无论是大批量还是小规模生产定制产品，都需要开发新一代的模块化、知识密集的、可升级的和可快速配置的生产系统。而这将用到那些新近涌现出来的微纳技术研究成果以及新的工业生产理论体系。给出了微纳制造系统与平台的发展前景。未来几年微纳制造系统和平台的发展前景包括以下几个方面：（1）微纳制造系统的设计、建模和仿真；（2）智能的、可升级的和适应性强的微纳制造系统（工艺、设备和工具集成）；（3）新型灵活的、模块化的和网络化的系统结构，以构筑基于制造的知识。微纳加工包括光刻、磁控溅射、电子束蒸镀、湿法腐蚀、干法腐蚀、表面形貌测量等。河南光电器件微纳加工工艺
通过光刻技术制作出的微纳结构需进一步通过刻蚀或者镀膜，才可获得所需的结构或元件。刻蚀技术，是按照掩模图形对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀较普遍、也是成本较低的刻蚀方法，大部份的湿刻蚀液均是各向同性的，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成刻蚀的目的。其较重要的优点是能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。辽宁镀膜微纳加工服务价格微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺。
聚合物等温微纳米热压印技术同时适用于结晶型聚合物和非晶型聚合物，研究人员分别选用PP和PMMA作为两类聚合物的象征，对较优加工工艺及其内在成型机理展开探索。结果表明，对PMMA等非晶型聚合物而言，模具温度设定在Tg附近即可获得成型效果优异的微纳结构制品；在加工PP等结晶型聚合物时，模具温度则应设置在Tm以下40~60℃的温度区间内。利用聚合物等温微纳米热压印技术制得的微纳结构制品结构稳定，微纳结构一致性高且成型效率高。目前，聚合物等温微纳米压印方法的相关中心技术已申请国家发明专利和PCT国际专利。相信在全球范围内的微纳制造技术研发大潮中，聚合物等温微纳米热压印技术的出现会为研究人员提供新的灵感和动力。
目前微纳制造领域较常用的一种微细加工技术是LIGA。这项技术由于可加工尺寸小、精度高，适合加工半导体材料，因而在半导体产业中得到普遍的应用，其较基础的中心技术是光刻，即曝光和刻蚀工艺。随着LIGA技术的发展，人们开发出了比较多种不同的曝光、刻蚀工艺，以满足不同精度尺寸、生产效率等的需求。LIGA技术经过多年的发展，工艺已经相当成熟，但是这项技术的基本原理决定了它必然会存在的一些缺陷，比如工艺过程复杂、制备环境要求高（比如需要净化间等）、设备投入大、生产成本高等。微纳制造技术属国际前沿技术，作为未来制造业赖以生存的基础和可持续发展的关键。
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。广东省科学院半导体研究所。微纳加工技术的特点MEMS技术适合批量生产。辽宁镀膜微纳加工服务价格
微纳加工技术对现代的生活、生产产生了巨大的促进作用，并催生了一批新兴产业。河南光电器件微纳加工工艺
MEMS工艺离不开曝光工艺。光刻曝光系统：接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用较广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。河南光电器件微纳加工工艺
