在当今高科技和材料科学领域,磁控溅射技术作为一种高效、精确的薄膜制备手段,已经普遍应用于多个行业和领域。磁控溅射制备的薄膜凭借其高纯度、良好附着力和优异性能等特点,在微电子、光电子、纳米技术、生物医学...
磁控溅射技术可以制备大面积均匀薄膜,并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。这一特点使得磁控溅射技术在工业生产中具有很高的应用价值。随着科学技术的不断进步,磁控溅射技术也在不断创新和发展。例如,...
科研团队在晶圆键合的对准技术上进行改进,针对大尺寸晶圆键合中对准精度不足的问题,开发了一套基于图像识别的对准系统。该系统能实时捕捉晶圆边缘的标记点,通过算法调整晶圆的相对位置,使对准误差控制在较小...
MEMS麦克风制造依赖晶圆键合封装振动膜。采用玻璃-硅阳极键合(350℃@800V)在2mm²腔体上形成密封,气压灵敏度提升至-38dB。键合层集成应力补偿环,温漂系数<0.002dB/℃,131dB...
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异,团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求,测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能,筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀...
科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异,团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求,测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能,筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀...
将模拟结果与实际曝光图形对比,不断修正模型参数,使模拟预测的线宽与实际结果的偏差缩小到一定范围。这种理论指导实验的研究模式,提高了电子束曝光工艺优化的效率与精细度。科研人员探索了电子束曝光与原子层沉积...
在晶圆键合技术的实际应用中,该研究所聚焦材料适配性问题展开系统研究。针对第三代半导体与传统硅材料的键合需求,科研人员通过对比不同表面活化方法,分析键合界面的元素扩散情况。依托微纳加工平台的精密设备,团...
研究所将晶圆键合技术与微纳加工工艺相结合,探索在先进半导体器件中的创新应用。在微纳传感器的制备研究中,团队通过晶圆键合技术实现不同功能层的精确叠加,构建复杂的三维器件结构。利用微纳加工平台的精密光刻与...
围绕电子束曝光在第三代半导体功率器件栅极结构制备中的应用,科研团队开展了专项研究。功率器件的栅极尺寸与形状对其开关性能影响明显,团队通过电子束曝光制备不同线宽的栅极图形,研究尺寸变化对器件阈值电压与导...
研究所利用多平台协同优势,研究电子束曝光图形在后续工艺中的转移完整性。电子束曝光形成的抗蚀剂图形需要通过刻蚀工艺转移到半导体材料中,团队将曝光系统与电感耦合等离子体刻蚀设备结合,研究不同刻蚀气体比例对...
研究所将晶圆键合技术与微纳加工工艺相结合,探索在先进半导体器件中的创新应用。在微纳传感器的制备研究中,团队通过晶圆键合技术实现不同功能层的精确叠加,构建复杂的三维器件结构。利用微纳加工平台的精密光刻与...