原子层沉积技术凭借其独特的表面化学生长原理、亚纳米膜厚的精确控制性以及适合复杂三维高深宽比表面沉积，自截止生长等特点，特别适合薄层薄膜材料的制备。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸盐（ODPA）对Cu的选择性吸附，在预先吸附有ODPA分子的衬底表面进行ALD沉积Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉积，从而得到被高k绝缘材料Al2O3所间隔的空间选择性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，电镜照片表明该沉积方法的区域选择性得到了有效保证。真空镀膜镀料离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞以及高压电场后，高速冲向工件。重庆纳米涂层真空镀膜
真空镀膜技术与湿式镀膜技术相比较，具有下列优点：薄膜和基体选材普遍，薄膜厚度可进行控制，以制备具有各种不同功能的功能性薄膜。在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染，因此可获得致密性好、纯度高和涂层均匀的薄膜。薄膜与基体结合强度好，薄膜牢固。干式镀膜既不产生废液，也无环境污染。真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：各种镀膜技术都需要一个特定的真空环境，以保证制膜材料在加热蒸发或溅射过程中所形成蒸气分子的运动，不致受到大气中大量气体分子的碰撞、阻挡和干扰，并消除大气中杂质的不良影响。遵义真空镀膜机从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。
真空镀膜的方法：溅射镀膜：在射频电压下,利用电子和离子运动特征的不同,在靶表面感应出负的直流脉冲,从而产生溅射的射频溅射。这种技术Z早由1965年IBM公司研制,对绝缘体也可以溅射镀膜。为了在更高的真空范围内提高溅射沉积速率,不是利用导入是氩气,而是通过部分被溅射的原子(如Cu)自身变成离子,对靶产生溅射实现镀膜的自溅射镀膜技术。在高真空下,利用离子源发出的离子束对靶溅射,实现薄膜沉积的离子束溅射。其中由二极溅射发展而来的磁控溅射技术,解决了二极溅射镀膜速度比蒸镀慢得多、等离子体的离化率低和基片的热效应等明显问题。磁控溅射是现在用于钛膜材料的制备Z为普遍的一种真空等离子体技术,实现了在低温、低损伤的条件下高速沉积。自2001年以来,广大的科技研究者致力于这方面的研究,成果显着。
真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件（金属、半导体或绝缘体）表面而形成薄膜的一种方法。例如，真空镀铝、真空镀铬等。真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面，它是以真空技术为基础，利用物理或化学方法，并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术，为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。简单地说，在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射，使其在被涂覆的物体（称基板、基片或基体）上凝固并沉积的方法，称为真空镀膜。真空镀膜技术有真空束流沉积镀膜。
PECVD一般用到的气体有硅烷、笑气、氨气等其他。这些气体通过气管进入在反应腔体，在射频源的左右下，气体被电离成活性基团。活性基团进行化学反应，在低温（300摄氏度左右）生长氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半导体器件的绝缘层，可有效的进行绝缘。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜。重庆纳米涂层真空镀膜
真空镀膜在钢材、镍、铀、金刚石表面镀钛金属薄膜,提高了钢材、铀、金刚石等材料的耐腐蚀性能。重庆纳米涂层真空镀膜
电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、 束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，通过晶振控制，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和各种光学材料薄膜。电子束蒸发的金属粒子只能考自身能量附着在衬底表面，台阶覆盖性比较差，如果需要追求台阶覆盖性和薄膜粘附力，建议使用磁控溅射。在蒸发温度以上进行蒸发试，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发生很大变化。因此，在镀膜过程中，想要控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。重庆纳米涂层真空镀膜
广东省科学院半导体研究所成立于2016-04-07，同时启动了以芯辰实验室,微纳加工为主的微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务产业布局。业务涵盖了微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等诸多领域，尤其微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务中具有强劲优势，完成了一大批具特色和时代特征的电子元器件项目；同时在设计原创、科技创新、标准规范等方面推动行业发展。随着我们的业务不断扩展，从微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等到众多其他领域，已经逐步成长为一个独特，且具有活力与创新的企业。公司坐落于长兴路363号，业务覆盖于全国多个省市和地区。持续多年业务创收，进一步为当地经济、社会协调发展做出了贡献。
