光分路器与同轴电缆传输系统一样，光网络系统也需要将光信号进行耦合、分支、分配，这就需要光分路器来实现，光分路器是光纤链路中**重要的无源器件之一，是具有多个输入端和多个输出端的光纤汇接器件，常用M×N来表示一个分路器有M个输入端和N个输出端。在光纤CATV系统中使用的光分路器一般都是1×2、1×3以及由它们组成的1×N光分路器。1．光分路... 【查看详情】

J599系列（GJB599/MIL-C-38999系列）是***航空连接器的**系列，符合美军标D38999和国军标GJB599，分为I、II、III型，具有防斜插、壳体防错、界面密封、屏蔽等特点，适用于盲视快速分离系统 [9]。GJB599标准即等效于MIL-C-38999 [2]。该系列包括J599、J599A8、J599A6、J59... 【查看详情】

这一切背后的动力都是半导体芯片。如果按照旧有方式将晶体管、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不*个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关**指出,摩尔法则已不**是针对芯片技术的法则;不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、传感器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。毫无... 【查看详情】

J599系列（GJB599/MIL-C-38999系列）是***航空连接器的**系列，符合美军标D38999和国军标GJB599，分为I、II、III型，具有防斜插、壳体防错、界面密封、屏蔽等特点，适用于盲视快速分离系统 [9]。GJB599标准即等效于MIL-C-38999 [2]。该系列包括J599、J599A8、J599A6、J59... 【查看详情】

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆... 【查看详情】

光分路器与同轴电缆传输系统一样，光网络系统也需要将光信号进行耦合、分支、分配，这就需要光分路器来实现，光分路器是光纤链路中**重要的无源器件之一，是具有多个输入端和多个输出端的光纤汇接器件，常用M×N来表示一个分路器有M个输入端和N个输出端。在光纤CATV系统中使用的光分路器一般都是1×2、1×3以及由它们组成的1×N光分路器。1．光分路... 【查看详情】

特点1.镀金接触界面，用于保证更高的耐磨性和良好的电特性；2.冗余的接触界面，保证高可靠性；3.可选择气密性连接或PCB焊接；4.壳体外部特征要便于插入时导正和导向；5.用不同的插针高度保证信号和接地的先后连接顺序；6.大功率电源要用特殊的端子，和信号的接触端子要有所区别；7.要保证EMI特性和机箱接地。应用无线通信系统中所采用的电源连接... 【查看详情】

晶体管：晶体管是用于放大和开关的关键器件，分为双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT通过电流控制电流，而FET则通过电压控制电流。晶体管广泛应用于放大器、开关电源和数字电路中。场效应管（FET）：FET是一种利用电场控制导电通道的器件，具有高输入阻抗和低功耗的特点。常见的FET包括MOSFET和JFET，广泛应用于开关电源... 【查看详情】

考虑到接插件的技术发展和实际情况，从其通用性和相关的技术标准，连接器可划分以下几种类别（分门类）：①低频圆形接插件；②矩形接插件；③印制电路接插件；④射频同轴连接器；⑤ 光纤接插件。在民用航天领域，上述部分类别的连接器（如低频圆形接插件、射频同轴连接器等）已被实际应用于地面设备中，涉及运算放大器、处理器相关接插件等具体元器件的应用。 [6... 【查看详情】

对某些小体积的连接器设计的接触压力相当小，使用场合*为mA 和mV级，膜层电阻不易被击穿，可能影响电信号的传输。在GB5095《电在设备用机电元件基本试验规程及测量方法》中的接触电阻测试方法之一“接触电阻 ——毫伏法“规定，为了防止接触件上绝缘薄膜被击穿，测试回路的开路电动势的直流或交流峰值不大于20mV，直流或交流试验电流不大于100m... 【查看详情】

无源器件是微波射频器件中重要的一类，在微波技术中占有非常重要的地位。无源器件主要包括电阻，电容，电感，转换器，渐变器，匹配网络，谐振器，滤波器，混频器和开关等。种类简介无源器件主要包括电阻，电容，电感，转换器，渐变器，匹配网络，谐振器，滤波器，混频器和开关等。在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。无源元件主要是电阻类、电感... 【查看详情】

***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6～1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管... 【查看详情】