磁控溅射还可用于不同金属合金的共溅射，同时使用多个靶电源和不同靶材，例如TiW合金，通过单独调整Ti、W的溅射速率，同时开始溅射2种材料，则在衬底上可以形成Ti/W合计，对不同材料的速率进行调节，即能满足不同组分的要求.磁控溅射由于其内部电场的存在，还可在衬底端引入一个负偏压，使溅射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控溅射常用来沉积TSV结构的阻挡层和种子层，通过对相关参数的调整和引入负偏压，可以实现高深宽比的薄膜溅射，且深孔内壁薄膜连续和良好的均匀性真空镀膜技术有真空离子镀膜。镇江真空镀膜仪
真空镀膜的方法：化学气相沉积：化学气相沉积是一种化学生长方法,简称CVD(ChemicalVaporDeposition)技术。这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片,利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源,借助气相作用或在基片表面的化学反应(热分解或化学合成)生成要求的薄膜。真空镀钛的CVD法中Z常用的就是等离子体化学气相沉积(PCVD)。利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。镇江真空镀膜仪离子镀是真空镀膜技术的一种。
真空镀膜：离子镀特点：离子镀是物理的气相沉积方法中应用较普遍的一种镀膜工艺。离子镀的基本特点是采用某种方法（如电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化等）使中性粒子电离成离子和电子，在基体上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后使离子进而沉积于基体成膜，适用于高速钢工具，热锻模等材料的表面处理过程。离子镀的优点如下：膜层和基体结合力强，反应温度低。膜层均匀，致密。在负偏压作用下绕镀性好。无污染。多种基体材料均适合于离子镀。
真空镀膜：离子镀膜法：离子镀膜技术是在真空条件下，应用气体放电实现镀膜的，即在真空室中使气体或蒸发物质电离，在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下、同时将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。根据不同膜材的气化方式和离化方式可分为不同类型的离子镀膜方式。膜材的气化方式有电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。气体分子或原子的离化和启动方式有：辉光放电型、电子束型、热电子型、等离子电子束型、多弧型及高真空电弧放电型，以及各种形式的离子源等。不同的蒸发源与不同的电离或激发方式可以有多种不同的组合。目前比较常用的组合方式有：真空镀膜机真空压铸工艺采用钛合金单独装料，感应壳式熔炼。
原子层沉积(atomiclayer deposition，ALD)技术，亦称原子层外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术。原子层沉积技术起源于上世纪六七十年代，由前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov报道，随后，基于电致发光薄膜平板显示器对高质量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬兰Suntalo博士发展并完善。然而，受限于其复杂的表面化学过程等因素，原子层沉积技术在开始并没有取得较大发展，直到上世纪九十年代，随着半导体工业的兴起，对各种元器件尺寸，集成度等方面的要求越来越高，原子层沉积技术才迎来发展的黄金阶段。进入21世纪，随着适应各种制备需求的商品化ALD仪器的研制成功，无论在基础研究还是实际应用方面，原子层沉积技术都受到人们越来越多的关注。真空镀膜机在集成电路制造中的应用：PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。镇江真空镀膜仪
真空镀膜中离子镀的镀层棱面和凹槽都可均匀镀复，不致形成金属瘤。镇江真空镀膜仪
热氧化与化学气相沉积不同，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。热氧化形成氧化硅时，会消耗相当于氧化硅膜厚的45%的硅。热氧化氧化过程主要分两个步骤：步骤一：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面，步骤二：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面，步骤三：氧气或者水蒸气等与硅反应生成氧化硅。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。镇江真空镀膜仪
广东省半导体所，2016-04-07正式启动，成立了微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等几大市场布局，应对行业变化，顺应市场趋势发展，在创新中寻求突破，进而提升芯辰实验室,微纳加工的市场竞争力，把握市场机遇，推动电子元器件产业的进步。旗下芯辰实验室,微纳加工在电子元器件行业拥有一定的地位，品牌价值持续增长，有望成为行业中的佼佼者。我们强化内部资源整合与业务协同，致力于微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等实现一体化，建立了成熟的微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务运营及风险管理体系，累积了丰富的电子元器件行业管理经验，拥有一大批专业人才。公司坐落于长兴路363号，业务覆盖于全国多个省市和地区。持续多年业务创收，进一步为当地经济、社会协调发展做出了贡献。
