针对电子束曝光在教学与人才培养中的作用,研究所利用该技术平台开展实践培训。作为拥有人才团队的研究机构,团队通过电子束曝光实验课程,培养研究生与青年科研人员的微纳加工技能,让学员参与从图形设计到曝光制备...
该研究所将晶圆键合技术与半导体材料回收再利用的需求相结合,探索其在晶圆减薄与剥离工艺中的应用。在实验中,通过键合技术将待处理晶圆与临时衬底结合,为后续的减薄过程提供支撑,处理完成后再通过特定工艺实...
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异,团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求,测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能,筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀...
科研团队在晶圆键合技术的低温化研究方面取得一定进展。考虑到部分半导体材料对高温的敏感性,团队探索在较低温度下实现有效键合的工艺路径,通过优化表面等离子体处理参数,增强晶圆表面的活性,减少键合所需的温度...
围绕电子束曝光在第三代半导体功率器件栅极结构制备中的应用,科研团队开展了专项研究。功率器件的栅极尺寸与形状对其开关性能影响明显,团队通过电子束曝光制备不同线宽的栅极图形,研究尺寸变化对器件阈值电压与导...
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异,团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求,测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能,筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀...
在晶圆键合技术的设备适配性研究中,科研团队分析现有中试设备对不同键合工艺的兼容能力,提出设备改造的合理化建议。针对部分设备在温度均匀性、压力控制精度上的不足,团队与设备研发部门合作,开发了相应的辅助装...
电子束曝光技术通过高能电子束直接轰击电敏抗蚀剂,基于电子与材料相互作用的非光学原理引发分子链断裂或交联反应。在真空环境中利用电磁透镜聚焦束斑至纳米级,配合精密扫描控制系统实现亚5纳米精度图案直写。突破...
现代科研平台将电子束曝光模块集成于扫描电子显微镜(SEM),实现原位加工与表征。典型应用包括在TEM铜网制作10μm支撑膜窗口或在AFM探针沉积300纳米铂层。利用二次电子成像和能谱(EDS)联用,电...
晶圆键合突破振动能量采集极限。锆钛酸铅-硅悬臂梁阵列捕获人体步行动能,转换效率35%。心脏起搏器应用中实现终生免更换电源,临床测试10年功率衰减<3%。跨海大桥监测系统自供电节点覆盖50公里,预警结构...
晶圆键合通过分子力、电场或中间层实现晶圆长久连接。硅-硅直接键合需表面粗糙度<0.5nm及超洁净环境,键合能达2000mJ/m²;阳极键合利用200-400V电压使玻璃中钠离子迁移形成Si-O-S...
电子束曝光在超导量子比特制造中实现亚微米约瑟夫森结的精确布局。通过100kV加速电压的微束斑(<2nm)在铌/铝异质结构上直写量子干涉器件,结区尺寸控制精度达±3nm。采用多层PMMA胶堆叠技术配合低...