光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。包括几方面刻蚀参数：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒玷污和缺陷等。刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源明显的侵蚀。材料刻蚀技术可以用于制造微型结构，如微通道、微透镜和微机械系统等。北京刻蚀
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，在与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的较重要方法。而在湿法腐蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。湿法刻蚀特点是：湿法刻蚀在半导体工艺中有着普遍应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。广州天河半导体刻蚀刻蚀技术可以实现对材料的选择性刻蚀，从而制造出复杂的微纳结构。
二氧化硅湿法刻蚀：较普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。基本的刻蚀剂是氢氟酸，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。然而，饱和浓度的氢氟酸在室温下的刻蚀速率约为300A/s。这个速率对于一个要求控制的工艺来说太快了。在实际中，氢氟酸与水或氟化铵及水混合。以氟化铵来缓冲加速刻蚀速率的氢离子的产生。这种刻蚀溶液称为缓冲氧化物刻蚀或BOE。针对特定的氧化层厚度，他们以不同的浓度混合来达到合理的刻蚀时间。一些BOE公式包括一个湿化剂用以减小刻蚀表面的张力，以使其均匀地进入更小的开孔区。
材料刻蚀是一种通过化学反应或物理作用，将材料表面的一部分或全部去除的过程。它是一种重要的微纳加工技术，被广泛应用于半导体、光电子、生物医学、纳米科技等领域。材料刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种类型。湿法刻蚀是通过将材料浸泡在化学溶液中，利用化学反应来去除材料表面的一部分或全部。干法刻蚀则是通过在真空或气氛中使用化学气相沉积等技术，利用化学反应或物理作用来去除材料表面的一部分或全部。材料刻蚀的优点是可以实现高精度、高速度、高可重复性的微纳加工，可以制造出各种形状和尺寸的微纳结构，从而实现各种功能。例如，在半导体工业中，材料刻蚀可以用于制造微处理器、光电器件、传感器等；在生物医学领域中，材料刻蚀可以用于制造微流控芯片、生物芯片等。然而，材料刻蚀也存在一些缺点，例如刻蚀过程中可能会产生毒性气体和废液，需要进行处理和排放；刻蚀过程中可能会导致材料表面的粗糙度增加，影响器件性能等。因此，在使用材料刻蚀技术时，需要注意安全、环保和工艺优化等问题。刻蚀技术可以实现不同深度的刻蚀，从几纳米到数百微米不等。
介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。干法刻蚀优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式比较多，一般有：溅射与离子束铣蚀，等离子刻蚀（PlasmaEtching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。材料刻蚀技术可以用于制造微型光学阵列和微型光学波导等光学器件。深圳龙华刻蚀设备
刻蚀技术可以实现不同材料的刻蚀，如硅、氮化硅、氧化铝等。北京刻蚀
刻蚀技术是一种在集成电路制造中广泛应用的重要工艺。它是一种通过化学反应和物理过程来去除或改变材料表面的方法，可以用于制造微小的结构和器件。以下是刻蚀技术在集成电路制造中的一些应用：1.制造光刻掩膜：刻蚀技术可以用于制造光刻掩膜。光刻掩膜是一种用于制造微小结构的模板，它可以通过刻蚀技术来制造。在制造过程中，先在掩膜上涂上光刻胶，然后使用光刻机器将图案投射到光刻胶上，之后使用刻蚀技术将光刻胶和掩膜上不需要的部分去除。2.制造微机电系统（MEMS）：刻蚀技术可以用于制造微机电系统（MEMS）。MEMS是一种微小的机械系统，可以用于制造传感器、执行器和微型机器人等。通过刻蚀技术，可以在硅片表面形成微小的结构和器件，从而制造MEMS。北京刻蚀
