在Si片上形成具有垂直侧壁的高深宽比沟槽结构是制备先进MEMS器件的关键工艺，其各向异性刻蚀要求非常严格。高深宽比的干法刻蚀技术以其刻蚀速率快、各向异性较强、污染少等优点脱颖而出，成为MEMS器件加工的关键技术之一。BOSCH工艺,又名TMDE(Time Multiplexed Deep Etching)工艺，是一个刻蚀—钝化—刻蚀的循环过程，以达到对硅材料进行高深宽比、各向异性刻蚀的目的。 BOSCH工艺的原理是在反应腔室中轮流通入钝化气体C4F8与刻蚀气体SF6与样品进行反应，工艺的整个过程是淀积钝化层步骤与刻蚀步骤的反复交替。其中保护气体C4F8在高密度等离子体的作用下分解生成碳氟聚合物保护层，沉积在已经做好图形的样品表面。刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。山东氮化硅材料刻蚀平台
等离子体刻蚀机要求相同的元素：化学刻蚀剂和能量源。物理上，等离子体刻蚀剂由反应室、真空系统、气体供应、终点检测和电源组成。晶圆被送入反应室，并由真空系统把内部压力降低。在真空建立起来后，将反应室内充入反应气体。对于二氧化硅刻蚀，气体一般使用CF4和氧的混合剂。电源通过在反应室中的电极创造了一个射频电场。能量场将混合气体激发或等离子体状态。在激发状态，氟刻蚀二氧化硅，并将其转化为挥发性成分由真空系统排出。广东省科学院半导体研究所。河北氮化镓材料刻蚀服务刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术。
湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种，是化学清洗在半导体制造行业中的应用，是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源明显的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。从半导体制造业一开始，湿法刻蚀就与硅片制造联系在一起。虽然湿法刻蚀已经逐步开始**法刻蚀所取代，但它在漂去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀应用等方面仍然起着重要的作用。与干法刻蚀相比，湿法刻蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
等向性刻蚀：大部份的湿刻蚀液均是等向性，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好刻蚀掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；兰记婚只要刻蚀配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，刻蚀掩膜图案边缘的部位渐与刻蚀液接触，故刻蚀液也开始对刻蚀掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象(undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿刻蚀技术因之而无法应用在类似次微米线宽的精密弃击乃制程技术！理想情况下，晶圆所有点的刻蚀速率都一致（均匀）。
对于被刻蚀材料和掩蔽层材料（例如光刻胶）的选择比SR可通过下式计算：SR=Ef/Er；其中，Ef为被刻蚀材料的刻蚀速率，Er为掩蔽层材料的刻蚀速率（如光刻胶）；根据这个公式，选择比通常表示为一个比值，一个选择比差的工艺这一比值可能是1:1，意味着被刻蚀的材料与光刻胶掩蔽层被去除地一样快，而一个选择比高的工艺这一比值可能是100:1，说明被刻蚀材料的刻蚀速率为不要被刻蚀材料的（如光刻胶）刻蚀速率的100倍。广东省科学院半导体研究所。刻蚀配方要进行调整以使刻蚀速率依靠晶圆的取向。黑龙江氮化硅材料刻蚀加工工厂
有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源明显的侵蚀。山东氮化硅材料刻蚀平台
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解，然后转成可溶的化合物达到去除的目的。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法,其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。湿法刻蚀这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应，因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。湿法刻蚀的过程：（1）反应物扩散到欲被刻蚀材料的表面；（2）反应物与被刻蚀材料反应；（3）反应后的产物离开刻蚀表面扩散到溶液中，随溶液被排出。山东氮化硅材料刻蚀平台
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