微纳加工技术是先进制造的重要组成部分，是衡量国家制造业水平的标志之一，具有多学科交叉性和制造要素极端性的特点，在推动科技进步、促进产业发展、拉动科技进步、保障**安全等方面都发挥着关键作用。微纳加工技术的基本手段包括微纳加工方法与材料科学方法两种。很显然，微纳加工技术与微电子工艺技术有密切关系。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域提供技术咨询、器件设计、版图设计、光刻、刻蚀、镀膜等技术服务。微纳加工技术的特点MEMS技术适合批量生产。江苏真空镀膜微纳加工工艺
基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构，受光学衍射的极限，适用于微米以上尺度的微细结构制作，部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如，接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm，采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来，国内外很多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等，力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作，但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。深圳刻蚀微纳加工工艺新一代微纳制造系统应满足的要求：具有微纳特性的组件的小型化连续生产。
微纳加工即是微米级纳米级单位的加工常常应用在材料科学和芯片设计等领域，通俗的讲就是把图形转移到衬底上面去，一般衬底是Si，做微纳加工第一步是要做光刻版的。第一步版图：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel软件做图形第二步制作光刻版：这里比较复杂我分为三步来介绍首先我们要了解光刻版的材料和它的结构，光刻版即是掩膜板材质只有两种石英和苏打（石英的透光率要比苏打的透光率要好）苏打和石英上面呢有一层ge金属（ge金属不透光）ge金属上面还有一层光刻胶。第一步：我们要确定我们光刻版的大小（注意光刻版要比衬底大一个英寸以便于光刻的时候光刻版能把衬底全部掩盖住）以及小线宽和精度（这里直接关乎到我们制版的时候会用到什么设备）第二步：进行光刻我们需要用电子束将光刻版上面的光刻胶进行处理就是把图形用电子束写到光刻版上面去被紫外线照到的地方的光刻胶就会产生变性在用把光刻胶洗掉这一步也叫去胶。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台，面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线。
微纳制造可以应用在什么哪些领域？微纳制造作为国家新兴产业发展的重大关键技术之一，对国家装备实力和国民经济技术的发展起到重要作用。微纳制造技术的进步，推动着三大前沿科技的发展：生物技术、信息技术、纳米技术。由于微纳制造技术产品有体积小、集成度高、重量轻、智能化程度高等诸多优点，在信息科学、生物医疗、航空航天等领域广的应用。微纳加工技术是先进制造的重要组成部分，是衡量国家高质量的制造业水平的标志之一，具有多学科交叉性和制造要素极端性的特点，在推动科技进步、促进产业发展、拉动科技进步、保障**安全等方面都发挥着关键作用。微纳加工技术的基本手段包括微纳加工方法与材料科学方法两种。很显然，微纳加工技术与微电子工艺技术有密切关系。微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。
MEMS（微机电系统），是指以微型化、系统化的理论为指导，通过半导体制造等微纳加工手段，形成特征尺度为微纳米量级的系统装置。相对于先进的集成电路（IC）制造工艺（遵循摩尔定律），MEMS制造工艺不单纯追求线宽而注重功能特色化，即利用微纳结构或/和敏感材料实现多种传感和执行功能，工艺节点通常从500nm到110nm，衬底材料也不局限硅，还包括玻璃、聚合物、金属等。由MEMS技术构建的产品往往具有体积小、重量轻、功耗低、成本低等优点，已广泛应用于汽车、手机、工业、医疗、**、航空航天等领域。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台，面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。 光刻胶是微纳加工中微细图形加工的关键材料之一。湖南光电器件微纳加工代工
微纳加工平台支持基础信息器件与系统等多领域、交叉学科，开展前沿信息科学研究和技术开发。江苏真空镀膜微纳加工工艺
溅射镀膜有两种方式：一种称为离子束溅射，指真空状态下用离子束轰击靶表面，使溅射出的粒子在基体表面成膜，该工艺较为昂贵，主要用于制取特殊的薄膜；另一种称为阴极溅射，主要利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶面，溅射出的粒子沉积在基体上。它采用平行板电极结构，膜料物质做成的大面积靶为阴极，支持基体的基板为阳极，安装于钟罩式真空容器内。为减少污染，先将钟罩内的压强抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar气，使压强维持在1~10Pa。在两极之间加数千伏的电压进行溅射镀膜。与蒸发镀膜相比，溅射镀膜时靶材（膜料）无相变，化合物成分稳定，合金不易分馏，因此适合制备的膜材非常广。由于溅射沉积到衬底上的粒子能量比蒸发时的能量高50倍，它们对衬底有清洗和升温作用，所以形成的薄膜附着力大。特别是溅射镀膜容易控制膜的成分，通过直接溅射或者反应溅射，可以制备大面积均匀的各种合金膜、化合物膜、多层膜和复合膜。溅射镀膜易实现连续化、自动化作业和规模化生产。但是，由于溅射时要使用高电压和气体，所以装置比较复杂，薄膜易受溅射气氛的影响，薄膜沉积速率也较低。此外，溅射镀膜需要事先制备各种成分的靶，装卸靶不太方便。 江苏真空镀膜微纳加工工艺
广东省科学院半导体研究所主营品牌有芯辰实验室,微纳加工，发展规模团队不断壮大，该公司服务型的公司。是一家****企业，随着市场的发展和生产的需求，与多家企业合作研究，在原有产品的基础上经过不断改进，追求新型，在强化内部管理，完善结构调整的同时，良好的质量、合理的价格、完善的服务，在业界受到宽泛好评。公司拥有专业的技术团队，具有微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等多项业务。广东省半导体所将以真诚的服务、创新的理念、***的产品，为彼此赢得全新的未来！
