模块化设计：便于设备维护、升级或扩展（如服务器背板连接器）。二、连接器的分类1. 按应用领域电子连接器：板对板（Board-to-Board）：如FPC连接器、排针排母，用于电路板间连接。线对板（Wire-to-Board）：如杜邦线、JST连接器，连接导线与电路板。线对线（Wire-to-Wire）：如端子排、冷压端子，用于导线间连接。... 【查看详情】

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-**通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示**半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后... 【查看详情】

在技术发展历程中，电感器的片式化曾是瓶颈，直到上世纪90年代基于多层陶瓷技术的片式电感器才出现。中国科学家周济院士团队利用纳米烧结动力学原理，成功开发出兼有高性能和低温烧结特性的软磁铁氧体材料，为我国片式电感器产业的发展提供了关键技术支撑。此后，借助LTCC技术，将电阻器、电容器、电感器等各类无源元件整合集成成为可能 [19]。近年来，自... 【查看详情】

无源器件的特性无源器件具有以下几个***特性：无增益：无源器件不能提供增益，它们只能消耗或储存能量，而不能放大信号。线性特性：大多数无源器件在其工作范围内表现出线性特性，即输入与输出之间的关系是线性的。频率响应：无源器件的性能通常与频率有关，特别是在高频应用中，电容器和电感器的表现会受到频率的***影响。稳定性：无源器件通常具有较高的稳定... 【查看详情】

三端器件一 般是有源器件，典型**是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又... 【查看详情】

Pouti是第i个输出端口的光功率；Pin是输入端的光功率值。（2）附加损耗。附加损耗定义为所有输出端口的光功率总和相对于输入光功率损失的DB数。值得一提的是，对于光纤耦合器，附加损耗是体现器件制造工艺质量的指标，反映的是器件制作过程的固有损耗，这个损耗越小越好，是制作质量优劣的考核指标。而插入损耗则*表示各个输出端口的输出功率状况，不*... 【查看详情】

按产品种类划分，无源元件行业可细分为电阻器、电容器和电感器，其中电容器细分市场预计将贡献比较大的市场份额。按**终用途划分，无源元件可应用于电信、消费类电子产品、汽车、工业机械等领域。在5G手机、新能源汽车、光伏等需求拉动下，无源元件需求旺盛 [23]，其中新能源汽车是被动元件增速**快的细分市场 [3]，AI服务器等应用也带来了***的... 【查看详情】

集成无源器件（IPD）技术可以集成多种电子功能，具有小型化和提高系统性能的优势，以取代体积庞大的分立无源元件 [15]。IPD能够实现精确匹配，元件紧密放置，寄生参数小，鲁棒性好，并减少ESD风险 [14]。该技术已成为系统级封装（SiP）的一个重要实现方式，并对PCB技术发展产生影响 [15]。自卷曲技术通过利用多层平面薄膜的内应力实现... 【查看详情】

无源元件与有源器件（集成电路等半导体产品）共同构成电路的**部分，是各类电子信息产品的基础。在新型电子产品中，集成电路和无源元件占全部电子元器件及零部件的生产总成本的46.1%和9.1%，而在总安装成本中却分别占12.7%和55.1%。无源电子元件已经成为制约整机进一步向小型化、集成化发展的瓶颈 [2]。近年来电子元件产品进入了一个迅速升... 【查看详情】

光波导型是微光学元件型产品，采用光刻技术，在介质或半导体基板上形成光波导，实现分支分配功能。这两种型式的分光原理类似，它们通过改变光纤间的消逝场相互耦合（耦合度，耦合长度）以及改变光纤纤半径来实现不同大小分支量，反之也可以将多路光信号合为一路信号叫做合成器。熔锥型光纤耦合器因制作方法简单、价格便宜、容易与外部光纤连接成为一整体，而且可以耐... 【查看详情】

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管... 【查看详情】

第三梯队：国内中小厂商聚焦低端通用器件，以成本竞争为主，同质化现象突出。国产化替代进程加速的驱动因素包括：政策支持：国家“十四五”规划明确将第三代半导体列为战略发展方向，通过税收优惠、研发补贴等政策推动技术突破。产业链协同：长三角、珠三角、成渝地区形成产业集群，上游原材料（如硅晶圆、光刻胶）与设备（如光刻机、刻蚀设备）供应商，与中游制造企... 【查看详情】