真空镀膜：离子镀膜法：目前比较常用的组合方式有：活性反应蒸镀法(ABE)。利用电子束加热使膜材气化；依靠正偏置探极和电子束间的低压等离子体辉光放电或二次电子使充入的氧气、氮气、乙炔等反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，蒸镀效率高，能获得三氧化铝、氮化钛(TiN)、碳化钛(TiC)等薄膜；可用于镀机械制品、电子器件、装饰品。空心阴极离子镀(HCD)。利用等离子电子束加热使膜材气化；依靠低压大电流的电子束碰撞使充入的气体Ar或其它惰性气体、反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，离化率高，电子束斑较大，能镀金属膜、介质膜、化合物膜；可用于镀装饰镀层、机械制品。真空镀膜机的优点:可以通过涂料处理形成彩色膜，其装潢效果是铝箔所不及的。朝阳真空镀膜厂家
真空镀膜的方法：离子镀：离子镀Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空条件下,利用气体放电使气体或蒸发物质离化,在气体离子或蒸发物质离子轰击作用的同时,把蒸发物质或其反应物蒸镀在基片上。离子镀是将辉光放电、等离子技术与真空蒸发镀膜技术相结合的一门新型镀膜技术。它兼具真空蒸镀和溅射镀膜的优点,由于荷能粒子对基体表面的轰击,可以使膜层附着力强,绕射性好,沉积速率高,对环境无污染等好处。离子镀的种类多种多样,根据镀料的气化方式(电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、多弧加热、高频感应加热等)、气化分子或原子的离化和激发方式(辉光放电型、电子束型、热电子型、等离子电子束型等),以及不同的蒸发源与不同的电离方式、激发方式可以有很多种不同的组合方式。吉林共溅射真空镀膜真空镀膜是将装有基片的真空室抽成真空,然后加热被蒸发的镀料。
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。
真空镀膜：真空蒸镀基本工艺镀前处理：包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。装炉：包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵。待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：将镀件烘烤加热到所需温度。离子轰击：真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,预熔：调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。蒸发沉积：根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。冷却：镀件在真空室内冷却到一定温度。出炉：取件后，关闭真空室，抽真空至1×10-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。后处理：涂面漆等。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。
真空镀膜的方法很多，计有：真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13。3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如氩)通入已抽空的室内，保持压强约1。33～13。3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的氩离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。真空蒸镀是真空镀膜技术的一种。共溅射真空镀膜外协
真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。朝阳真空镀膜厂家
磁控溅射技术比蒸发技术的粒子能量更高，膜基结合力更好，“磁控溅射离子镀膜技术”就是在普通磁控溅射技术的基础上，在被镀工件表面加偏压，金属离子在偏压电场的作用力下，沉积在工件表面，膜层质量和膜基结合力又远远好于普通的磁控溅射镀膜技术。根据靶材的形状，磁控溅射靶可分为圆形磁控溅射靶、平面磁控溅射靶和柱状磁控溅射靶。圆形靶主要用于科研和少量的工业应用，平面靶和柱状靶在工业上大量使用，特别是柱状靶，凭借超高的靶材利用率和稳定的工作状态，越来越多的被使用。朝阳真空镀膜厂家
