PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。黑龙江贵金属真空镀膜实验室
真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）金属颗粒的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。（3）镀料粒子在基片表面的沉积。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化,造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。珠海磁控溅射真空镀膜加工平台多弧离子真空镀膜机镀膜还会在电厂的作用下沉积在具有负电压基体表面的任意位置上。
真空镀膜机在韧性较好的刀具（刀片）基体上进行表面涂层，涂覆具有高硬度、高耐磨性、耐高温材料的薄层（如TiN、TiC等），使刀具（刀片）具有周全、良好的综合性能。未涂层高速钢的硬度只为62~68HRC（760~960HV），硬质合金的硬度只为89~93.5HRA（1300~1850HV）；而涂层后的表面硬度可达2000~3000HV以上。①由于表面涂层材料具有比较高的硬度和耐磨性，且耐高温。故与未涂层的刀具（刀片）相比，涂层刀具允许采用较高的切削速度，从而提高了切削加工效率；或能在相同的切削速度下，提高刀具寿命。②由于涂层材料与被加工材料之间的摩擦系数较小，故涂层刀具（刀片）的切削力小于未涂层刀具（刀片）。③用涂层刀具（刀片）加工，零件的已加工表面质量较好。④由于涂层刀具（刀片）的综合性能良好，故涂层硬质合金刀片有较好的通用性，一种涂层硬质合的刀片具有较宽的使用范围。
装饰领域的真空镀膜机，一部分采用的是真空蒸发镀膜法，真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基材表面沉积的过程。是在真空室中加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流入射到固体（称为衬底或基片）表面凝结形成固态薄膜。关于蒸发源的形状可根据蒸发材料的性质，结合考虑与蒸发材料的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源物质。真空蒸镀有三层：底漆层（6~12um）+镀膜层（1~2um）+面漆层（10um）装配前处理。将基材表面杂质、灰尘等用布擦拭干净，提高喷射良率。将基材装配在专属挂具上，用以固定于流水线上，并按设计要求实现外观和功能的遮镀。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。
近年来，真空镀膜机研究者开始注意到ITO-金属-ITO多层膜系统，其优点在于透光、导电和可绕曲等特性的增进，其中导电性和可绕曲性的增进原因较直观，皆来自于金属薄膜本身优异的特性。透光性的增加则来自这类介电-金属-介电多层膜构造对可见光反射的阻止效果，同时透过光学设计可改变穿透光的频谱，造成选择性透明的功能。软性光电元件的发展，须使用可绕曲的透明导电膜才能完善，然而现今被大量使用的金属氧化物电极如ITO，并不能满足这个需求。真空镀膜机透明导电膜技术及其在太阳能元件上的应用，这些技术包括导电高分子、氧化物-金属-氧化物多层膜技术、奈米银自组装及银奈米线等，都能形成透明又导电的薄膜或是网状结构，而且特性和制造成本优于ITO，将来都有可能成功地被应用在可绕曲的光电元件上。真空镀膜机真空压铸是一项可供钛铸件生产厂选用，真空镀膜机能提高铸件质量，降低成本的技术。吉林ITO镀膜真空镀膜公司
真空镀膜机的优点:可以通过涂料处理形成彩色膜，其装潢效果是铝箔所不及的。黑龙江贵金属真空镀膜实验室
溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体(O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。黑龙江贵金属真空镀膜实验室
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