磁控溅射一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化,造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。无锡真空镀膜加工
真空镀膜的方法很多，计有：真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13。3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如氩)通入已抽空的室内，保持压强约1。33～13。3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的氩离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。铜川光学真空镀膜真空溅镀通常指的是磁控溅镀，属于高速低温溅镀法。
真空镀膜：溅射镀膜：溅射出来的粒子在飞向基体过程中易和真空室中的气体分子发生碰撞，导致运动方向随机化，使得沉积的膜易于均匀。发展起来的规模性磁控溅射镀膜，沉积速率较高，工艺重复性好，便于自动化，已适当于大型建筑装饰镀膜及工业材料的功能性镀膜，如TGN-JR型用多弧或磁控溅射在卷材的泡沫塑料及纤维织物表面镀镍Ni及银Ag的生产制备。溅射镀膜可分为直流溅射、射频溅射和磁控溅射，其对应的辉光放电电压源和控制场分别为高压直流电、射频(RF)交流电和磁控(M)场。
真空镀膜的方法：真空蒸镀法：激光束蒸发源蒸镀技术是一种比较理想的薄膜制备方法,利用激光器发出高能量的激光束,经聚焦照射到镀料上,使之受热气化。激光器可置于真空室外,避免了蒸发器对镀材的污染,使膜层更纯洁。同时聚焦后的激光束功率很高,可使镀料达到极高的温度,从而蒸发任何高熔点的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬时蒸发,从而获得成分均匀的薄膜。真空蒸镀法具有设备简单,节约金属原材料,沉积Ti金属及其氧化物、合金镀层等,表面附着均匀,生产周期短,对环境友好,可大规模生产等突出优点。物理的气相沉积技术是真空镀膜技术的一种。
真空镀膜：真空蒸镀是在真空条件下，将镀料靶材加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面（或升华），并较终沉积在基体表面上的技术。在整个过程中，气态的原子、分子在真空中会经过很少的碰撞而直接迁移到基体，并沉积在基体表面形成薄膜。蒸发的方法包括电阻加热，高频感应加热，电子束、激光束、离子束高能轰击镀料等。真空蒸镀是PVD法中使用较早的技术。将镀料加热到蒸发温度并使之气化，这种加热装置称为蒸发源。较常用的蒸发源是电阻蒸发源和电子束蒸发源，特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。遵义真空镀膜厂家
真空镀膜机的优点:具有优良的耐折性和良好的韧性，比较少出现小孔和裂口。无锡真空镀膜加工
真空镀膜：近些年来出现的新方法：除蒸发法和溅射法外，人们又综合了这两种方法的优缺点，取长补短，发展出一些新的方法，如：等离子体束溅射等。这种崭新的技术结合了蒸发镀的高效和溅射镀的高性能特点，特别在多元合金以及磁性薄膜的制备方面，具有其它手段无可比拟的优点。高效率等离子体溅射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))实际上是由利用射频功率产生的等离子体聚束线圈、偏压电源组成的一个溅射镀膜系统。这种离子体源装置在真空室的侧面。该等离子体束在电磁场的作用下被引导到靶上，在靶的表面形成高密度等离子体。同时靶连接有DC/RF偏压电源，从而实现高效可控的等离子体溅射。等离子体发生装置与真空室的分离设计是实现溅射工艺参数宽范围可控的关键，而这种广阔的可控性使得特定的应用能确定工艺参数较优化。与通常的磁控溅射相比，由于磁控靶磁场的存在而在靶材表面形成刻蚀环不同，HiTUS系统由于取消了靶材背面的磁铁，从而能对靶的材料实现各个方面积均匀。无锡真空镀膜加工
