真空镀膜:随着沉积方法和技术的提升,物理的气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理的气相沉积技术早在20世纪初已有些应用,但30年迅速发展成为一门极具广阔应用前景的新技术,并向着环保型、清洁型趋势发展。在钟表行业,尤其是较好手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为普遍的应用。物理的气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。镀料原子、分子或离子在基体上沉积。真空镀膜机真空压铸工艺采用钛合金单独装料,感应壳式熔炼。河源光学真空镀膜
真空镀膜:可镀材料普遍:离子镀由于是利用高能离子轰击工件表面,使大量的电能在工件表面转换成热能,从而促进了表层组织的扩散作用和化学反应。然而,整个工件,特别是工件心部并未受到高温的影响。因此这种镀膜工艺的应用范围较广,受到的局限性则较小。通常,各种金属、合金以及某些合成材料、绝缘材料、热敏材料和高熔点材料等均可镀复。即可在金属工件上镀非金属或金属,也可在非金属上镀金属或非金属,甚至可镀塑料、橡胶、石英、陶瓷等。天津来料真空镀膜真空镀膜的镀层质量好。
使用磁控溅射法沉积硅薄膜,通过优化薄膜沉积的工艺参数(包括本地真空、溅射功率、溅射气压等),以期用溅射法终后制备出高质量的器件级硅薄膜提供科学数据。磁控溅射法是一种简单、低温、快速的成膜技术,能够不使用有毒气体和可燃性气体进行掺杂和成膜,直接用掺杂靶材溅射沉积,此法节能、高效、环保。可通过对氢含量和材料结构的控制实现硅薄膜带隙和性能的调节。与其它技术相比,磁控溅射法优势是它的沉积速率快,具有诱人的成膜效率和经济效益,实验简单方便。
真空镀膜:多弧离子镀:多弧离子镀又称作为电弧离子镀,由于在阴极上有多个弧斑持续呈现,所以称作为“多弧”。多弧离子镀的主要特点说明:阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体,而不产生熔池,所以可以任意方位布置,也可采用多个蒸发离化源。镀料的离化率高,一般达60%~90%,卓著提高与基体的结合力改善膜层的性能。沉积速率高,改善镀膜的效率。设备结构简单,弧电源工作在低电压大电流工况,工作较为安全。广东省科学院半导体研究所。在真空中制备膜层,包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。
电子束蒸发镀膜技术是一种制备高纯物质薄膜的主要方法,在电子束加热装置中,被加热的物质被放置于水冷的坩埚中电子束只轰击到其中很少的一部分物质,而其余的大部分物质在坩埚的冷却作用下一直处于很低的温度,即后者实际上变成了被蒸发物质的坩埚。因此,电子束蒸发沉积方法可以做到避免坩埚材料的污染。在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚,这使得人们可以同时或分别蒸发和沉积多种不同的物质。现今主流的电子束蒸发设备中对镀膜质量起关键作用的是电子枪和离子源。真空镀膜中离子镀的镀层棱面和凹槽都可均匀镀复,不致形成金属瘤。金华真空镀膜仪
真空镀膜技术首先用于生产光学镜片。河源光学真空镀膜
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。河源光学真空镀膜
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