鉴于先進陶瓷在工业发展中的特殊地位，欧美日等发达國家均将先進陶瓷的发展提到战略高度来认识，并tóu入巨资制订了专门的研究计划来促进其发展，以保持其在先進陶瓷领域的全球領xiān地位。比较zhù名的有日本通产省精细陶瓷研究与开发的“阳光计划”、“通用技术计划”等；美国的“脆性材料设计”、“先進材料与材料设备”等材料研发计划等。第十七届中國國... 【查看详情】

分级技术和设备的发展趋势；(1)加强理论研究，注意学科交叉、积极借鉴其他学科知识。(2)注重研究超细粉体在各种介质中的分散技术及相应设备，研究超微细粉体的团聚机理、探索消chú团聚的有xiào途径。(3)加强專用设备的研究，发展高xiào低耗、高精细和大处理量的分级技术和设备。(4)在现有设备和工艺基础上发展人工智能技术，根据原料特点和产... 【查看详情】

激光粉末床熔融（L-PBF）是一种增材制造技术，它能够用不同粉末作为材料来制造复杂的三维零件。L-PBF的高度设计自由度特性，让其能够运用在金属基复合材料（MMC）的制造中。与传统的铸造或焊接方法相比，L-PBF材料经历的熔化、重熔、凝固和凝固过程有很大区别。熔化和冷却过程中温度剧烈变化驱动熔体中形成强烈的流动涡流，这为局部调... 【查看详情】

光固化技术的优点是能够制备出均匀性高、内应力低、精度高的陶瓷生坯件。但对于光固化工艺，浆料由陶瓷颗粒、光敏树脂和光活性组分组成，光活性组分包括光引发剂、惰性染料和抑制剂，光引发剂吸收特定波长的光子后，会发生浆料中感光材料的聚合。对于该工艺，浆料中粉末的反射率会限制可加工的陶瓷种类。另外，陶瓷浆料是一种悬浮物，可能会造成打印层间的颗粒偏析，... 【查看详情】

激光烧结与光固化在成型机理上存在巨大差异，SLS技术需要利用低熔点的高分子粉末作为粘结剂将粉末连接在一起，导致脱脂后生坯致密化程度低。因此，在后处理过程中，压力渗透、温等静压和冷等静压通常用于实现SLS陶瓷部件的高致密化。此外，在脱脂和烧结过程中，SLS工艺制备的陶瓷坯体容易因高温热收缩而产生开裂缺陷。上海國際增材制造应用技术展览会；将与... 【查看详情】

SPS技术具有烧结温度低、保温时间短、升温速率快、烧结压力可调控、可实现多场耦合(电－力－热)等突出的优点。除Al2O3、ZrO2等常见陶瓷外，SPS技术也可用于许多难烧结材料的制备，如ZrB2、HfB2、ZrC、TiN等超高温陶瓷以及W，Ｒe，Ta，Mo等难熔金属及其合金。通过使用阶梯状等经过特殊设计的模具改变流经模具的电流密度，可人为... 【查看详情】

SPS 技术是一种受到学术界廣泛关注与研究的新型快速烧结技术，图3为其工作原理示意图。SPS技术开创性地将直流脉冲电流引入烧结过程，压头在向材料施加压力的同时也充当电流通过的载体。与传统烧结技术通常利用发热体輻射加热不同，SPS 技术借助大电流通过模具或导电样品产生的热效应来加热材料。对于绝缘样品，通常使用导电性良好的石墨作为模具材料，利... 【查看详情】

碳化硅产业各链条都在互相交融、跨界。系统级厂商方面，比亚迪从整车制造跨到碳化硅产业前端的衬底环节，吉利则向后端做到碳化硅芯片制造；在供应链Tier1厂商层面，博世和华为同样做到碳化硅芯片制造。高成本是制约碳化硅器件实现大规模商用及国产替代的主要因素，但碳化硅器件与传统硅基器件的差价正在缩小。SiCSBD产品价格自2017年的4.1元/A降... 【查看详情】

20世纪80年代以来，自蔓延烧结技术得到了飞速发展，并成功应用到工业化生产，与许多其他领域技术结合，形成了一系列相关技术，例如，SHS粉体合成技术、SHS烧结技术、SHS致密化技术、SHS治金技术等。SHS致密化技术是指SHS过程中产物处于炽热塑性状态下借助外部载荷，可以是静载或动载甚至bào zhà冲击载荷来实现致密化，有时也借助于高壓... 【查看详情】

高壓气氛烧结中，高壓能够顯著增加陶瓷致密的驱动力，并且由于成核势垒的降低使成核速率增加，扩散能力的降低使生长速率减小。高壓气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法，而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响，随着晶粒尺寸的减小，在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来，... 【查看详情】

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率... 【查看详情】

直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液， DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。第十七届中國國際先進陶瓷展览会；... 【查看详情】