载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，... 【查看详情】

我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界***的产品有：电阻器、电容器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。伴随我国电子信息产业规模的扩大，珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中，产业链较完整，具有相当的规模和配套能力。我国电... 【查看详情】

同时其测距部分的外光路系统又能使测距部分的光敏二极管发射的调制红外光在经物镜射向反光棱镜后，经同一路径反射回来，再经分光棱镜作用使回光被光电二极管接收；为测距需要在仪器内部另设一内光路系统，通过分光棱镜系统中的光导纤维将由光敏二极管发射的调制红外光传也送给光电二极管接收 ，进行而由内、外光路调制光的相位差间接计算光的传播时间，计算实测距离... 【查看详情】

1906年美国人德福雷斯特发明真空三极管，用来放大电话的声音电流。此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。1947年，点接触型锗晶体管的诞生，在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是，这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时，结型晶... 【查看详情】

由电力驱动的非常小的机械设备可以集成到芯片上，这种技术被称为微电子机械系统。这些设备是在 20 世纪 80 年代后期开发的 并且用于各种商业和***应用。例子包括 DLP 投影仪，喷码机，和被用于汽车的安全气袋上的加速计和微机电陀螺仪.自 21 世纪初以来，将光学功能(光学计算)集成到硅芯片中一直在学术研究和工业上积极进行，使得将光学器件... 【查看详情】

被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。2 中周变压器的检测A 将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。B 检测绝缘性能 将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：(1)初级绕组与... 【查看详情】

空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。电场形成：空间电荷区形成内电场。空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称... 【查看详情】

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 五个部分意义如下： ***部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、... 【查看详情】

专门用的材料： 电容器**极板材料/导电材料电极材料/光学材料/测温材料半导体材料/屏蔽材料真空电子材料/覆铜板材料压电晶体材料/电工陶瓷材料光电子功能材料|强电、 弱电用接点材料激光工质/电子元器件**薄膜材料电子玻璃/类金刚石膜膨胀合金与热双金属片/电热材料与电热元件其它电子**材料。 电阻 电阻在电路中用“R”... 【查看详情】

简称测距仪。用电磁波(光波或微波)运载测距信号以测量点间距离的仪器。其测距基本原理为测定传输在待测点间的电磁波一次往返所需的时间t，并根据电磁波在大气中的传输速度c，求得距离D=1/2ct。按测定t的方式不同，分为脉冲式测距仪(直接测定t)，相位式测距仪和脉冲式测距仪(间接得到t)。脉冲式测距仪测程远，目前精度一般较低。相位式测距仪其测程... 【查看详情】

在速率上，商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系统正在实用化，预计到2004年开始商业应用，一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面，通道间的波长间隙已小到25GHz，还在向12.5GHz努力，使得商用系统的总通道数现为160~240个，实验室中... 【查看详情】

晶体生长类型将纯半导体单晶熔化成半导体，并缓慢挤压生长成棒状。回归型它是从含有少量施主杂质和受主杂质的溶液中挤出来的，如果挤出速度快，则生长出P型半导体，如果慢则生长出N型半导体。因为基极区较厚，高频特性较差。戈隆扩散当在挤压过程中添加到溶解半导体中的杂质发生变化时，根据晶体的位置，P型或N型半导体会生长。通过这种方法，可... 【查看详情】