯片面积下，实现了比传统沟槽MOS更低的导通电阻，降低了导通状态下的功率损耗和发热。

优异的开关性能：低Qg和优化的电容特性共同带来了更快的开关速度和更干净的开关波形，减少了电压/电流应力，提升了系统稳定性和EMI性能。

高可靠性：精心设计的结构有助于改善器件的雪崩耐量(Eas)和抗闩锁能力，提高了系统在恶劣工况下的鲁棒性。 公司产品生产代工为国内头部功率半导体生产企业。.杭州好的电子元器件MOSFET

选择MOS管的指南

 第一步: 明确N沟道与P沟道首先，需要明确N沟道与P沟道的选择。N沟道适用于低压侧开关，P沟道适用于高压侧开关。由于MOS管有两种结构形式——N沟道型和P沟道型，这两种结构的电压极性有所不同。因此，在做出选择之前，务必先确定您的应用场景需要哪种类型的MOS管

MOS管的两种结构在电子应用中，MOS管通常有两种结构：N沟道型和P沟道型。这两种结构各有其特定的应用场景。例如，在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，因为这类器件在关闭或导通时所需电压较低。相反，在高压侧开关中，则更常选用P沟道MOS管。 绍兴电子元器件MOSFET联系方式MOSFET用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）中，将直流电转换为交流电。

MOS管选型指南

封装因素考量

封装方式影响散热性能和电流承载能力，选择需考虑系统散热条件和环境温度。在构成开关电路时，不同尺寸的MOS管封装会影响其热阻和耗散功率。因此，必须综合考虑系统的散热条件、环境温度以及散热器的形状和大小限制。基本原则是，在确保功率MOS管的温升和系统效率不受影响的前提下，选择参数和封装更为通用的功率MOS管。在开关电路的设计中，我们常常需要关注MOS管的封装方式。根据不同的应用需求，可以选择不同类型的封装。例如，插入式封装包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面贴装式封装则涵盖TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23和DFN等。选择哪种封装方式，需要综合考虑系统的散热条件、环境温度以及散热器的尺寸限制，以确保功率MOS管能够稳定、高效地工作。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；

按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

结型场效应管（JFET）

1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。场效应管电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。 商甲半导体总部位于江苏省无锡市经开区,是无锡市太湖人才计划重点引进项目。

场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管场效应管

1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 

2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。 商甲半导体以Fabless 模式解特殊匹配难题，多平台量产，产品导通特性强，应用场景多元。新型电子元器件MOSFET技术指导

商甲半导体经营产品：N沟道mosfet、P沟道mosfet、N+P沟道mosfet(Trench/SGT 工艺）、超结SJ mosfet等。杭州好的电子元器件MOSFET

MOS管封装

TO-3P/247

TO247是一种常见的小外形封装，属于表面贴封装类型，其中的“247”是封装标准的编号。值得注意的是，TO-247封装与TO-3P封装都采用3引脚输出，且内部的裸芯片（即电路图）可以完全相同，因此它们的功能和性能也基本一致，只是在散热和稳定性方面可能略有差异。TO247通常是非绝缘封装，这种封装的管子常用于大功率的POWFR中。作为开关管使用时，它能够承受较大的耐压和电流，因此是中高压大电流MOS管常用的封装形式。该产品特点包括耐压高、抗击穿能力强等，特别适用于中压大电流场合（电流10A以上，耐压值在100V以下），以及120A以上、耐压值200V以上的更高要求场合。 杭州好的电子元器件MOSFET