在技术发展历程中，电感器的片式化曾是瓶颈，直到上世纪90年代基于多层陶瓷技术的片式电感器才出现。中国科学家周济院士团队利用纳米烧结动力学原理，成功开发出兼有高性能和低温烧结特性的软磁铁氧体材料，为我国片式电感器产业的发展提供了关键技术支撑。此后，借助LTCC技术，将电阻器、电容器、电感器等各类无源元件整合集成成为可能 [19]。近年来，自... 【查看详情】

进入AI时代，无源元件面临大功率、小尺寸、高可靠性的技术挑战。为应对这些挑战，业界在材料、结构和工艺上不断创新。例如，采用热成型FeBPCu纳米晶体材料制造高效率功率电感器；通过结构创新开发出低ESR的聚合物钽电容器；利用CuSn瞬态液相烧结材料的高密度密封技术（如KONNEKT）提升MLCC的空间利用率，以满足AI服务器、新能源汽车等领... 【查看详情】

新一代电子元件与无源技术的发展正在成为高技术发展的制高点和产业生长点，受到世界各国**、产业界和学术界的高度重视。早在上世纪90年代中期，美国**就曾拨款7000万美元实施一个旨在研究发展无源集成和多芯片组装的三年计划。2000年，美国商务部、国家标准与计划研究院和一些大型企业联合发起了“先进嵌入式无源元件联合研究计划”。欧盟通过其Bri... 【查看详情】

电容量的单位为法拉（记作F） [7]。常用单位有微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等。在实际应用中，除电容量外，电容器的额定电压（耐压值）也是关键参数，必须高于电路中的最大工作电压，以防止电容器击穿 [5]。电容器种类繁多，主要包括陶瓷电容（介质如钛酸钡）、铝电解电容（介质为氧化铝，使用电解液或导电聚合物）、钽电解电容（介质为氧化钽... 【查看详情】

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的比较大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出比较大反向峰值耐压值和比较大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。把晶体二极管、三极管以及电阻电容都制作在同一块硅芯片上，称为集成电路。一块硅芯... 【查看详情】

这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端（P型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的... 【查看详情】

电感在电路中的代号为L。电感量的单位是亨利(记作H)，常用的有毫亨(mH)，微亨(μH)。1H=1000mH 1mH=1000μH电感是典型的电磁感应和电磁转换的元器件，最常见的应用是变压器。微波射频器微波射频器件分为无源和有源两大类，区分两者的标准是看该器件建立起的等效电路模型中是否含有电源（电压源或者电流源），若器件等效电路模型中无电... 【查看详情】

除基础元件外，无源器件家族还包含变压器、连接器、滤波器等复杂组件。例如，光分路器通过熔融拉锥技术将多根光纤熔接，实现光信号的精细分配，在光纤CATV系统中支持多用户接入。二、技术演进：从分立到集成的跨越随着电子设备向微型化、高频化发展，无源器件正经历从分立元件到集成化解决方案的变革：材料创新：纳米晶体材料的应用使电感器在保持高性能的同时实... 【查看详情】

按产品种类划分，无源元件行业可细分为电阻器、电容器和电感器，其中电容器细分市场预计将贡献比较大的市场份额。按**终用途划分，无源元件可应用于电信、消费类电子产品、汽车、工业机械等领域。在5G手机、新能源汽车、光伏等需求拉动下，无源元件需求旺盛 [23]，其中新能源汽车是被动元件增速**快的细分市场 [3]，AI服务器等应用也带来了***的... 【查看详情】

环境适应性要求***连接器需要能在各种恶劣环境下正常工作，温度范围通常要求适应-55℃～+125℃甚至更宽，防护等级根据应用环境的不同需要具备相应的防护等级，耐环境性能包括耐盐雾、耐潮湿、耐霉菌等性能。材料与工艺要求外壳材料通常采用金属材料如铝合金或不锈钢，接触件材料多采用铜合金，表面镀金以提高导电性和耐腐蚀性，绝缘材料要求使用具有优良电... 【查看详情】

除基础元件外，无源器件家族还包含变压器、连接器、滤波器等复杂组件。例如，光分路器通过熔融拉锥技术将多根光纤熔接，实现光信号的精细分配，在光纤CATV系统中支持多用户接入。二、技术演进：从分立到集成的跨越随着电子设备向微型化、高频化发展，无源器件正经历从分立元件到集成化解决方案的变革：材料创新：纳米晶体材料的应用使电感器在保持高性能的同时实... 【查看详情】

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只... 【查看详情】