真空镀膜：在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得普遍的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面（通常是非金属材料），属于物理的气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。真空镀膜机光学镀膜主要有两种：一种是抗反射膜、另一种是加硬膜。沈阳小家电真空镀膜
等离子体化学气相沉积法，利用了等离子体的活性来促进反应，使化学反应能在较低的温度下进行。优点是：反应温度降低，沉积速率较快，成膜质量好，不容易破裂。缺点是：设备投资大、对气管有特殊要求。PECVD，等离子体化学气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，使局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，两种或多种气体很容易发生反应，在衬底上沉积出所期待的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因此，这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积。沈阳小家电真空镀膜真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。
电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，跟常规金属蒸镀，蒸镀方式需有所盖上。根据之前的镀膜经验，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以采用材料薄片来蒸镀，如将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，材料只能通过坩埚边沿来导热，减缓散热速率，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。
原子层沉积过程由A、B两个半反应分四个基元步骤进行：1）前驱体A脉冲吸附反应；2）惰气吹扫多余的反应物及副产物；3）前驱体B脉冲吸附反应；4）惰气吹扫多余的反应物及副产物，然后依次循环从而实现薄膜在衬底表面逐层生长。基于原子层沉积的原理，利用原子层沉积制备高质量薄膜材料，三大要素必不可少：1）前驱体需满足良好的挥发性、足够的反应活性以及一定热稳定性，前驱体不能对薄膜或衬底具有腐蚀或溶解作用；2）前驱体脉冲时间需保证单层饱和吸附；3）沉积温度应保持在ALD窗口内，以避免因前驱体冷凝或热分解等引发CVD生长从而使得薄膜不均匀。真空镀膜机新型表面功能覆层技术，其特点是保持基体材料固有的特征，又赋予表面化所要求的各种性能.
磁控溅射是物理沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率，可以在样品表面蒸镀致密的薄膜。真空镀膜在钢材、镍、铀、金刚石表面镀钛金属薄膜,提高了钢材、铀、金刚石等材料的耐腐蚀性能。沈阳小家电真空镀膜
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。沈阳小家电真空镀膜
真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）金属颗粒的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。（3）镀料粒子在基片表面的沉积。热蒸发主要是三个过程：1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输 3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程，即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。沈阳小家电真空镀膜
广东省科学院半导体研究所专注技术创新和产品研发，发展规模团队不断壮大。一批专业的技术团队，是实现企业战略目标的基础，是企业持续发展的动力。公司业务范围主要包括：微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等。公司奉行顾客至上、质量为本的经营宗旨，深受客户好评。公司深耕微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务，正积蓄着更大的能量，向更广阔的空间、更宽泛的领域拓展。
